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公开(公告)号：CN116266691A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111556559.9
申请日：2021-12-17
摘要： 一种光器件及光器件的形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底；位于第二基底内的第一波导以及位于第一波导两侧的第一凹槽；位于第二基底内的第二波导以及位于第二波导两侧的第二凹槽，所述第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度；位于第二基底内的第三波导以及位于第三波导两侧的第三凹槽，所述第三凹槽暴露出所述埋氧层表面，所述第三波导包括第三起始区，所述第三起始区在衬底表面的投影为三角形。所述结构能够有效减小回波损耗。
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公开(公告)号：CN118263121A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211682864.7
申请日：2022-12-27
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底中形成有凹槽；对衬基底进行热处理工艺，用于使基底表面的原子发生迁移，以在凹槽的拐角处获得圆角。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法中，在衬基底中形成有凹槽，对基底进行热处理工艺，使基底表面的原子从表面张力较大的凹槽的拐角处向表面张力较小的其他区域移动，相应使得凹槽的拐角变得圆滑，从而使得电荷在上述位置不易聚集，改善了因电荷聚集引起尖端效应而造成的不良影响，进而提高了半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN117492147A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210880478.2
申请日：2022-07-25
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 一种波导以及光模块，其中，所述波导应用于光模块，沿波导的延伸方向且沿光的入射方向为第一方向，所述波导包括沿所述第一方向依次设置的：第一传导部，具有平行相对的第一传导侧壁；抗回波部，包括与所述第一传导侧壁相连且凸出于所述第一传导侧壁的抗回波侧壁，所述抗回波侧壁用于对回波进行反射和透射。所述抗回波侧壁用于对回波进行反射和透射，从而在当光信号从抗回波部远离所述第一传导部的一端回传产生回波时，回波能够在所述抗回波侧壁上发生反射和透射，降低了回波进入第一传导部中的概率，相应降低了回波对与所述第一传导部相连的光电器件(例如：发光器件)产生干扰的概率，进而减少回波损耗对光模块的影响，提升了光模块的性能。
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公开(公告)号：CN105097647B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201410183949.X
申请日：2014-05-04
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种制作半导体器件的方法，在研磨和/或抛光TSV器件背面以露出硅通孔之后回刻蚀金属铜层，以阻止金属铜扩散和提高器件的可靠性。根据本发明的制作方法，采用背面晶片级封装(WLP)工艺提高了硅通孔的可靠性；同时，在执行研磨和抛光之后没有回刻蚀硅晶片的步骤从而降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN104078416A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310106719.9
申请日：2013-03-28
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种硅通孔布局结构、硅通孔互联结构的形成方法，其中，硅通孔互联结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；刻蚀第一区域和第二区域的半导体衬底，在第一区域和第二区域的半导体衬底中形成若干分立的通孔，第一区域的通孔密度大于通孔的平均密度，且所述通孔的平均密度小于等于2%；在所述半导体衬底上形成金属层，金属层填充满所述通孔；采用化学机械研磨工艺平坦化所述金属层，形成硅通孔互联结构。通过优化第一区域的通孔密度与半导体衬底上通孔的平均密度的关系，防止研磨后的表面金属的残留。
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公开(公告)号：CN102120561B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010022577.4
申请日：2010-01-08
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种形成晶圆穿通孔的方法，所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆的两个相对表面上分别形成第一硬掩模和第二硬掩模，所述第一硬掩模和第二硬掩模的图形关于所述晶圆对称；以第一硬掩模为掩模蚀刻所述晶圆，在所述晶圆内形成凹槽，所述凹槽的深度小于晶圆厚度；在所述凹槽底部形成第一介质层；以第二硬掩模为掩模蚀刻所述晶圆，直到露出所述第一介质层；去除第一介质层及所述第一硬掩模和第二硬掩模。其中第一介质层起到了蚀刻停止层的作用，可以防止离子束穿透硅片穿通孔到达晶圆底部引起溅射，造成底切。
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公开(公告)号：CN101303963A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710040530.9
申请日：2007-05-11
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01J37/32 , H05H1/00 , C23F4/00
摘要： 一种消除蚀刻图形转移的方法及装置，通过在等离子轰击装置上采用较薄的聚焦环，或将聚焦环与晶片的距离增大，从而减小对等离子轰击方向的影响使等离子轰击保持方向。本发明能有效地解决蚀刻图形转移的问题，提高了成品率，节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN116931171A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210325681.3
申请日：2022-03-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种光学器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括耦合区；在所述衬底上形成第一介质层；在所述耦合区上的第一介质层内形成初始波导沟槽；在所述第一介质层表面和所述初始波导沟槽内形成图形化层，所述图形化层暴露出至少部分初始波导沟槽底部；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，以形成位于所述衬底上的波导结构，所述波导结构包括位于所述耦合区上的波导末端结构。所述半导体结构的形成方法提升了小尺寸波导的制成工艺稳定性，降低了光传播过程中的耦合损耗，提升了光传播效率。
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公开(公告)号：CN116266005A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111556569.2
申请日：2021-12-17
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要： 一种光器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底；在第二基底内形成初始第三波导以及对应的初始第三凹槽，初始第三波导包括初始第三起始区；在初始第三凹槽内和初始第三波导上形成第一介质层；去除部分第一介质层和部分初始第三波导，在第二基底内形成第三波导和对应的第三凹槽，第三波导包括第三起始区，所述第三起始区在衬底表面的投影面积小于所述初始第三起始区在所述衬底表面的投影面积。所形成的光器件能够有效减小回波损耗。
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公开(公告)号：CN115347454A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110524525.5
申请日：2021-05-13
IPC分类号： H01S5/125
摘要： 一种光学器件的结构及光学器件的形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成反射结构，所述反射结构包括多层重叠的第一反射层和位于第一反射层上的第二反射层，所述第一反射层的折射率与第二反射层的折射率不同，所述第一反射层的材料包括无定形材料。所述方法形成的光学器件性能得到提升。
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