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公开(公告)号：CN112713149A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911026033.2
申请日：2019-10-25
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L27/11536 , H01L21/335
摘要： 本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，在浮栅材料层的侧壁形成了鸟嘴状的氧化层，因此，在同时去除阻挡层和氧化层后，形成锐化的浮栅悬臂角。避免出现浮栅悬臂角钝化的情况。使浮栅悬臂角处电场集中，有利于浮栅中的电子通过浮栅悬臂角隧穿入擦除栅，提高擦除效率。从而能够提高半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN112309957A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910699404.7
申请日：2019-07-31
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本申请涉及半导体制造领域，具体地涉及一种金属互连层的形成方法。所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括第一表面和第二表面，在所述晶圆第一表面形成有铜互连层；在所述铜互连层上形成刻蚀停止层和第二介质层；刻蚀所述第二介质层形成通孔，所述通孔暴露出所述刻蚀停止层的局部；对所述晶圆第二表面执行第一清洗工艺；去除所述通孔暴露出的刻蚀停止层；对所述晶圆第二表面执行第二清洗工艺。本申请所述金属互连层的形成方法，一方面避免了转制程后的交叉污染，另一方面避免由于晶圆第二表面铜膜清洗问题造成的良率损失。
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公开(公告)号：CN112309957B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201910699404.7
申请日：2019-07-31
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本申请涉及半导体制造领域，具体地涉及一种金属互连层的形成方法。所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括第一表面和第二表面，在所述晶圆第一表面形成有铜互连层；在所述铜互连层上形成刻蚀停止层和第二介质层；刻蚀所述第二介质层形成通孔，所述通孔暴露出所述刻蚀停止层的局部；对所述晶圆第二表面执行第一清洗工艺；去除所述通孔暴露出的刻蚀停止层；对所述晶圆第二表面执行第二清洗工艺。本申请所述金属互连层的形成方法，一方面避免了转制程后的交叉污染，另一方面避免由于晶圆第二表面铜膜清洗问题造成的良率损失。
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公开(公告)号：CN103094476A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310018505.6
申请日：2013-01-18
摘要： 本发明提供一种相变合金材料的无损刻蚀方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在该半导体衬底上形成相变合金材料层；在所述相变合金材料层的上表面形成刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层，以使预设部分的相变合金材料层的表面暴露出来；使暴露出来的相变合金材料层的表面浸没于含有溴化氢与氦气的刻蚀气体中；将所述刻蚀气体激发成等离子体以刻蚀暴露出来的相变合金材料层至所述半导体衬底上。本发明的优点在于，采用了溴化氢的刻蚀气体，可以减少刻蚀过程中的侧向腐蚀，氦气作为惰性气体，可以避免引入氧气或氮气而导致的材料表面性能改变，从而获得清洁、平整、陡直且无侧壁损伤的相变合金材料图形。
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公开(公告)号：CN105470386A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410452709.5
申请日：2014-09-05
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提供一种相变存储器及其制造方法和电子装置，所述制造方法包括：提供前端器件，在所述前端器件上形成层间介电层以及位于所述层间介电层内的底电极；形成覆盖所述底电极的相变材料层；对所述相变材料层进行刻蚀以形成位于所述底电极上方且与所述底电极相连接的相变层；对所述相变层进行退火处理。根据本发明的方法，通过退火将非晶态的相变层转变为结晶态，避免了其在之后步骤中体积收缩问题的出现，不会引起沉积在相变层上的盖帽层的剥落，进而提高了相变存储器的良率。
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公开(公告)号：CN103094476B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310018505.6
申请日：2013-01-18
摘要： 本发明提供一种相变合金材料的无损刻蚀方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在该半导体衬底上形成相变合金材料层；在所述相变合金材料层的上表面形成刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层，以使预设部分的相变合金材料层的表面暴露出来；使暴露出来的相变合金材料层的表面浸没于含有溴化氢与氦气的刻蚀气体中；将所述刻蚀气体激发成等离子体以刻蚀暴露出来的相变合金材料层至所述半导体衬底上。本发明的优点在于，采用了溴化氢的刻蚀气体，可以减少刻蚀过程中的侧向腐蚀，氦气作为惰性气体，可以避免引入氧气或氮气而导致的材料表面性能改变，从而获得清洁、平整、陡直且无侧壁损伤的相变合金材料图形。
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公开(公告)号：CN101882627A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910050697.2
申请日：2009-05-06
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 本发明揭露了一种相变存储器件及其制造方法，所述相变存储器件包括：形成有晶体管的半导体基底；位于半导体基底上的中间绝缘层；贯穿所述中间绝缘层并与晶体管连接的插塞；位于中间绝缘层上的第一绝缘层；贯穿第一绝缘层并且与插塞电连接的底部电极和第一相变层，其中底部电极位于插塞和第一相变层之间，底部电极的截面宽度小于插塞的截面宽度；依次位于第一绝缘层上的刻蚀阻挡层和第二绝缘层；贯穿刻蚀阻挡层和第二绝缘层并且与第一相变层电连接的第二相变层，其中第二相变层的截面宽度大于第一相变层的截面宽度。本发明可降低操作电流，减小功耗，提高相变存储器件的成品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN101768743A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200810204832.X
申请日：2008-12-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： C23F4/00
摘要： 一种刻蚀锗锑碲合金材料的方法，包括如下步骤：提供锗锑碲合金层，所述锗锑碲合金层布置于半导体衬底表面；在所述锗锑碲合金层的表面覆盖刻蚀阻挡层；图案化所述刻蚀阻挡层，以使预定部份的锗锑碲合金层的表面暴露出来；使暴露出的锗锑碲合金层的表面浸没于含有卤素的刻蚀气体以及钝化剂的气氛中，所述含有卤素的刻蚀气体混合有钝化剂，所述钝化剂的化学式为CxHyF4x-y，其中x和y均为整数，并且x＞0，0≤y＜4x；将刻蚀气体激发成等离子体，以刻蚀锗锑碲合金层。本发明的优点在于，在刻蚀气氛中加入了化学式为CxHyF4x-y的钝化剂，可以在侧壁生成钝化层，从而避免了对GST材料的侧向腐蚀，获得了具有陡直侧壁的GST图形。
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公开(公告)号：CN201355615Y
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200820158208.6
申请日：2008-12-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种合金材料的嵌入式结构，包括衬底；位于衬底的表面之介质层，所述介质层表面具有凹槽；以及合金材料嵌入岛，所述合金材料嵌入岛镶嵌于所述介质层的凹槽中，所述合金材料嵌入岛位于介质层表面以下的部分与凹槽的侧壁和底面贴合，所述合金材料嵌入岛位于介质层表面以下的部分的截面包括一矩形和一梯形，所述矩形的一个边与介质层的表面处于同一水平高度，所述矩形的另一个边与梯形的底边重合，所述梯形两底边中，与矩形重合的底边的长度大于另一底边的长度。本实用新型的优点在于，采用带有界面为梯形的介质层凹槽，可以增大合金材料与介质层之间的接触面积，进而改善两者之间结合的牢固程度。
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