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公开(公告)号:CN108563590B
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN201810684179.5
申请日:2018-06-28
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
摘要: 本发明提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法。该OTP控制器包括:通信总线模块,处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写;总线协议转换模块,其与所述通信总线模块进行通信,将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议;读写状态控制模块,其与所述总线协议转换模块进行通信,用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态;以及OTP接口,其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信,用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本发明的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写,并能够保护OTP数据不被改写。
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公开(公告)号:CN108563590A
公开(公告)日:2018-09-21
申请号:CN201810684179.5
申请日:2018-06-28
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
摘要: 本发明提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法。该OTP控制器包括:通信总线模块,处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写;总线协议转换模块,其与所述通信总线模块进行通信,将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议;读写状态控制模块,其与所述总线协议转换模块进行通信,用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态;以及OTP接口,其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信,用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本发明的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写,并能够保护OTP数据不被改写。
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公开(公告)号:CN208444289U
公开(公告)日:2019-01-29
申请号:CN201821006152.2
申请日:2018-06-28
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
摘要: 本实用新型提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器。该OTP控制器包括:通信总线模块,处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写;总线协议转换模块,其与所述通信总线模块进行通信,将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议;读写状态控制模块,其与所述总线协议转换模块进行通信,用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态;以及OTP接口,其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信,用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本实用新型的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写,并能够保护OTP数据不被改写。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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