公开(公告)号：CN117012805A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310602819.4

申请日：2023-05-26

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李翠 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  和峰 ,  王耀华 ,  刘江 ,  高凯 ,  聂瑞芬 ,  田宝华 ,  李立 ,  高明超 ,  郝夏敏 ,  孙琬茹

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。

公开(公告)号：CN117393583A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311448397.6

申请日：2023-11-02

申请人： 北京智慧能源研究院

发明人： 高明超 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  王耀华 ,  李立 ,  刘江 ,  和峰 ,  聂瑞芬 ,  李翠 ,  孙琬茹 ,  田宝华 ,  郝夏敏

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/266

摘要： 本发明公开了一种功率器件的终端区结构和制造方法，属于功率器件技术领域。其技术方案为：一种功率器件的终端区结构，包括终端区，终端区包括低浓度JTE区，以及间隔设置在低浓度JTE区内的若干个调制组，若干个调制组对低浓度JTE区的杂质浓度进行调制；调制组包括辅助场环和/或辅助沟槽。本发明的有益效果是：本发明提供的一种功率器件的终端区结构尺寸小且使用可靠性高、耐压稳定性好、制作工艺简单，提供的一种功率器件的终端区结构的制造方法工序简单，方便操作且可操作性好。

公开(公告)号：CN116759400A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310395190.0

申请日：2023-04-13

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网湖北省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 孙琬茹 ,  聂瑞芬 ,  金锐 ,  和峰 ,  刘江 ,  李翠 ,  陈堃 ,  田宝华 ,  郝夏敏

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L21/48

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基板、焊接层、银烧结层以及功率芯片。焊接层设置在基板上，焊接层包括由上至下设置的氰化浸金层、钯镀层以及镍层；银烧结层设置在焊接层上；功率芯片设置在银烧结层上。该半导体器件能够减小器件中各互连金属构件之间的剪切应力，避免芯片脱落及产生裂纹，能够满足现有功率模块高功率密度、稳定可靠的要求。

公开(公告)号：CN117238955A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311375977.7

申请日：2023-10-23

申请人： 北京智慧能源研究院

发明人： 郝夏敏 ,  金锐 ,  和峰 ,  刘江 ,  李翠 ,  田宝华 ,  孙琬茹 ,  聂瑞芬

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L23/31

摘要： 本发明涉及一种带有终端结构的功率半导体器件，其包括具有第一导电类型的衬底层和具有第一导电类型的漂移层；所述漂移层设有第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域位于第二掺杂区域的下方，所述第二掺杂区域位于漂移层表面；所述第二掺杂区域上设有主结，所述第一掺杂区域设有至少一个具有第二导电类型的第一场限环，其通过对场限环位置进行优化，以调节表面电场的横向和纵向扩展，使得在不增加终端结构所占半导体面积的情况下，可大大提高半导体终端的耐压水平，减少表面电荷对器件耐压水平的影响，使半导体器件终端的电场集中效应得到缓解，提升了器件的阻断特性。并有效降低界面电荷对器件阻断特性的影响，有效改善表面电场集中效应。

公开(公告)号：CN116598335A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310270078.4

申请日：2023-03-15

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李翠 ,  金锐 ,  王耀华 ,  和峰 ,  刘江 ,  刘钺杨 ,  吴天逸 ,  聂瑞芬 ,  孙琬茹 ,  田宝华 ,  郝夏敏 ,  李立 ,  高明超

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/861

摘要： 一种高压功率二极管，二极管纵向结构包括半导体本体区、终端钝化保护层以及阳极金属电极层、阴极金属电极层；半导体本体区是外延层区，通过注入形成pn结结构，实现正向导通和反向阻断；半导体本体区包括阳极阱区、重掺杂阳极区、阴极缓冲区、重掺杂阴极区、漂移区、终端掺杂区；终端钝化保护层位于终端掺杂区的上方；阳极金属电极层位于重掺杂阳极区上方，阴极金属电极层位于重掺杂阴极区下方，形成欧姆接触电极，并形成厚金属互联；在横向电阻区形成若干浅掺杂区，通过开孔与阳极金属层在垂直方向上形成电连接。通过优化浅掺杂区与金属之间的接触，以及浅掺杂区掺杂设计，实现对正向浪涌电流的分流，提高FRD浪涌能力，兼顾反向恢复特性。

公开(公告)号：CN220400597U

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202322024049.8

申请日：2023-07-31

申请人： 北京智慧能源研究院

发明人： 刘江 ,  高明超 ,  王耀华 ,  和峰 ,  李立 ,  孙琬茹 ,  李翠 ,  聂瑞芬 ,  金锐 ,  田宝华 ,  郝夏敏

IPC分类号： H01L29/165 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： 一种Si/SiC异质结结构，所述异质结形成二极管的阳极区，P型S i位于N型SiC上方，Si/Si C异质结由上述两层组成；或形成绝缘栅双极晶体管I GBT的背面发射区,P型Si位于N型SiC下方，Si/SiC异质结由上述两层组成。与传统碳化硅结构相比，本专利结构与传统硅制造工艺兼容，降低了工艺难度，提高了工艺质量，降低成本，提升了碳化硅器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN219917174U

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202321297019.8

申请日：2023-05-26

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李翠 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  和峰 ,  王耀华 ,  刘江 ,  高凯 ,  聂瑞芬 ,  田宝华 ,  李立 ,  高明超 ,  郝夏敏 ,  孙琬茹

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。