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公开(公告)号：CN114491519B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210337125.8
申请日：2022-04-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 华中科技大学
摘要： 本发明实施例提供一种检测信号的电路、方法及芯片，所述电路至少包括：延时单元及输出单元；所述延时单元包括第一链路和第二链路，所述第一链路的延时大于第二链路的延时，所述第一链路用于在待测信号经过时输出状态信号，所述第二链路用于在所述待测信号经过时输出采样脉冲；所述输出单元用于通过所述采样脉冲对所述状态信号进行采样得到采样信号。所述检测信号的电路成本低，无需时钟，能有效的感知外界环境变化，保证采集信号稳定有效。
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公开(公告)号：CN114491519A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210337125.8
申请日：2022-04-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 华中科技大学
摘要： 本发明实施例提供一种检测信号的电路、方法及芯片，所述电路至少包括：延时单元及输出单元；所述延时单元包括第一链路和第二链路，所述第一链路的延时大于第二链路的延时，所述第一链路用于在待测信号经过时输出状态信号，所述第二链路用于在所述待测信号经过时输出采样脉冲；所述输出单元用于通过所述采样脉冲对所述状态信号进行采样得到采样信号。所述检测信号的电路成本低，无需时钟，能有效的感知外界环境变化，保证采集信号稳定有效。
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公开(公告)号：CN103832963B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410017400.3
申请日：2014-01-15
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种微气泡发生器及其制备方法。微气泡发生器包括衬底、两个双层石墨烯电极和碳纳米管；两个双层石墨烯电极位于衬底上，电极间距为1～8μm，碳纳米管连接两个双层石墨烯电极，用作加热组件。制备方法包括如下步骤：在生长有双层石墨烯的金属箔表面旋涂PMMA；去除金属箔，将PMMA保护的双层石墨烯转移至衬底上，热处理使双层石墨烯与衬底紧密结合；除去PMMA；氧等离子体反应刻蚀双层石墨烯，得到两个双层石墨烯电极以及连接两个电极的双层石墨烯纳米带；在真空条件下进行退火处理，使双层石墨烯纳米带边缘闭合形成碳纳米管，完成微气泡发生器的制备。本发明降低了微气泡发生器的功耗，有效延长了微气泡发生器的寿命，且器件结构简单，设计灵活。
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公开(公告)号：CN103769025B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410017876.7
申请日：2014-01-15
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： B01J19/08
摘要： 本发明公开了一种微气泡发生器及其制备方法。微气泡发生器包括衬底、两个电极和碳纳米管；两个电极均包含石墨烯，碳纳米管通过石墨烯连接两个电极，碳纳米管用作加热组件。制备方法包括如下步骤：在生长有石墨烯的金属箔表面旋涂PMMA；除去金属箔，将PMMA保护的石墨烯转移至衬底上，热处理使石墨烯与衬底紧密结合；除去PMMA；通过光刻和反应离子刻蚀得到两个石墨烯电极；在衬底上覆盖Cu2O纳米粒子，用Cu2O纳米粒子作催化剂，碳氢化合物作碳源，采用低压CVD工艺，在800～950℃下，生长与石墨烯电极垂直的水平定向碳纳米管。本发明降低了微气泡发生器的功耗，有效延长了微气泡发生器的寿命，且器件结构简单，设计灵活，具有良好的高频响应和密集集成潜力。
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公开(公告)号：CN102522500B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201110407852.9
申请日：2011-12-09
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明属于微纳电子学技术领域，涉及一种简单易行的相变存储器阵列的制备方法，相变随机存储器阵列的每一层均依次经过清洗、匀胶、烘烤、光刻、镀膜和剥离制备获得。相变随机存储器阵列依次包括下电极层、相变层和上电极层；在下电极层与相变层之间，以及相变层和上电极层之间均可以包括绝缘层。本发明只涉及纳米加工技术和薄膜制备方法，器件结构简单，制备方法容易实施，与CMOS制造工艺兼容性好，并且可以实现大容量存储阵列的制备。
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公开(公告)号：CN103093815A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310009235.2
申请日：2013-01-10
申请人： 华中科技大学 , 武汉新芯集成电路制造有限公司
摘要： 本发明公开了一种多值相变随机存储器的存储单元及其操作方法，利用相变随机存储器自身的寄生效应，写入时通过改变选通元件的总寄生电阻来改变相变存储元件的RESET电压的下降时间，从而使相变存储元件部分结晶而改变相变存储元件的非晶态电阻（RESET电阻），而在读出时，通过小电流的输入感应相变存储元件上电压的大小而读出相变存储元件存储的数值，从而实现一个相变存储元件的多值存储。本发明通过实现一个相变存储元件的多位存储，而不用改变读写电路，因此可以再大规模存储器中能有效提高相变随机存储器的存储密度。
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公开(公告)号：CN101817256A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010160465.5
申请日：2010-04-30
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开一种基于双碳纳米管微气泡发生器的喷印头及其制备方法。喷印头包括碳纳米管微气泡发生器和微流体结构，微流体结构包括主通道、毛细通道、微腔室和喷嘴。碳纳米管微气泡发生器和微流体结构分别制作。采用硅表面加工和体硅加工工艺制作喷印头结构，前者主要包括光刻制作图形，磁控溅射工艺制作掩膜，湿法腐蚀掩膜等；后者主要采用湿法腐蚀和干法刻蚀相结合的方法来制作微流体结构。用紫外固化键合方法将双微气泡发生器和微流体结构接合形成完整的喷印头结构。本发明具有很高的空间分辨率、很高的频率响应和很低的功耗。它消除了次液滴问题，有效提高了喷印图形的质量。并具有良好的高密度集成的潜力，在先进制造领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101436597A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810236807.X
申请日：2008-12-10
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/8247
摘要： 本发明属于铁电存储器技术领域，公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法。铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅层、二氧化钛粘结层、金属铂导电层、铅酸钡下电极层、铁电薄膜层和铅酸钡上电极层构成；其中铅酸钡下电极层厚度为100～200nm；铁电薄膜为掺铌的锆钛酸铅材料，其厚度为200～300nm；铅酸钡上电极层厚度为100～200nm；和传统基于铂电极的铁电薄膜电容相比，本发明铁电薄膜电容器工艺温度更低，矫顽场更小，抗疲劳特性更好。
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公开(公告)号：CN1372334A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN01138333.X
申请日：2001-12-20
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L41/24
摘要： 本发明公开的Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备工艺,采用钛酸丁酯,冰醋酸,硝酸铋,乙酰丙酮配制Bi4Ti3O12溶胶,其配比为:(a)钛酸丁酯与硝酸铋的摩尔比为3.00∶4.20－4.40;(b)冰醋酸、乙酰丙酮和钛酸丁酯的体积百分比分别为10－80%∶10－80%∶10%;选用(100)晶向p型单晶Si基片作为衬底,将溶胶滴到衬底上,再进行匀胶,形成湿薄膜,再进行烘干处理后进行退火处理;重复进行匀胶、烘干处理和退火热处理,直至形成所需厚度的BIT铁电薄膜。本发明方法制备的铁电薄膜可用于存储器制作。该铁电薄膜在结构、铁电与介电等方面具有较好的综合性能。在具体实施方式部分将从几个方面对本发明的技术效果作具体分析。
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公开(公告)号：CN112909092B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110068578.0
申请日：2021-01-19
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种碳纳米管‑石墨烯共价异质结隧穿场效应晶体管，属于隧穿场效应晶体管技术领域，包括：栅区，源区，漏区，沟道区；所述沟道区包括沿源区至漏区方向依次排布的沟道一段、沟道二段和沟道三段；所述沟道一段和沟道三段均为弯曲的zigzag型石墨烯纳米带，所述沟道二段为碳纳米管；所述源区与漏区均为armchair型石墨烯纳米带；所述源区、漏区以及沟道区组成石墨烯‑碳纳米管共价异质结。如此，在隧穿晶体管处于开态时，armchair型石墨烯(源区)中电子能够通过无带隙的zigzag型石墨烯直接输运到碳纳米管(沟道)；此时，碳纳米管沟道与armchair型石墨烯之间不存在隧穿势垒，电子从源区输运到沟道的几率大大增加，隧穿晶体管器件的开态饱和电流增加一个量级。
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