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公开(公告)号：CN110071103B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910228889.1
申请日：2019-03-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L21/8232
Abstract: 本发明公开了一种冷备份电路的新型ESD保护结构及制备方法，其中，该结构包括：P型衬底、P型衬底接触、叉指栅、MOS管源区、MOS管漏区、ESD注入层、第一连接接触孔、第二连接接触孔、第三连接接触孔、第四连接接触孔和硅化金属阻挡层。本发明在解决未接电的备份电路功耗过大，性能退化快的问题的同时，解决冷备份电路的高效率ESD保护的问题。
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公开(公告)号：CN106712765B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201611029545.0
申请日：2016-11-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及一种基于CMOS工艺的PECL发送器接口电路。该接口电路主要由两个互补的输出支路构成，每个支路含有一个开关管控制的电流漏和一个常通电流漏，两个支路共用一个偏置电路。所述常通电流漏用于产生输出低电平电流；所述开关电流漏与常通电流漏一起产生输出高电平电流；所述偏置电路用于与开关控制电流漏和常通电流漏形成电流镜结构，提供其所需电流。本发明能够能准确产生符合PECL电平标准的输出高低电平，具有结构简单、实现方便、与主流CMOS工艺兼容等优点。
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公开(公告)号：CN108055031A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711341286.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种自恢复抗单粒子软错误累积的三模冗余结构，通过增加单粒子软错误检测电路和数据选择电路对电路进行优化设计，基于这种结构的设计能够在三模冗余结构中单路信号翻转后自行恢复，能够有效解决三模冗余结构可能由错误累积导致单粒子加固失效的问题。
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公开(公告)号：CN106936426A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201611244530.6
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03L7/07 , H03K19/003
CPC classification number: H03L7/07 , H03K19/0033
Abstract: 本发明公开了一种基于锁相环的三模冗余抗辐射加固时钟生成电路，包括锁相环、投票表决单元和数字滤波单元，锁相环有三个，三个独立的锁相环并联连接；当CK1、CK2、CK3中至少两个电平相同时，经投票表决将至少两个电平相同的信号CK传输给数字滤波单元，数字滤波单元对表决得到的信号CK进行处理，如果存在毛刺，则将毛刺滤除后输出信号；如果不存在毛刺，则直接输出信号。本发明采用的锁相环系统三模冗余结构，三个锁相环中任何一路发生异常，系统的最终输出均不会受到任何影响，对单粒子瞬态具有很强的免疫力，抗单粒子瞬态的能力优于仅对锁相环内部敏感节点加固的方式。
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公开(公告)号：CN106656156A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611008894.4
申请日：2016-11-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明涉及一种减小输出信号下降时间的PECL发送器接口电路，第一MOS管、第二MOS管和已有PECL发送器接口电路；第一MOS管的漏极连接已有PECL发送器接口电路的负输出端和第二MOS管的栅极；第一MOS管的源极连接已有PECL发送器接口电路的偏置电压端；第二MOS管的漏极连接已有PECL发送器接口电路的正输出端和第一MOS管的栅极；第二MOS管的源极连接已有PECL发送器接口电路的偏置电压端。本发明利用交叉耦合对管为输出节点等效负载电容提供了一条额外的放电通路，减小了输出信号的下降时间，能够适用于高频率场合，驱动大电容负载。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114785323B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210345659.5
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/037 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子翻转的掉电数据保持触发器电路，包括：主锁存器电路，用于根据接收到的输入数据信号D和互补时钟信号，输出两路数据信号D_SAVE_1/2；具备掉电贮存功能的从锁存器电路，用于根据接收到的两路数据信号D_SAVE_1/2、互补时钟信号和互补贮存信号，输出两路输出数据信号OUTPUT1/2；输出驱动级缓冲器，用于根据接收到的OUTPUT1或OUTPUT2，生成总输出信号Q；第一反相器，用于输出反相时钟信号CKN；第二反相器，用于输出反相贮存使能信号SAVEN。本发明降低了因单粒子翻转效应造成的电路正常工作和掉电保持状态下存储的数据和状态发生错误的概率，实现掉电数据保持触发器电路在低功耗宇航集成电路中的应用。
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公开(公告)号：CN111487472A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010247272.7
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种测量单粒子瞬态脉冲宽度的电路结构，包括控制电路、衰减单元、延迟单元、驱动Buffer、计数电路。所述的控制电路用于单粒子瞬态脉冲到来后控制此脉冲传输到由此电路和衰减单元、延迟单元、驱动buffer构成的循环结构中。所述的衰减单元用于减小脉冲宽度，延迟单元用于使循环结构的延时宽度大于脉冲宽度。计数电路利用寄存器和加法器实现对脉冲在循环结构中循环的次数的计数，寄存器的时钟信号由脉冲提供不需额外提供，单粒子瞬态脉冲宽度的测量结果是每次循环衰减的量乘以循环的次数。本发明实现的电路结构，可测范围大，测量精度高。
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公开(公告)号：CN106712765A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611029545.0
申请日：2016-11-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K19/018521
Abstract: 本发明涉及一种基于CMOS工艺的PECL发送器接口电路。该接口电路主要由两个互补的输出支路构成，每个支路含有一个开关管控制的电流漏和一个常通电流漏，两个支路共用一个偏置电路。所述常通电流漏用于产生输出低电平电流；所述开关电流漏与常通电流漏一起产生输出高电平电流；所述偏置电路用于与开关控制电流漏和常通电流漏形成电流镜结构，提供其所需电流。本发明能够能准确产生符合PECL电平标准的输出高低电平，具有结构简单、实现方便、与主流CMOS工艺兼容等优点。
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公开(公告)号：CN103888099B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310577100.6
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明涉及一种抗单粒子瞬态冗余滤波器电路，由延迟单元、双输入反相器和冗余单元组成，其中延迟单元采用反相器链或电阻电容等结构，实现对输入信号的延迟；双输入反相器单元可根据输入两路信号的异同性做出相应输出；冗余单元有两种不同的实现方式，第一种为反相器结构，其输入为延迟单元输出；第二种为与主路相同的电路结构，其输入为输入信号以及延迟单元的输出，提供不受主路干扰的冗余信号；本发明冗余滤波器电路可以彻底消除发生于输入信号上的脉冲宽度小于缓冲器内部设定的延迟时间的单粒子瞬态脉冲以及发生于冗余滤波器内部的单粒子脉冲瞬态脉冲，有效的保护例如时钟、复位、数据等关键信号，具有良好的单粒子瞬态免疫功能，以较小的电路开销实现抑制单粒子瞬态脉冲产生和传播。
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公开(公告)号：CN105574270A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510945564.7
申请日：2015-12-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5072
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子加固电路单元布局布线方法，首先按照单粒子敏感节点的分离要求，对抗单粒子加固电路进行原理图模块拆分，对各个底层原理图模块进行版图设计，然后在保证敏感节点之间分离距离满足抗单粒子加固要求的前提下进行布局，单元布局完成之后基于敏感节点分离的布局版图和通过检查的各模块的连线关系进行版图布线，经版图设计规则验证、版图与原理图一致性验证后，完成抗单粒子加固电路单元的布局布线。本发明解决了抗单粒子加固电路在版图实现过程中的困难，提高了抗单粒子加固单元电路版图设计的可靠性和效率。
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