公开(公告)号：CN113945773A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110283041.6

申请日：2021-03-16

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司

发明人： 鹿祥宾 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  钟明琛 ,  王立城 ,  宋彦斌 ,  付振 ,  赵扬 ,  单书珊 ,  刘波

IPC分类号： G01R29/12

摘要： 本发明实施例提供一种用于静电测试的监测装置及静电测试系统，属于CDM测试技术领域。所述监测装置包括：采集模块，与用于静电测试的静电泄放弹性针连接，用于在对所述静电泄放弹性针进行测试位置调试的过程中，采集所述静电泄放弹性针与被测试物体的接触压力，并生成对应的压力信号；控制模块，与所述采集模块连接，用于接收所述压力信号，并根据所述压力信号确定所述静电泄放弹性针与所述被测试物体的接触状态，以及生成对应于不同接触状态的不同控制指令；以及告警模块，与所述控制模块连接，用于响应于不同的所述控制指令而进行告警提示。通过该技术方案可以精确定位静电泄放弹性针的测试位置，提高测试的效率性和准确性。

公开(公告)号：CN113782528A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111330860.8

申请日：2021-11-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  成睿琦 ,  赵扬 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  王立城 ,  付振 ,  王树龙 ,  罗宗兰

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L23/552 ,  H01L21/8238

摘要： 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：基体；第一掺杂区，形成于所述基体，所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区；第二掺杂区，形成于所述基体，所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离，所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反；互连层，具有导电性，与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。

公开(公告)号：CN113782528B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111330860.8

申请日：2021-11-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵东艳 ,  成睿琦 ,  赵扬 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  王立城 ,  付振 ,  王树龙 ,  罗宗兰

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L23/552 ,  H01L21/8238

摘要： 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：基体；第一掺杂区，形成于所述基体，所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区；第二掺杂区，形成于所述基体，所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离，所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反；互连层，具有导电性，与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。

公开(公告)号：CN114896929A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210405357.2

申请日：2022-04-18

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  成睿琦 ,  赵扬 ,  付振 ,  刘芳

IPC分类号： G06F30/36

摘要： 本发明实施例提供一种有界波电磁脉冲模拟器设计方法及系统，属于电磁技术领域。所述有界波电磁脉冲模拟器沿x轴向包括脉冲源、前过渡段、平行板段、后过渡段和终端负载，所述方法包括：获取终端负载的阻抗匹配值；基于所述阻抗匹配值和预设特征阻抗图谱，获得有界波电磁脉冲模拟器的结构参数；基于所述结构参数进行有界波电磁脉冲模拟器的模拟构建，对应输出模拟构建方案。本发明方案实现了基于用户需求进行有界波电磁脉冲模拟器结构参数准确推理的想法，实现了隔离开关操作场景下电磁环境的精准复现。

公开(公告)号：CN114200244A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202210146277.X

申请日：2022-02-17

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  仝傲宇 ,  陈燕宁 ,  赵扬 ,  成睿琦 ,  王立城

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/28

摘要： 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统，属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室，以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统，所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数，所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数，并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验，所述故障模拟系统，配合所述环境模拟系统，用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用，模拟户外电网真实运行环境。

公开(公告)号：CN114200244B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210146277.X

申请日：2022-02-17

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  仝傲宇 ,  陈燕宁 ,  赵扬 ,  成睿琦 ,  王立城

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/28

摘要： 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统，属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室，以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统，所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数，所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数，并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验，所述故障模拟系统，配合所述环境模拟系统，用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用，模拟户外电网真实运行环境。

公开(公告)号：CN112289852B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011471670.3

申请日：2020-12-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王立城 ,  庞振江 ,  彭业凌 ,  张宏涛 ,  任晨 ,  张龙涛 ,  马晓华 ,  曹艳荣 ,  赵扬 ,  周芝梅 ,  万勇 ,  陈琳 ,  杜艳

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。

公开(公告)号：CN112289852A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011471670.3

申请日：2020-12-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王立城 ,  庞振江 ,  彭业凌 ,  张宏涛 ,  任晨 ,  张龙涛 ,  马晓华 ,  曹艳荣 ,  赵扬 ,  周芝梅 ,  万勇 ,  陈琳 ,  杜艳

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法，所述SOI器件结构包括：衬底；形成于所述衬底上的埋氧层；以及形成于所述埋氧层上的有源区；所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区，所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道；所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构；所述源区和漏区上方为源极和漏极；所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖；所述埋氧层由表面向下形成有沟槽，所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。

公开(公告)号：CN114062740A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111189327.4

申请日：2021-10-12

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 张肖 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  钟明琛 ,  宋彦斌 ,  单书珊 ,  赵扬 ,  鹿祥宾

IPC分类号： G01R1/18

摘要： 本发明实施例提供一种用于多信号单线进入暗室的滤波装置，属于滤波技术领域。所述装置包括：金属外壳；暗室屏蔽体；所述金属外壳与所述暗室屏蔽体围合构成具有密封腔的箱体结构，所述密封腔内封装有金属沙；所述暗室屏蔽体用于接入包覆有金属屏蔽层的单芯导线并容许剥离金属屏蔽层的所述单芯导线穿过所述密封腔后进入暗室，所述单芯导线的金属屏蔽层断面与所述暗室屏蔽体接触，以通过所述暗室屏蔽体、所述金属外壳及所述金属沙构成的导电平面消耗干扰信号。本发明方案既保证了单芯导线上的各种有用信号顺利进入电波暗室，又防止了其它干扰信号进入电波暗室，满足了同一线路上多种信号进入暗室的相关要求。

公开(公告)号：CN113868965A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111451892.3

申请日：2021-12-01

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  赵扬 ,  任强 ,  杜剑 ,  张鹏 ,  王立城 ,  赵法强 ,  成睿琦 ,  张儒靖 ,  周远国

IPC分类号： G06F30/27 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

摘要： 本发明实施例提供一种黑磷吸波体设计方法及系统，属于光学器件逆设计技术领域。所述方法包括：根据预设的模拟场景和预设的黑磷吸波体的结构参数，在预构建的专用残差神经网络中获得目标吸收光谱训练样本；利用所述训练样本获得预测模型；获取需求吸收光谱，利用所述预测模型对所述需求吸收光谱进行训练，输出目标结构参数；基于所述目标结构参数进行黑磷吸波体设计。本发明方案在预构建的专用残差神经网络中进行预测模型构建，然后基于该预测模型进行符合用户需求的黑磷吸波体结构参数预测，极大提高了黑磷吸波体结构参数预测的准确性。