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公开(公告)号：CN115391713A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210838677.7
申请日：2022-07-18
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F17/10
Abstract: 本发明提出一种基于斜入射的卫星电离总剂量解析分析方法，考虑了斜入射带来的屏蔽厚度增厚、总剂量变低效应，显著降低电离总剂量数据。具体包括以下步骤：步骤一、根据卫星运行轨道参数分析卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效屏蔽厚度的关系；步骤二、根据所述卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效铝屏蔽厚度的关系获取所述卫星电离总剂量与垂直入射条件下等效屏蔽铝厚度关系的拟合公式及拟合系数；步骤三、利用所述拟合公式及拟合系数分析考虑斜入射效应的各向同性入射条件下的卫星电离总剂量与等效铝屏蔽厚度的计算公式；步骤四、根据所述计算公式分析卫星内部单机中器件的电离总剂量。
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公开(公告)号：CN112257226A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010982709.1
申请日：2020-09-17
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种不依赖器件工艺参数的重离子单粒子翻转率分析方法，属于空间辐射技术领域。本发明通过获取器件重离子单粒子翻转截面试验数据及拟合结果；建立器件单粒子翻转率分析模型；计算器件所处轨道的重离子LET谱；分析器件在轨单粒子翻转率。本发明的方法仅采用器件重离子单粒子翻转试验数据，就可以构建确定的单粒子翻转率分析模型，并进行单粒子翻转率分析，解决了以往单粒子模型参数依赖器件工艺参数、难以确定、无法形成统一标准的问题。
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公开(公告)号：CN110456401B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201910566830.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明公开了一种同位素热源产生总剂量效应的分析方法，针对目前无法获得同位素电源的γ射线产生的“总剂量～年”谱的问题，通过建立的模型，根据具体封装材料、同位素核燃料质量、距离同位素核燃料中心距离，可以反推实际应用下的γ射线产生的总剂量谱(总剂量～年的关系)，从估算航天器整个任务期的总剂量效应风险；通过模型对同位素电源的估算，避免对同位素放射性燃料的试验监测，简单易行，节省了试验经费和辐射风险，具有一定的经济意义以及工程设计的指导意义；本发明方法除了涉及核衰变的同位素电源，也适用于核裂变的核反应堆电源，能够解决空间核动力航天器中核电源产生总剂量效应的评估，具有一定的普适性。
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公开(公告)号：CN104406998A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410637372.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01N23/20 , G01N23/225
Abstract: 本发明公开了一种确定元器件单粒子效应试验中的重离子LET值的方法,该方法屏蔽层数目不受限制，适应现代器件工艺条件下，金属布线层逐渐增多带来的屏蔽层数目超过8层的问题；可直接得到重离子经过多层屏蔽后在硅材料中的LET值，由于目前主流半导体工艺是基于硅衬底的，单粒子试验中的LET值均指重离子在硅中的LET值，直接输出该结果可避免非粒子物理专业试验人员错误计算LET值，确保了试验参数的正确性。
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公开(公告)号：CN110209547B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201910368564.3
申请日：2019-05-05
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G06F11/26
Abstract: 一种SRAM型FPGA单粒子翻转加固定时刷新频率确定方法及系统，需要对SRAM型FPGA应用的加固措施进行验证与评估，利用故障注入作为验证手段，通过向FPGA的配置区注入翻转，观察FPGA应用的运行状态确定应用的单粒子翻转设计有效性，同时解决了现有技术无法定量评估FPGA应用加固有效性的问题，并能够确定FPGA的刷新频率取值范围，计算简便，方法可靠性高。
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公开(公告)号：CN108877976A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810708522.5
申请日：2018-07-02
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所 , 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 本发明涉及一种适用于长期载人任务的空间高能质子组合辐射防护结构，所涉及的结构为铝蒙皮、水箱、水、含硼聚乙烯结构板、高密度聚乙烯、GD414胶组成，第一层采用载人航天器铝蒙皮结构，第二层为水箱，第三层是吸收前两层产生次级中子和质子的含硼聚乙烯结构板，最后一层为进一步降低次级粒子在人体中产生能量沉积的聚乙烯材料；以质量屏蔽面密度为基础，构建了组合防护结构的分析模型，根据蒙特卡洛对太阳质子事件能谱的抽样分析方法，分析获得了组合辐射防护结构后的人体组织辐射剂量。采用本发明设计的组合辐射防护结构，在相同质量屏蔽面密度下，相比于单一铝防护结构，将太阳质子事件在人体组织中沉积的辐射剂量降低39%左右。
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公开(公告)号：CN104406998B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410637372.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01N23/20 , G01N23/225
Abstract: 本发明公开了一种确定元器件单粒子效应试验中的重离子LET值的方法,该方法屏蔽层数目不受限制，适应现代器件工艺条件下，金属布线层逐渐增多带来的屏蔽层数目超过8层的问题；可直接得到重离子经过多层屏蔽后在硅材料中的LET值，由于目前主流半导体工艺是基于硅衬底的，单粒子试验中的LET值均指重离子在硅中的LET值，直接输出该结果可避免非粒子物理专业试验人员错误计算LET值，确保了试验参数的正确性。
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公开(公告)号：CN104764421A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510146078.9
申请日：2015-03-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01B15/02
CPC classification number: G06F19/00
Abstract: 本发明涉及一种重离子加速器单粒子试验降能片厚度快速确定方法，步骤如下：根据加速器重离子类型和初始能量，确定重离子在硅中的初始射程；根据加速器重离子类型和要求的重离子LET值，确定对应的重离子在硅中的射程；根据重离子初始射程和与要求重离子LET值对应的重离子在硅中的射程，确定当降能片材料为硅时，屏蔽材料的厚度；确定硅材料厚度与降能片厚度的厚度转换系数；将硅材料的厚度转化为降能片的厚度。本发明快速确定降能片的厚度，节省了成本，提高了效率。
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公开(公告)号：CN110007330B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910218758.5
申请日：2019-03-21
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: G01T1/169
Abstract: 一种用于伽马射线暴监测定位的方法及系统，(1)将探测器阵列布局在卫星上，在地面采用理论分析或试验的方法获取探测器阵列理论响应函数；(2)卫星入轨后，当出现伽马射线暴时，获取探测器阵列在伽马射线暴中的测量数据；(3)根据步骤(1)的探测器阵列理论响应函数和探测器阵列在伽马射线暴中的测量数据，反推伽马射线的入射方向，实现伽马射线暴的监测定位，解决了伽马射线暴由于其能量较高，可以穿透绝大部分准直型X射线探测航天器的前端屏蔽和航天器本体结构，因此从各向入射的伽马射线暴均能引起探测器阵列产生响应，从而难以通过准直方法对伽马射线暴入射方向进行测量的问题。
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公开(公告)号：CN110677967A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910883278.0
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于法拉第杯的卫星表面等离子体充电电流监测方法。通过确定卫星表面充电电流的测量对象及范围；设计法拉第杯探头；法拉第杯探头在卫星上的安装；确定卫星表面充电电流真实数据与法拉第杯探头测量数据的关系，实现对空间等离子对卫星表面充电电流的包络和有效反演。本发明的方法能够有效反映卫星表面等离子体充电电流大小，为卫星表面带电状态和带电风险的评估提供依据。
