公开(公告)号：CN105183978B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201510557112.1

申请日：2015-09-02

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 陈燕宁 ,  赵东艳 ,  张海峰 ,  付振 ,  李伯海 ,  金文德

IPC分类号： G06F17/50

摘要： 本发明公开了一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置，其中，该方法包括：根据确定的芯片功能划分功能模块，并根据所述功能模块的需求进行网表设计；根据BSIM器件模型对所述网表进行前仿真，当前仿真结果满足所述功能模块的需求时，进行版图绘制；在版图绘制完成后，提取布线后的寄生的电容和电阻，根据BSIM器件模型对提取后的网表进行后仿真；当后仿真结果满足所述功能模块的需求时，根据预先建立的老化BSIM器件模型再次进行仿真；当再次仿真结果满足所述功能模块的需求时，则进行制版流片。本发明的芯片设计阶段可靠性评估方法和装置，与传统的开发流程相比，可以缩小产品的开发周期，减少修改光刻板的次数，进而降低开发成本。

公开(公告)号：CN107170663A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201610121476.X

申请日：2016-03-03

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 李建强 ,  单书珊 ,  陈燕宁 ,  张海峰 ,  唐晓柯 ,  赵东艳 ,  章姝俊

IPC分类号： H01L21/00 ,  G01R31/26

CPC分类号： H01L21/00 ,  G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种从封装体取出芯片的方法，包括：去除封装体的密封盖板，封装体的底部设有封装框架，且封装框架上通过粘片胶设有芯片，密封盖板设置于封装体的上部；向封装体内注入树脂并固化，对封装体进行塑封并形成铸件；对塑封后的铸件的底部进行研磨处理，去除封装体底部的封装框架；在预设温度范围内对研磨后的铸件进行加热处理，挖取出芯片；对挖取出的芯片进行强酸漂洗，预设时间后取出漂洗后的芯片。该方法不必加热到太高温度，就能从封装体中取出芯片；而且酸处理时间较短，不会腐蚀焊盘，可完好地取出芯片，芯片还可进行二次封装。

公开(公告)号：CN108922861A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810456357.9

申请日：2018-05-14

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力有限公司 ,  中国电力科学研究院有限公司

发明人： 赵扬 ,  祝金会 ,  张海峰 ,  孙辰军 ,  陈燕宁 ,  赵明敏 ,  李建强 ,  袁远东

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95

摘要： 本发明公开了一种基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法。该集成电路修补装置包括红外成像定位单元和集成电路修补单元。红外成像定位单元用于对被测的集成电路进行失效点定位。集成电路修补单元用于对所述失效点进行电路修补。所述基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法能够对集成电路无损伤地进行失效点的快速精准定位且能够观察到集成电路的内部结构，提高失效定位成功率以及修补效率。

公开(公告)号：CN108922861B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201810456357.9

申请日：2018-05-14

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力有限公司 ,  中国电力科学研究院有限公司

发明人： 赵扬 ,  祝金会 ,  张海峰 ,  孙辰军 ,  陈燕宁 ,  赵明敏 ,  李建强 ,  袁远东

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95

摘要： 本发明公开了一种基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法。该集成电路修补装置包括红外成像定位单元和集成电路修补单元。红外成像定位单元用于对被测的集成电路进行失效点定位。集成电路修补单元用于对所述失效点进行电路修补。所述基于红外成像定位法的集成电路修补装置及方法能够对集成电路无损伤地进行失效点的快速精准定位且能够观察到集成电路的内部结构，提高失效定位成功率以及修补效率。

公开(公告)号：CN107132472B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201710372213.0

申请日：2017-05-23

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 单书珊 ,  赵扬 ,  王继业 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  张海峰 ,  赵东艳

IPC分类号： G01R31/307 ,  H01L21/311

摘要： 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。

公开(公告)号：CN107808058A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201711089861.1

申请日：2017-11-08

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司

发明人： 付振 ,  陈燕宁 ,  袁远东 ,  张海峰 ,  李书振 ,  李建强 ,  刘芳 ,  马强 ,  裴万里 ,  张虹

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5036

摘要： 本发明公开了一种芯片可靠性设计的方法及装置，其中，该方法包括：获取待测器件的电学参数随时间的变化规律，待测器件为待测芯片中的器件；根据变化规律确定相对应的待测器件负荷的边界条件；建立待测器件的状态侦测模型，实时探测待测器件的工作参数；将工作参数与边界条件进行对比，在工作参数超出边界条件相对应的范围时，生成报警信号。该方法可以在芯片设计阶段介入可靠性设计，通过侦测出可靠性薄弱环节，进而改进电路，提高芯片的使用寿命。

公开(公告)号：CN107132472A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710372213.0

申请日：2017-05-23

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 单书珊 ,  赵扬 ,  王继业 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  张海峰 ,  赵东艳

IPC分类号： G01R31/307 ,  H01L21/311

摘要： 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。

公开(公告)号：CN106934153A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710145290.2

申请日：2017-03-13

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网河北省电力公司

发明人： 李书振 ,  袁远东 ,  陈燕宁 ,  张海峰 ,  赵东艳 ,  靳嘉桢 ,  唐如意 ,  付卫东 ,  莫文昊

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5009 ,  G06F17/5068

摘要： 本发明公开了一种提取器件模型参数的方法及装置，其中，该方法包括：根据待测器件模型的待测参数确定测试输入和与测试输入相对应的测试数据，测试输入包括测试输入和测试电路；根据测试电路确定仿真网表，仿真网表用于记录待测器件各个引脚的连接关系；确定待测参数的临时参数值，并将测试输入作为仿真网表的输入，确定仿真网表输出的仿真数据；在仿真数据与测试数据之间的差值小于预设阈值时，将临时参数值作为待测参数的有效参数值。该方法可以快速准确地确定待测器件模型的参数；该方法避免使用提参软件，不需要支付额外的费用，代价低，同时可以重复确定待测器件模型的参数。

公开(公告)号：CN107564829B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201710734193.7

申请日：2017-08-24

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司

发明人： 蔡斌 ,  李建强 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  乔彦彬 ,  赵扬 ,  刘晓昱

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。

公开(公告)号：CN107564829A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710734193.7

申请日：2017-08-24

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网公司

发明人： 蔡斌 ,  李建强 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  乔彦彬 ,  赵扬 ,  刘晓昱

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。