-
公开(公告)号:CN112583795A
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN202011331129.2
申请日:2020-11-24
摘要: 本发明涉及芯片安全技术领域,提供一种安全防护方法及装置,应用于芯片系统,所述芯片系统包括:CPU、多个存储器,以及多个功能模块;所述存储器用于对接收到的数据进行存储;所述CPU用于对接收到的数据和指令进行处理,并根据处理结果对所述功能模块进行控制;所述方法包括:所述CPU、所述多个存储器、所述多个功能模块两两之间在进行数据传输时,均采用密文传输的方式进行。本发明提供的技术方案,能够对芯片系统中的数据安全进行全面、高效地防护。
-
公开(公告)号:CN112583573A
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN202011306960.2
申请日:2020-11-19
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明提供一种SM4防故障攻击方法及装置,属于信息安全技术领域。所述方法包括:将主密钥在两个主密钥寄存器中各存储一次;对两个主密钥寄存器中存储的主密钥进行密钥编排,得到对应的两个轮密钥;将两个轮密钥一一对应存储到两个轮密钥寄存器中;使用不同轮密钥寄存器中的轮密钥对输入的分组数据进行运算,根据运算结果判定是否受到故障攻击。该方法将主密钥在不同的两个主密钥寄存器中各存储一次,并对两个主密钥寄存器中的主密钥分别进行密钥编排,编排得到的轮密钥存储在不同的两个轮密钥寄存器中,确保如果一个存储位置的主密钥或轮密钥受到攻击改变,另外一个存储位置的主密钥或轮密钥与其不同,可以通过两次运算的方式,检测出故障。
-
公开(公告)号:CN112583795B
公开(公告)日:2022-01-18
申请号:CN202011331129.2
申请日:2020-11-24
摘要: 本发明涉及芯片安全技术领域,提供一种安全防护方法及装置,应用于芯片系统,所述芯片系统包括:CPU、多个存储器,以及多个功能模块;所述存储器用于对接收到的数据进行存储;所述CPU用于对接收到的数据和指令进行处理,并根据处理结果对所述功能模块进行控制;所述方法包括:所述CPU、所述多个存储器、所述多个功能模块两两之间在进行数据传输时,均采用密文传输的方式进行。本发明提供的技术方案,能够对芯片系统中的数据安全进行全面、高效地防护。
-
公开(公告)号:CN112583573B
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:CN202011306960.2
申请日:2020-11-19
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明提供一种SM4防故障攻击方法及装置,属于信息安全技术领域。所述方法包括:将主密钥在两个主密钥寄存器中各存储一次;对两个主密钥寄存器中存储的主密钥进行相同的密钥编排,得到对应的两个轮密钥;将两个轮密钥一一对应存储到两个轮密钥寄存器中;使用不同轮密钥寄存器中的轮密钥对输入的分组数据进行运算,根据运算结果判定是否受到故障攻击。该方法将主密钥在不同的两个主密钥寄存器中各存储一次,并对两个主密钥寄存器中的主密钥分别进行密钥编排,编排得到的轮密钥存储在不同的两个轮密钥寄存器中,确保如果一个存储位置的主密钥或轮密钥受到攻击改变,另外一个存储位置的主密钥或轮密钥与其不同,可以通过两次运算的方式,检测出故障。
-
公开(公告)号:CN110263499B
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN201910670946.1
申请日:2019-07-24
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号: G06F30/392 , G06K19/077
摘要: 本发明公开了一种射频标签芯片的版图结构,该版图结构包括:第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区和第8版图区,其中,第1版图区分别与第2‑8版图区电连接;第2版图区分别与第1和6版图区电连接;第3版图区分别与第1和6版图区电连接;第4版图区分别与第1和6版图区电连接;第5版图区分别与第1和6版图区电连接;第6版图区分别与第1‑5版图区以及第7‑8版图区电连接;第7版图区分别与第1和6版图区电连接;以及第8版图区分别与第1和6版图区电连接,并覆盖在第3和4版图区上。本发明的版图结构能够显著提升射频标签芯片的存储容量、灵敏度和可靠性。
-
公开(公告)号:CN108563590B
公开(公告)日:2024-02-23
申请号:CN201810684179.5
申请日:2018-06-28
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
摘要: 本发明提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法。该OTP控制器包括:通信总线模块,处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写;总线协议转换模块,其与所述通信总线模块进行通信,将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议;读写状态控制模块,其与所述总线协议转换模块进行通信,用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态;以及OTP接口,其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信,用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本发明的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写,并能够保护OTP数据不被改写。
-
公开(公告)号:CN112596576B
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202011302615.1
申请日:2020-11-19
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G05F3/26
摘要: 本发明提供一种带隙基准电路,属于集成电路技术领域。所述带隙基准电路包括:电源模块,与电源端相连接,用于输出电流信号;以及误差放大模块,包括运算放大器,与所述电源模块相连接,用于对所述电流信号进行补偿,以使得所述带隙基准电路输出第一参考源电压。通过本发明提供的技术方案,采用由运算放大器构成的误差放大模块对电信号进行补偿,可以得到高精度、低温漂的带隙基准电压,且带隙基准电路的结构简单,可以适用于纯模拟电路领域中。
-
公开(公告)号:CN112462834B
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202011163154.4
申请日:2020-10-27
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G05F1/56
摘要: 本发明提供一种用于快速唤醒芯片的电流偏置电路,属于集成电路技术领域。所述电流偏置电路包括偏置电流产生电路、低精度偏置电流产生电路以及电流输出支路,还包括附加开关电路;所述附加开关电路设置于所述偏置电流产生电路与所述电流输出支路之间,用于在所述电流偏置电路由关断到开启的过程中瞬间拉低所述电流输出支路的工作点的电位,以快速打开所述电流输出支路输出所述偏置电流产生电路产生的偏置电流。本发明通过附加开关电路在电流偏置电路由关断到开启的过程中瞬间拉低电流输出支路的工作点的电位,从而快速打开电流输出支路将偏置电流输出,从而快速启动芯片中的各种关键电路以快速唤醒芯片,解决了芯片唤醒时间长的问题。
-
公开(公告)号:CN114301450A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202111404859.5
申请日:2021-11-24
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网福建省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明涉及控制电路技术领域,其实施方式提供了一种可配置门控单元、可配置跟踪保持电路及相位内插分频器。其中可配置门控单元,包括:N个D触发器、加法器、比较器和鉴相器;所述N个D触发器用于分别响应于N路相位不同的参考时钟,输出被触发的状态;所述加法器用于统计所述N个D触发器中符合预设状态的D触发器的数目,所述预设状态包括高电平状态或低电平状态;所述比较器,用于根据所述加法器统计的数目与预设值之间的大小关系输出对应的电平信号;所述鉴相器,用于根据所述比较器的输出电平信号与反馈信号的相位关系,输出对应的电平信号。本发明提供的实施方式能够根据动态选择延时时间,抑制输出信号中毛刺产生。
-
公开(公告)号:CN114281145A
公开(公告)日:2022-04-05
申请号:CN202111342508.6
申请日:2021-11-12
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G05F1/567
摘要: 本发明公开了一种基准电流源电路、基准电流生成方法及芯片,其中基准电流源电路包括:调整电路、电流产生电路和输出电路,调整电路和输出电路分别与电流产生电路相连,调整电路用于生成调整电压;电流产生电路用于生成正温度系数电流和负温度系数电压,并基于负温度系数电压与调整电压之间的差值生成负温度系数电流,以及根据正温度系数电流和负温度系数电流生成零温度基准电流;输出电路用于输出零温度基准电流。该电路能够有效降低基准功耗且不会增加过多电路面积。
-
-
-
-
-
-
-
-
-