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公开(公告)号：CN115347454A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110524525.5
申请日：2021-05-13
IPC分类号： H01S5/125
摘要： 一种光学器件的结构及光学器件的形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成反射结构，所述反射结构包括多层重叠的第一反射层和位于第一反射层上的第二反射层，所述第一反射层的折射率与第二反射层的折射率不同，所述第一反射层的材料包括无定形材料。所述方法形成的光学器件性能得到提升。
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公开(公告)号：CN115425029A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110523253.7
申请日：2021-05-13
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供初始衬底，所述初始衬底包括第一区和第二区，所述初始衬底包括第一基底、位于第一基底上的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上的第二基底；去除所述第二区的第二基底；在去除所述第二区的第二基底之后，在第二区的第一绝缘层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成若干无源器件；在形成无源器件之后，在第一区形成若干有源器件。通过将所述有源器件和所述无源器件形成在同一晶圆上，避免了采用封装集成的制程，有效降低了生产成本，同时使得最终形成的半导体结构厚度尺寸降低，有利于器件的小型化。
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公开(公告)号：CN115084304A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110260919.4
申请日：2021-03-10
IPC分类号： H01L31/103 , H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底内具有第一掺杂区和第二掺杂区；位于衬底上的隔离结构；位于隔离结构和衬底内的第一开口；位于第一开口内的光吸收层，且第一开口的顶部侧壁与光吸收层的顶部侧壁之间的间距大于零；位于隔离结构上的介质层，介质层覆盖光吸收层。通过位于隔离结构和衬底内的第一开口，且第一开口的顶部侧壁与光吸收层的顶部侧壁之间的间距大于零。使得光吸收层的顶部侧壁与第一开口的顶部侧壁之间的间距增大。在后续形成介质层时，使得介质层能够很好的填充到光吸收层和隔离结构之间，减少了缝隙问题的产生，有效提升了锗光电探测器的可靠性，使得最终形成的半导体结构的性能提升。
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公开(公告)号：CN115224048A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110432146.3
申请日：2021-04-21
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/762
摘要： 一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括第一基底、第二基底以及位于第一基底和第二基底之间的绝缘层，所述衬底第一面为所述第一基底暴露出的表面，所述衬底第二面为所述第二基底暴露出的表面；在衬底侧壁表面形成导电层；形成导电层之后，对所述衬底第一面进行离子注入。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
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公开(公告)号：CN115188665A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110356312.6
申请日：2021-04-01
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；形成位于所述介质层内的第一开口、位于介质层内的第二开口、以及位于衬底内的初始第三开口，所述第二开口位于第一开口底部且与第一开口连通，所述第二开口侧壁相对于第一开口侧壁凹陷，所述第二开口侧壁相对于初始第三开口侧壁凹陷，且所述第二开口底部暴露出所述衬底部分顶部表面；对所述初始第三开口内壁和所述第二开口底部暴露出的衬底顶部表面进行刻蚀，在所述衬底内形成第三开口；在所述第三开口、所述第二开口和所述第一开口内形成外延层，避免了仅对所述初始第三开口侧壁的衬底刻蚀而造成的“咬边”缺陷，进而提高所形成的器件的性能。
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公开(公告)号：CN115498059A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110670036.0
申请日：2021-06-17
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/18
摘要： 本申请提供一种光电探测器及其形成方法，其中所述光电探测器包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一介质层；沟槽的第一部分，位于所述第一介质层中；沟槽的第二部分，位于所述沟槽的第一部分下方的部分所述第一介质层和所述半导体衬底中；光电材料层，位于所述沟槽的第二部分中并延伸至所述沟槽的第一部分中，且所述光电材料层的侧壁和所述沟槽的第一部分的侧壁不共面；第二介质层，位于所述第一介质层和所述光电材料层的表面并填满所述沟槽的第一部分。本申请技术方案的光电探测器及其形成方法能够避免在锗层表面填充介质层时的虚空现象。
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公开(公告)号：CN115478260A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110605420.2
申请日：2021-05-31
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/34 , C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 一种低压化学气相淀积工艺沉积薄膜的方法，包括：将装载有若干晶圆的晶舟移入反应腔内，各晶圆包括中部区和围绕所述中部区的边缘区；在晶舟移入反应腔内之后，重复若干次沉积处理，直至在各晶圆表面形成材料膜，所述沉积处理的方法包括：第一阶段处理，将反应腔内的反应气体抽出之后，使反应腔内的温度达到第一设定值；在所述第一阶段处理之后进行第二阶段处理，向若干晶圆通入反应气体之后，将反应腔内的温度以预设降温速率降低至第二设定值，所述第二设定值低于第一设定值，使晶圆边缘区材料膜的生长速率低于中部区材料膜的生长速率，平衡了反应腔内因反应气体浓度分布带来的边缘区膜厚高于中部区膜厚的问题，提高了所形成的薄膜的厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN115084303A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110259534.6
申请日：2021-03-10
IPC分类号： H01L31/103 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，所述衬底内具有相互分立的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一离子，所述第二掺杂区内具有第二离子，所述第一离子和所述第二离子的电学类型不同；位于所述衬底上的第一隔离层；位于所述第一隔离层和所述衬底内的第一开口，所述第一开口暴露出部分所述第一掺杂区和部分所述第二掺杂区；位于所述第一开口内的光吸收层；位于所述光吸收层的顶部表面的保护层。通过位于所述光吸收层的顶部表面上的保护层，能够有效防止所述光吸收层被氧化，降低了氧化物对所述光吸收层内部晶体结构的破坏，进而有效提升了最终形成的半导体结构的电学性能。
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公开(公告)号：CN116931171A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210325681.3
申请日：2022-03-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种光学器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括耦合区；在所述衬底上形成第一介质层；在所述耦合区上的第一介质层内形成初始波导沟槽；在所述第一介质层表面和所述初始波导沟槽内形成图形化层，所述图形化层暴露出至少部分初始波导沟槽底部；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，以形成位于所述衬底上的波导结构，所述波导结构包括位于所述耦合区上的波导末端结构。所述半导体结构的形成方法提升了小尺寸波导的制成工艺稳定性，降低了光传播过程中的耦合损耗，提升了光传播效率。
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公开(公告)号：CN116266005A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111556569.2
申请日：2021-12-17
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种光器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底；在第二基底内形成初始第三波导以及对应的初始第三凹槽，初始第三波导包括初始第三起始区；在初始第三凹槽内和初始第三波导上形成第一介质层；去除部分第一介质层和部分初始第三波导，在第二基底内形成第三波导和对应的第三凹槽，第三波导包括第三起始区，所述第三起始区在衬底表面的投影面积小于所述初始第三起始区在所述衬底表面的投影面积。所形成的光器件能够有效减小回波损耗。
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