公开(公告)号：CN112834890B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202011598468.7

申请日：2020-12-29

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  张海峰 ,  付振 ,  赵文龙 ,  庞振江 ,  周芝梅 ,  刘芳 ,  万勇 ,  何燕冬

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。

公开(公告)号：CN112834890A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011598468.7

申请日：2020-12-29

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  张海峰 ,  付振 ,  赵文龙 ,  庞振江 ,  周芝梅 ,  刘芳 ,  万勇 ,  何燕冬

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。

公开(公告)号：CN112289852B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011471670.3

申请日：2020-12-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王立城 ,  庞振江 ,  彭业凌 ,  张宏涛 ,  任晨 ,  张龙涛 ,  马晓华 ,  曹艳荣 ,  赵扬 ,  周芝梅 ,  万勇 ,  陈琳 ,  杜艳

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。

公开(公告)号：CN112289852A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011471670.3

申请日：2020-12-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王立城 ,  庞振江 ,  彭业凌 ,  张宏涛 ,  任晨 ,  张龙涛 ,  马晓华 ,  曹艳荣 ,  赵扬 ,  周芝梅 ,  万勇 ,  陈琳 ,  杜艳

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。

公开(公告)号：CN112510143B

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202011455669.1

申请日：2020-12-10

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  王于波 ,  周芝梅 ,  王帅鹏 ,  郁文 ,  付振 ,  庞振江 ,  董广智 ,  彭业凌

IPC分类号： H01L35/32 ,  H01L35/34

摘要： 本发明提供一种纵向结构柔性热电器件及其制造方法，属于热电应用领域。所述器件包括：上基板，具有基板电极；下基板，具有基板电极；p型热电粒子和n型热电粒子，所述p型热电粒子和所述n型热电粒子交替排布在所述上基板与所述下基板之间并与所述基板电极焊接固定，每一个p型热电粒子首尾各串接一个n型热电粒子；所述上基板沿其基板电极图案呈分割状态，且分割裂痕与其基板电极无交叉。通过上基板的分割线，使得热电器件具有一定的弯曲能力，解决了目前纵向结构热电器不具备柔性可弯曲性能的问题。

公开(公告)号：CN112510143A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011455669.1

申请日：2020-12-10

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  王于波 ,  周芝梅 ,  王帅鹏 ,  郁文 ,  付振 ,  庞振江 ,  董广智 ,  彭业凌

IPC分类号： H01L35/32 ,  H01L35/34

摘要： 本发明提供一种纵向结构柔性热电器件及其制造方法，属于热电应用领域。所述器件包括：上基板，具有基板电极；下基板，具有基板电极；p型热电粒子和n型热电粒子，所述p型热电粒子和所述n型热电粒子交替排布在所述上基板与所述下基板之间并与所述基板电极焊接固定，每一个p型热电粒子首尾各串接一个n型热电粒子；所述上基板沿其基板电极图案呈分割状态，且分割裂痕与其基板电极无交叉。通过上基板的分割线，使得热电器件具有一定的弯曲能力，解决了目前纵向结构热电器不具备柔性可弯曲性能的问题。

公开(公告)号：CN114499467A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111592037.4

申请日：2021-12-23

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  芯创智(北京)微电子有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  庞振江 ,  邵亚利 ,  刘芳 ,  华克路 ,  李晗玲 ,  徐鹏 ,  黄子恒

IPC分类号： H03K3/03 ,  H03K3/014

摘要： 本发明实施例提供一种振荡电路和振荡器，属于集成电路技术领域。所述振荡电路包括：环形振荡单元、稳定频率单元、加速启动单元、输出信号端，所述环形振荡单元，用于产生振荡信号，所述稳定频率单元，用于通过负反馈稳定所述环形振荡器的振荡频率，所述加速启动单元，用于提升所述环形振荡器的起振速度，所述输出信号端，用于输出所述振荡信号。利用高速的加速启动单元提升起振速度，同时利用负反馈技术，得到稳定高精度的振荡频率，解决了传统的电流匮乏模式的三级环形振荡器，起振速度慢和振荡频率不稳定等问题。

公开(公告)号：CN113990865A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111619505.2

申请日：2021-12-28

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  付振 ,  刘芳 ,  庞振江 ,  董广智 ,  赵法强 ,  李嘉睿 ,  王树龙

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，该硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有深阱层，所述深阱层上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第二N+区及第二P+区；所述第一N+区和第二P+区相连，所述第一P+区与所述硅控整流器的阳极相连，所述第二N+区与所述硅控整流器的阴极相连；所述第二P+区最外侧设有场氧结构，所述场氧结构位于所述深阱层的上方。该硅控整流器缩短了通路的距离，提高了防护等级。

公开(公告)号：CN112990911B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202110174512.X

申请日：2021-02-08

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  中国电力科学研究院有限公司 ,  国网河北省电力有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京智芯半导体科技有限公司

发明人： 卢玉华 ,  庞振江 ,  翟峰 ,  袁艳芳 ,  孔令达 ,  薛斌斌 ,  李延 ,  付青琴 ,  李保丰 ,  李飞 ,  王鸿玺

IPC分类号： G06Q20/32 ,  G06Q20/36 ,  G06Q20/38

摘要： 本发明实施例提供一种灰锁交易方法，属于灰锁交易技术领域。所述方法在业务终端中设置安全芯片，所述安全芯片通过执行所述业务终端发送的计算MAC1命令、验证MAC2命令及计算GMAC命令，配合支付卡完成灰锁交易功能，该方法包括以下步骤：安全芯片验证MAC2成功后，安全芯片内存储的终端交易序号加1，且安全芯片保持灰锁空闲状态；安全芯片计算GMAC时，在命令报文数据域中增加支付卡交易数据中的附加数据，且安全芯片内存储的终端交易序号不加1。该方法使得业务终端在对一张支付卡灰锁后，在不必对该支付卡完成解扣结算的情况下，能够接受其他支付卡发起的灰锁交易，即实现了支持多卡并发灰锁交易的功能。

公开(公告)号：CN110011794B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201910288500.2

申请日：2019-04-11

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 王锐 ,  付青琴 ,  刘佳 ,  白雪松 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  庞振江 ,  李延

IPC分类号： H04L9/08 ,  H04L12/26

摘要： 本发明公开了一种密码机密钥属性的测试方法，包括：密码机根据测试设备发送的导入密钥指令，将第一索引、密钥以及第一密钥属性进行导入；导入成功后，测试设备发送下一条导入密钥指令，第一索引为索引初始值+1，第一密钥属性为密钥属性初始值+1；重复上述步骤，直至导入所有待导入的第一索引；密码机根据验证指令中待验证的第二索引对应的密钥以及待验证的运算功能信息进行计算，测试设备根据计算后的第一结果进行验证，判断与第二索引对应的密钥是否具备该运算功能，并在与第二索引对应的第二密钥属性中进行记录。本发明提供的密码机密钥属性的测试方法测试流程简单，便于统计，提高了测试的全面性、测试质量以及灵活性。