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公开(公告)号:CN108267680A
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201711432950.1
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在关断瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同关断电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同关断电压值;根据测试参数,分别建立至少四个电压关系式,其分别包含四个不同的设定参数,四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值;计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在关断瞬态下其集电极多个不同关断电流值和发射极与集电极之间的多个不同关断电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。
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公开(公告)号:CN108267643A
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201711434609.X
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号: G01R27/26
摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下第一电流参数和第一电压参数、关断瞬态下第二电流参数和第二电压参数;选择第一电流参数和第二电流参数相同的数参数作为目标电流参数;根据目标电流参数和其对应电压参数分别建立待测IGBT器件在开通瞬态和关断瞬态闭合回路的第一电压关系式和第二电压关系式;计算第一电压关系式和第二电压关系式的差值消除电阻参数变量得到闭合回路中的电感参数。本发明通过同时分别采集待测IGBT器件开通瞬态的第一电流参数和第一电压参数和关断瞬态的第二电流参数和第二电压参数,通过计算消除回路中的电阻参数变量,可以准确地提取闭合回路中电感参数。
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公开(公告)号:CN108183090A
公开(公告)日:2018-06-19
申请号:CN201711226416.5
申请日:2017-11-29
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号: H01L23/04 , H01L25/07 , H01L29/739 , H01L21/52
摘要: 一种芯片独立成型的压接式IGBT模块及其制备方法。本发明涉及电气元件制备技术领域,具体涉及大功率压接式IGBT模块封装技术领域。本发明提供的芯片结构,通过对烧结有第一导电平面和第二导电平面的半导体芯片进行绝缘外壳的包裹,能够最大限度的保护半导体芯片,避免环境对芯片的污染和破坏,降低芯片的储存环境要求苛刻度,并将储存、封装过程中有可能对半导体芯片带来损坏的风险降至最低。本发明所提供的芯片结构储存方便,环境宽松,并能够有效提高器件整体可靠性。本发明提供的压接式IGBT模块,接触热阻和接触电阻更低,器件可靠性高,早期失效率低,当其中并联的任一个芯片单元出现问题时,能够轻松进行更替。
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公开(公告)号:CN108170944A
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201711432765.2
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号: G06F17/50
CPC分类号: G06F17/5018 , G06F2217/08 , G06F2217/40 , G06F2217/78
摘要: 本发明实施例提供了一种半导体器件的压力均衡制作参数优化方法及制作方法,该半导体器件的压力均衡制作参数优化方法包括:根据并联多芯片子模组的外轮廓确定半导体器件的电极盖板的形状,根据半导体器件参数建立半导体器件的有限元模型,并对有限元模型进行有限元分析,从而得到有限元分析结果,然后根据半导体器件的电极盖板的形状及有限元分析结果,确定半导体器件的制作参数。根据本发明实施例提供的半导体器件的压力均衡制作参数优化方法得到制作参数,利用该制作参数制作半导体器件,实现了半导体器件的压力均衡,提高了半导体器件的电气特性和可靠性。
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公开(公告)号:CN108231703A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201711307492.9
申请日:2017-12-11
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/522 , H01L21/50
摘要: 本发明提供一种功率器件模组及其制备方法,该功率器件模组包括:功率芯片、第一金属膜及第二金属膜,第一金属膜与第二金属膜分别设置于功率芯片的上表面和下表面,解决了现有压接型功率器件接触热阻和接触电阻较高,从而导致功率器件散热性不佳的问题,减少了功率器件模组早期失效的现象。
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公开(公告)号:CN107845617A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201710846539.2
申请日:2017-09-19
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L25/16 , H01L21/603
CPC分类号: H01L25/165 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L25/162 , H01L2224/2918 , H01L2224/83203
摘要: 本发明公开了一种芯片烧结品、子单元、IGBT封装模块及制备方法。该芯片烧结品包括第一钼片和第二钼片以及设置于两者间的芯片,第一钼片和第二钼片中至少一个为预制钼片,预制钼片为表面设置预制纳米银膜的钼片,且芯片中至少一面与预制纳米银膜相接触,通过采用预制纳米银膜能有效提高后续加压烧结过程中纳米银颗粒的分布均匀性,避免“咖啡环效应”,降低了热阻。同时保证由其烧结得到的烧结层中分布均匀的纳米级孔洞,通过这些纳米级孔洞能有效降低芯片和钼片间产生的应力,提高芯片烧结品的剪切强度。采用该芯片烧结品的单元和IGBT封装模块具有低的热阻、高的剪切强度,由预制纳米银膜烧结得到的烧结层致密性高,且分布纳米级孔洞。
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公开(公告)号:CN109979846A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201711460195.8
申请日:2017-12-28
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号: H01L21/67
摘要: 本发明提供了一种压接式IGBT模块单面烧结一致性的方法,该方法包括:从下至上将钼片、焊片和IGBT芯片组装到烧结卡具中、组装限位销压制压片和用连续真空烧结炉烧结构,制得压接式IGBT模块单面烧结连接结构。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉,能够大规模烧结芯片,极大地缩短了工序时长,效率高,速度快;本发明中提供的烧结方法将待烧结零件与卡具之间的接触关系由面接触转变为点接触,解决了烧结过程中焊料溢出损害卡具以及工件无法取出的问题,改善了烧结过程中焊料的溢出,确保了烧结后工件的高度一致性。
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公开(公告)号:CN108279333A
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201711432967.7
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号: G01R27/26
摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置,其中基于IGBT器件的电感提取方法包括如下步骤:获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值;根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值,计算闭合回路的第一电感值,并根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值,计算闭合回路的第二电感值;计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中的第三电感值。本发明通过同时计算待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下的电感值,然后通过计算二者电感值的平均值降低提取闭合回路电感值的误差。
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公开(公告)号:CN108169158A
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201711230539.6
申请日:2017-11-29
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江西省电力有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号: G01N21/3504 , G01N21/01
CPC分类号: G01N21/3504 , G01N21/01
摘要: 本发明提供了一种基于气体传感器的气体检测系统,包括光发射模块、采集模块、光探测模块、调理模块和控制模块,光发射模块产生红外光,采集模块对红外光进行特征光谱吸收,光探测模块将红外光转换为电信号,调理模块将对电信号进行调理,得到数字信号,控制模块对数字信号进行处理,再将处理结果进行备份和显示,实现气体成分和浓度的检测。本发明不需要专门的光吸收气室、光反射装置以及专门的抽气系统,降低了气体传感器的成本,且提高了气体传感器的集成度和精度;本发明中的气体传感器工作时无需供能,使得气体检测系统本身功耗低,不受电力环境中高压、强磁场的影响,有利于系统长期工作的稳定性。
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公开(公告)号:CN108111451A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201711290082.8
申请日:2017-12-08
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号: H04L27/00
CPC分类号: H04L27/0014 , H04L2027/0026
摘要: 本发明涉及一种频偏估计方法及系统,该方法包括:根据位判决后的待测信号对待测信号进行增益;根据增益后的待测信号获取待测信号的频偏分量;本申请的技术方案根据位判决后的待测信号的不同传输阶段对待测信号进行增益,并通过对增益后的待测信号进行积分消除所述解调模块输出的离散时域信号中±1的码流和高斯白噪声获取待测信号的频偏分量,节省硬件资源和能量,在低成本的前提下提高频偏修正的效率和精确度。
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