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公开(公告)号:CN112710706A
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN202011443736.8
申请日:2020-12-08
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司
IPC分类号: G01N27/22
摘要: 本发明实施例提供一种湿度传感器,属于传感器技术领域。所述湿度传感器包括:第一电极、第二电极、湿度敏感材料层;所述湿度敏感材料层位于第一电极和第二电极之间;所述第二电极为多孔电极,开孔的形状为圆形或三角形。通过本发明提供的技术方案,能够实现对环境湿度的高灵敏度、高精度的检测,同时提高了传感器的可集成度与稳定性能。
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公开(公告)号:CN112710405A
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN202011461453.6
申请日:2020-12-08
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号: G01K7/16
摘要: 本发明实施例提供一种温度传感器,属于传感器技术领域。所述温度传感器包括:具有谐振腔的基板;悬臂梁,该悬臂梁位于所述谐振腔中,一端固定在所述基板上;金属层,位于所述悬臂梁的表面,温度变化时,与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量;惠斯通电桥,包括至少一个U型可变压阻,该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处,用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案,能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
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公开(公告)号:CN112710405B
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202011461453.6
申请日:2020-12-08
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号: G01K7/16
摘要: 本发明实施例提供一种温度传感器,属于传感器技术领域。所述温度传感器包括:具有谐振腔的基板;悬臂梁,该悬臂梁位于所述谐振腔中,一端固定在所述基板上;金属层,位于所述悬臂梁的表面,温度变化时,与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量;惠斯通电桥,包括至少一个U型可变压阻,该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处,用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案,能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
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公开(公告)号:CN112582526B
公开(公告)日:2023-02-07
申请号:CN202011379151.4
申请日:2020-11-30
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号: H10N10/851 , H10N10/01
摘要: 本发明涉及材料领域,公开了制备ZrNiSn块体热电材料的方法和电池。该方法包括:(1)将Zr粉、Ni粉和Sn粉混合,以得到金属混合物;(2)将所述金属混合物装入导电模具中,并对所述导电模具通电,以电流诱发自蔓延反应;(3)进一步对所述导电模具通电,加热所述金属混合物,并加载轴向压力,以得到致密的ZrNiSn块体热电材料。该方法原料来源丰富、价格低廉,并且制备时间超短、工艺简单、能耗低及性能优越,适合规模化生产。
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公开(公告)号:CN113805044B
公开(公告)日:2022-03-08
申请号:CN202111354981.6
申请日:2021-11-16
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: G01R31/28
摘要: 本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片,该方法包括测试芯片的抗ESD能力;添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路,组成新电路,其中,所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感,所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感;对所述新电路进行老化测试,以确定所述芯片的老化特性;根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性,对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。
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公开(公告)号:CN113990942A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202111623306.9
申请日:2021-12-28
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
摘要: 本发明提供一种圆形对称结构的LDMOS器件及其制备方法,包括:衬底、栅介质层和栅电极;衬底上划分有第一区域,第一区域形成有高压阱区;第一区域包括第二区域和第三区域;第二区域形成有体区,第三区域形成有漂移区,漂移区和体区位于高压阱区内;第二区域包括第四区域和第五区域,第四区域经离子注入形成源区;第三区域包括第六区域和第七区域;第七区域经离子注入形成漏区;栅介质层形成在第五区域和第六区域上方;栅介质层包括薄氧区和场氧区;场氧区表面划分有第八区域;栅电极设置在第八区域与薄氧区上。采用中心对称布局,消除工艺梯度误差,提升量产工艺的良率、均匀性和一致性;采用圆形场板结构,提升器件的击穿电压和可靠性。
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公开(公告)号:CN113948411A
公开(公告)日:2022-01-18
申请号:CN202111057876.6
申请日:2021-09-09
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心) , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L21/66 , H01L23/544
摘要: 本发明涉及器件可靠性研究领域,提供一种栅氧化层时变击穿测试方法、可靠性测试方法及测试结构。所述栅氧化层时变击穿测试方法包括:将多个氧化层电容的衬底集成为一个共用的测试极并接地,其中所述多个氧化层电容各自的栅氧化层的面积均不相同;在通过同一恒定电压源向各个氧化层电容的栅极同时施加同一恒定电压的条件下,持续测量各个氧化层电容的栅极电流;将氧化层电容的栅极电流发生跳变的时间作为该氧化层电容的栅氧化层击穿时间,直至获得各个氧化层电容的栅氧化层击穿时间。本发明在持续施加恒定电压的情况下一次测试就可以获得多个氧化层电容的栅氧化层击穿时间,在节省测试设备成本的前提下,极大地提高了测试效率。
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公开(公告)号:CN113866691A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111460490.X
申请日:2021-12-02
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要: 本发明涉及磁传感器领域,提供一种隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述隧穿磁电阻传感器,自下而上依次包括下电极、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、隧穿绝缘层、铁磁自由层及上电极,还包括设置于所述上电极与所述铁磁自由层之间的氧化层;所述氧化层在被施加可控强度的电压的条件下,所述氧化层中的氧离子在电场作用下迁移至所述氧化层与所述铁磁自由层的界面处,改变所述铁磁自由层的磁各向异性,使得所述隧穿磁电阻传感器的隧道结动态范围发生变化。本发明利用可调控的电场驱动氧化层中的氧离子运动,从而改变铁磁自由层的磁各向异性,实现对隧穿磁电阻传感器的动态范围的调控,可满足不同应用环境下的需求。
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公开(公告)号:CN113805044A
公开(公告)日:2021-12-17
申请号:CN202111354981.6
申请日:2021-11-16
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: G01R31/28
摘要: 本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片,该方法包括测试芯片的抗ESD能力;添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路,组成新电路,其中,所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感,所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感;对所述新电路进行老化测试,以确定所述芯片的老化特性;根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性,对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。
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公开(公告)号:CN112510143A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN202011455669.1
申请日:2020-12-10
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要: 本发明提供一种纵向结构柔性热电器件及其制造方法,属于热电应用领域。所述器件包括:上基板,具有基板电极;下基板,具有基板电极;p型热电粒子和n型热电粒子,所述p型热电粒子和所述n型热电粒子交替排布在所述上基板与所述下基板之间并与所述基板电极焊接固定,每一个p型热电粒子首尾各串接一个n型热电粒子;所述上基板沿其基板电极图案呈分割状态,且分割裂痕与其基板电极无交叉。通过上基板的分割线,使得热电器件具有一定的弯曲能力,解决了目前纵向结构热电器不具备柔性可弯曲性能的问题。
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