公开(公告)号：CN107395176B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201710786881.8

申请日：2017-09-04

Applicant: 云南电网有限责任公司电力科学研究院

Inventor： 许守东 ,  陈勇 ,  李胜男 ,  马红升 ,  周文闻 ,  郭成 ,  张丽 ,  周鑫 ,  李俊鹏 ,  何鑫 ,  赵艳鹏 ,  王少伯 ,  任志军 ,  李治兵

IPC: H03K17/082 ,  H03K17/687

Abstract: 本申请实公开了一种用于MOS管的限流电路及MOS开关装置，该电路主要包括第一PNP型三极管、第二NPN型三极管、静态压降单元和电流采样电阻。其中，第一PNP型三极管的射极连接MOS开关管的驱动信号源输出端、基极连接第二NPN型三极管的集电极、集电极接地；第二NPN型三极管的基极连接静态压降单元的一端、射极接地；静态压降单元另一端与电流采样电阻中连接MOS开关管源极的一端连接，电流采样电阻的另一端接地；MOS开关管的漏极连接负载、栅极连接驱动信号源输出端。当电流采样电阻上产生的压降和静态压降单元的电压之和大于第二NPN型三极管的开启电压时，第二NPN型三极管导通，进而第一PNP型三极管导通，限制MOS开关管的G极驱动电压，以达到限流的目的。

公开(公告)号：CN107565942B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201710970367.X

申请日：2017-10-16

Applicant: 云南电网有限责任公司电力科学研究院

Inventor： 许守东 ,  李胜男 ,  陈勇 ,  马红升 ,  周文闻 ,  张丽 ,  郭成 ,  周鑫 ,  李俊鹏 ,  段瑞敏 ,  韩钰 ,  徐志 ,  赵艳鹏 ,  王少伯 ,  任志军 ,  李治兵

IPC: H03K17/08

Abstract: 本申请公开了一种用于MOSFET的保护电路，包括稳压电路S1、延迟电路S2与补能电路S3，其中稳压电路S1包括稳压二极管D1。稳压二极管D1的负极连接MOSFET Q3的D极，稳压二极管D1的正极分别连接延迟电路S2与补能电路S3；延迟电路S2的另一端连接MOSFET Q2的G极，补能电路S3的另一端连接MOSFET Q3的G极。本申请的保护电路通过减缓MOSFET Q3的开关速度，降低寄生电感L产生的反向感应电压，进而降低了MOSFET Q3承受过电压的风险。

公开(公告)号：CN107395175B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201710787460.7

申请日：2017-09-04

Applicant: 云南电网有限责任公司电力科学研究院

Inventor： 许守东 ,  陈勇 ,  李胜男 ,  马红升 ,  周文闻 ,  郭成 ,  张丽 ,  周鑫 ,  李俊鹏 ,  韩钰 ,  何鑫 ,  赵艳鹏 ,  王少伯 ,  任志军 ,  李治兵

IPC: H03K17/081

Abstract: 本申请公开了一种MOS管过流保护电路，利用MOS管发生过流时其导通电压VDS将产生压降这一特性，判断MOS管是否发生过流，其具体判断过程为，在接通MOS管后，若MOS管的导通电压VDS稳定，则判定MOS管正常运行中；若MOS管的导通电压VDS升高，则判定MOS管发生过流故障。与传统的MOS管过流保护电路相比，本申请的MOS管过流保护电路利用MOS管发生过流时其导通电压VDS将产生压降这一特性，避免了高成本、高功耗电流采样器等装置的使用，大幅降低了保护电路的功耗与成本。