公开(公告)号：CN116598335A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310270078.4

申请日：2023-03-15

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李翠 ,  金锐 ,  王耀华 ,  和峰 ,  刘江 ,  刘钺杨 ,  吴天逸 ,  聂瑞芬 ,  孙琬茹 ,  田宝华 ,  郝夏敏 ,  李立 ,  高明超

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/861

摘要： 一种高压功率二极管，二极管纵向结构包括半导体本体区、终端钝化保护层以及阳极金属电极层、阴极金属电极层；半导体本体区是外延层区，通过注入形成pn结结构，实现正向导通和反向阻断；半导体本体区包括阳极阱区、重掺杂阳极区、阴极缓冲区、重掺杂阴极区、漂移区、终端掺杂区；终端钝化保护层位于终端掺杂区的上方；阳极金属电极层位于重掺杂阳极区上方，阴极金属电极层位于重掺杂阴极区下方，形成欧姆接触电极，并形成厚金属互联；在横向电阻区形成若干浅掺杂区，通过开孔与阳极金属层在垂直方向上形成电连接。通过优化浅掺杂区与金属之间的接触，以及浅掺杂区掺杂设计，实现对正向浪涌电流的分流，提高FRD浪涌能力，兼顾反向恢复特性。

公开(公告)号：CN117012805A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310602819.4

申请日：2023-05-26

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李翠 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  和峰 ,  王耀华 ,  刘江 ,  高凯 ,  聂瑞芬 ,  田宝华 ,  李立 ,  高明超 ,  郝夏敏 ,  孙琬茹

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。

公开(公告)号：CN117393583A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311448397.6

申请日：2023-11-02

申请人： 北京智慧能源研究院

发明人： 高明超 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  王耀华 ,  李立 ,  刘江 ,  和峰 ,  聂瑞芬 ,  李翠 ,  孙琬茹 ,  田宝华 ,  郝夏敏

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/266

摘要： 本发明公开了一种功率器件的终端区结构和制造方法，属于功率器件技术领域。其技术方案为：一种功率器件的终端区结构，包括终端区，终端区包括低浓度JTE区，以及间隔设置在低浓度JTE区内的若干个调制组，若干个调制组对低浓度JTE区的杂质浓度进行调制；调制组包括辅助场环和/或辅助沟槽。本发明的有益效果是：本发明提供的一种功率器件的终端区结构尺寸小且使用可靠性高、耐压稳定性好、制作工艺简单，提供的一种功率器件的终端区结构的制造方法工序简单，方便操作且可操作性好。

公开(公告)号：CN116110785B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211647982.4

申请日：2022-12-21

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网上海市电力公司电力科学研究院 ,  国网上海市电力公司

发明人： 聂瑞芬 ,  魏晓光 ,  高凯 ,  鲁燕青 ,  曹培 ,  黄兴德 ,  金锐 ,  王耀华 ,  李立 ,  高明超 ,  刘江 ,  李翠 ,  孙琬茹

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739

摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。

公开(公告)号：CN116110785A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211647982.4

申请日：2022-12-21

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网上海市电力公司电力科学研究院 ,  国网上海市电力公司

发明人： 聂瑞芬 ,  魏晓光 ,  高凯 ,  鲁燕青 ,  曹培 ,  黄兴德 ,  金锐 ,  王耀华 ,  李立 ,  高明超 ,  刘江 ,  李翠 ,  孙琬茹

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739

摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。

公开(公告)号：CN219917174U

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202321297019.8

申请日：2023-05-26

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李翠 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  和峰 ,  王耀华 ,  刘江 ,  高凯 ,  聂瑞芬 ,  田宝华 ,  李立 ,  高明超 ,  郝夏敏 ,  孙琬茹

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。

公开(公告)号：CN220400597U

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202322024049.8

申请日：2023-07-31

申请人： 北京智慧能源研究院

发明人： 刘江 ,  高明超 ,  王耀华 ,  和峰 ,  李立 ,  孙琬茹 ,  李翠 ,  聂瑞芬 ,  金锐 ,  田宝华 ,  郝夏敏

IPC分类号： H01L29/165 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： 一种Si/SiC异质结结构，所述异质结形成二极管的阳极区，P型S i位于N型SiC上方，Si/Si C异质结由上述两层组成；或形成绝缘栅双极晶体管I GBT的背面发射区,P型Si位于N型SiC下方，Si/SiC异质结由上述两层组成。与传统碳化硅结构相比，本专利结构与传统硅制造工艺兼容，降低了工艺难度，提高了工艺质量，降低成本，提升了碳化硅器件的性能和可靠性。