-
公开(公告)号:CN116847715A
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202311105192.8
申请日:2023-08-30
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要: 本发明涉及磁存储器领域,提供一种基于交换偏置的自旋轨道矩磁存储单元、磁随机存储器。包括重金属层以及设置于重金属层上的磁隧道结,磁隧道结自下而上依次为反铁磁层、自由层、势垒层以及参考层。重金属层的宽度从重金属层的第一端至第二端逐渐增大。重金属层用于在被施加逐步增大的电流时产生不同强度的自旋轨道力矩,利用反铁磁层与自由层之间的交换偏置作用,在不同强度的自旋轨道力矩的作用下使自由层的磁矩从部分翻转逐步至全部翻转,使自由层的磁矩方向与参考层的磁矩方向平行或反平行,以实现多阻态写入。本发明通过使用具有不同宽度的重金属层,并利用交换偏置作用,实现无外场的确定性翻转和稳定的多阻态。
-
公开(公告)号:CN116840590A
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202310628180.7
申请日:2023-05-30
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要: 本发明提供一种电磁环境电力芯片检测装置及系统,属于电磁特征采集领域,包括:室外电磁环境检测单元,设置在室外电磁环境中,用于检测电力设备的电磁环境,生成室外电磁信号;室内电磁环境复现单元,用于根据接收到的室外电磁信号在微波暗室内对室外电磁信号进行模拟;芯片电磁特征检测单元,包括电磁特征检测模块和高速采集卡,电磁特征检测模块用于检测设置在微波暗室内的样品芯片的电磁特征,生成电磁特征信号,高速采集卡与电磁特征检测模块连接,用于对接收到的电磁特征信号进行显示。通过本发明提供的装置,能够在实验室模拟真实环境的电磁场景,对芯片的电磁兼容性进行测试和评估,以确保设备能够在真实的电磁环境下正常工作。
-
公开(公告)号:CN116231314B
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN202310464492.9
申请日:2023-04-27
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
摘要: 本发明提供一种结合二维材料的电磁环境测量天线,属于无线电测量技术领域。所述结合二维材料的电磁环境测量天线,所述电磁环境测量天线包括:介质基板、微带馈线和辐射单元;所述辐射单元包括四个菱形环辐射贴片,四个菱形环辐射贴片呈阵列布置在所述介质基板上表面,每个菱形环辐射贴片与相邻的两个菱形环辐射贴片顶点相连;所述微带馈线设于介质基板上表面,与任意两个菱形环辐射贴片的连接处相连。该天线工作于太赫兹频段,天线的结构简单,该结构能产生双谐振频率,具有双频特性。
-
公开(公告)号:CN113887734B
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202111482824.3
申请日:2021-12-07
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要: 本发明实施例提供一种随机磁隧道结器件及应用方法,属于半导体器件领域。所述随机磁隧道结器件包括:由顶端电极、参考层、隧穿势垒层和自由调控层依次层叠组成的叠层结构;其中,所述自由调控层包括:自由层、底端电极和位于磁隧道结周围任意位置的导线层,所述导线层用于产生调控所述自由层磁化取向的奥斯特场。本发明方案将传统通过势垒层两端电压控制器件翻转概率的方法修改为通过底端电极电压与磁场协同控制翻转概率,在自由层端增设一个奥斯特场,基于该奥斯特场进行自由层磁化取向控制。避免了传统方法中需要自旋转移矩电流需要连续不断的通过磁隧道结的超薄隧穿势垒层,从而造成势垒层寿命降低的问题。
-
公开(公告)号:CN113889163B
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111485264.7
申请日:2021-12-07
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号: G11C11/16
摘要: 本发明实施例提供一种翻转概率可控的随机磁隧道结器件及应用方法,属于半导体器件领域。所述器件包括:基础磁隧道结三明治结构,自上而下包括参考层、隧穿势垒层和自由层;位于所述参考层上方的顶端电极,所述顶端电极具有顶端电极端口;位于所述自由层下方的调控层,用于为所述自由层提供偏置磁场,所述调控层包括重叠布置的交换偏置场层和底端电极;所述底端电极两端分别具有底端第一电极端口和底端第二电极端口;所述顶端电极端口、所述底端第一电极端口和所述底端第二电极端口用于单个或任意组合使用以调控所述随机隧道结器件的翻转概率。本发明方案实现了随机磁隧道结器件翻转概率可控。
-
公开(公告)号:CN113887734A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN202111482824.3
申请日:2021-12-07
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要: 本发明实施例提供一种随机磁隧道结器件及应用方法,属于半导体器件领域。所述随机磁隧道结器件包括:由顶端电极、参考层、隧穿势垒层和自由调控层依次层叠组成的叠层结构;其中,所述自由调控层包括:自由层、底端电极和位于磁隧道结周围任意位置的导线层,所述导线层用于产生调控所述自由层磁化取向的奥斯特场。本发明方案将传统通过势垒层两端电压控制器件翻转概率的方法修改为通过底端电极电压与磁场协同控制翻转概率,在自由层端增设一个奥斯特场,基于该奥斯特场进行自由层磁化取向控制。避免了传统方法中需要自旋转移矩电流需要连续不断的通过磁隧道结的超薄隧穿势垒层,从而造成势垒层寿命降低的问题。
-
公开(公告)号:CN113866691A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111460490.X
申请日:2021-12-02
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要: 本发明涉及磁传感器领域,提供一种隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述隧穿磁电阻传感器,自下而上依次包括下电极、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、隧穿绝缘层、铁磁自由层及上电极,还包括设置于所述上电极与所述铁磁自由层之间的氧化层;所述氧化层在被施加可控强度的电压的条件下,所述氧化层中的氧离子在电场作用下迁移至所述氧化层与所述铁磁自由层的界面处,改变所述铁磁自由层的磁各向异性,使得所述隧穿磁电阻传感器的隧道结动态范围发生变化。本发明利用可调控的电场驱动氧化层中的氧离子运动,从而改变铁磁自由层的磁各向异性,实现对隧穿磁电阻传感器的动态范围的调控,可满足不同应用环境下的需求。
-
公开(公告)号:CN117313625A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202311605343.6
申请日:2023-11-29
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号: G06F30/367 , G01R31/26 , G01N33/2022 , G06F119/04
摘要: 本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备,属于半导体器件技术领域。方法包括:基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线;基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命;对正常环境的MOS器件进行可靠性仿真,基于仿真结果获取第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线;基于第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与试验寿命,确定目标栅氧界面缺陷浓度;对电磁干扰环境的MOS器件进行可靠性仿真,基于仿真结果获取第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线;基于第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与目标栅氧界面缺陷浓度,确定电磁干扰环境下MOS器件的预测寿命。本发明解决电磁干扰下MOS器件寿命难评估的缺陷。
-
公开(公告)号:CN113866690B
公开(公告)日:2022-10-11
申请号:CN202111453598.6
申请日:2021-12-01
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要: 本发明涉及磁传感器领域,提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器,包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结;所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下,感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应,利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下,感应不同方向的磁矩矢量,相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器,灵敏度更高,易于集成。
-
公开(公告)号:CN114221138B
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202210165206.4
申请日:2022-02-23
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC分类号: H01Q15/00
摘要: 本发明实施例提供一种人工电磁超表面,用于生成贝塞尔涡旋波束,属于微波段电磁波调控技术领域。所述人工电磁超表面由多个均匀布置的柱状介质基础单元构成;其中,各介质基础单元的尺寸信息由预设工作场景信息决定;各介质基础单元的工作面为凹面结构,且所述凹面存在一个十字形空气柱,所述凹面和所述十字形空气柱共同构成电磁抗反射结构;所述十字形空气柱的尺寸根据对应的介质基础单元的尺寸信息自适应调整确定。本发明方案利用了人工电磁表面的相位突变特性,使通过本发明设计的全介质透射型人工电磁超表面的球面电磁波可以转化为携带轨道角动量的贝塞尔电磁波,具有极化适应性强、透射效率高、设计简单、成本低廉、易于加工等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-