一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置

    公开(公告)号:CN108267643B

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201711434609.X

    申请日:2017-12-26

    IPC分类号: G01R27/26

    摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下第一电流参数和第一电压参数、关断瞬态下第二电流参数和第二电压参数;选择第一电流参数和第二电流参数相同的数参数作为目标电流参数;根据目标电流参数和其对应电压参数分别建立待测IGBT器件在开通瞬态和关断瞬态闭合回路的第一电压关系式和第二电压关系式;计算第一电压关系式和第二电压关系式的差值消除电阻参数变量得到闭合回路中的电感参数。本发明通过同时分别采集待测IGBT器件开通瞬态的第一电流参数和第一电压参数和关断瞬态的第二电流参数和第二电压参数,通过计算消除回路中的电阻参数变量,可以准确地提取闭合回路中电感参数。

    一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置

    公开(公告)号:CN108267680A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201711432950.1

    申请日:2017-12-26

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在关断瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同关断电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同关断电压值;根据测试参数,分别建立至少四个电压关系式,其分别包含四个不同的设定参数,四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值;计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在关断瞬态下其集电极多个不同关断电流值和发射极与集电极之间的多个不同关断电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。

    一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置

    公开(公告)号:CN108267643A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201711434609.X

    申请日:2017-12-26

    IPC分类号: G01R27/26

    摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下第一电流参数和第一电压参数、关断瞬态下第二电流参数和第二电压参数;选择第一电流参数和第二电流参数相同的数参数作为目标电流参数;根据目标电流参数和其对应电压参数分别建立待测IGBT器件在开通瞬态和关断瞬态闭合回路的第一电压关系式和第二电压关系式;计算第一电压关系式和第二电压关系式的差值消除电阻参数变量得到闭合回路中的电感参数。本发明通过同时分别采集待测IGBT器件开通瞬态的第一电流参数和第一电压参数和关断瞬态的第二电流参数和第二电压参数,通过计算消除回路中的电阻参数变量,可以准确地提取闭合回路中电感参数。

    一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置

    公开(公告)号:CN108387783A

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201711432966.2

    申请日:2017-12-26

    IPC分类号: G01R27/26

    摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同开通电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同开通电压值;根据测试参数,分别建立至少四个电压关系式,其分别包含四个不同的设定参数,四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值;计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在开通瞬态下其集电极多个不同开通电流值和发射极与集电极之间的多个不同开通电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。

    一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置

    公开(公告)号:CN111368464B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202010340549.0

    申请日:2020-04-26

    IPC分类号: G06F30/20 G06F115/12

    摘要: 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置,所述方法包括:将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置;获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据,所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据;获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据,所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据;将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配,所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片;计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差;随机更换所述多个目标芯片,以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。

    一种IGBT开关特性测试电路及测试方法

    公开(公告)号:CN111579958A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010431615.5

    申请日:2020-05-20

    IPC分类号: G01R31/26 H02H7/22

    摘要: 本发明公开了一种IGBT开关特性测试电路及测试方法,测试电路包括负载电感电路和直流母线电源,所述直流母线电源与所述负载电感电路以及被测IGBT器件串联;第一开关器件,连接在所述直流母线电源的正极与所述负载电感电路的输出端之间,用于切断或者接通直流母线;电阻R1,第一端连接所述第一开关器件的低压端,第二端与负载电感电路的输入端连接,用于在所述被测IGBT器件和/或所述第一开关器件和/或所述负载电感电路失效时,吸收所述直流母线电源的电量。本发明通过增加了第一开关器件和电阻R1,实现器件测试完成后切断直流母线电容能量释放通道,以及吸收直流母线释放的能量,降低器件失效后烧毁程度,防止失效器件爆炸。