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公开(公告)号:CN113782528A
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202111330860.8
申请日:2021-11-11
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/8238
摘要: 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法,属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括:基体;第一掺杂区,形成于所述基体,所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区;第二掺杂区,形成于所述基体,所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离,所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反;互连层,具有导电性,与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号:CN113782528B
公开(公告)日:2022-02-08
申请号:CN202111330860.8
申请日:2021-11-11
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/8238
摘要: 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法,属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括:基体;第一掺杂区,形成于所述基体,所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区;第二掺杂区,形成于所述基体,所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离,所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反;互连层,具有导电性,与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号:CN114200244B
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202210146277.X
申请日:2022-02-17
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
摘要: 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统,属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室,以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统,所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数,所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数,并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验,所述故障模拟系统,配合所述环境模拟系统,用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用,模拟户外电网真实运行环境。
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公开(公告)号:CN114720739B
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN202210561153.8
申请日:2022-05-23
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
摘要: 本发明涉及电磁技术领域,公开一种传输线尺寸的确定方法、系统与脉冲电场发生器,所述方法包括:根据测量的脉冲电场波形的特征参数值及待测设备的尺寸,确定具有特定结构的传输线的尺寸;根据传输线的尺寸及脉冲电场波形的特征参数值,确定脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗;根据脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗,建立脉冲电场发生器的等效电路模型;及根据等效电路模型的输出结果与脉冲电场波形,优化传输线的尺寸。本发明可根据变电站的隔离开关等一次设备操作所产生的脉冲电场波形设计具有特定结构的传输线的尺寸,由所设计的传输线构成的脉冲电场发生器可灵活再现脉冲电场波形,并且该再现系统具有占地面积可控、成本低等优势。
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公开(公告)号:CN114200244A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202210146277.X
申请日:2022-02-17
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
摘要: 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统,属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室,以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统,所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数,所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数,并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验,所述故障模拟系统,配合所述环境模拟系统,用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用,模拟户外电网真实运行环境。
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公开(公告)号:CN114896929A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202210405357.2
申请日:2022-04-18
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC分类号: G06F30/36
摘要: 本发明实施例提供一种有界波电磁脉冲模拟器设计方法及系统,属于电磁技术领域。所述有界波电磁脉冲模拟器沿x轴向包括脉冲源、前过渡段、平行板段、后过渡段和终端负载,所述方法包括:获取终端负载的阻抗匹配值;基于所述阻抗匹配值和预设特征阻抗图谱,获得有界波电磁脉冲模拟器的结构参数;基于所述结构参数进行有界波电磁脉冲模拟器的模拟构建,对应输出模拟构建方案。本发明方案实现了基于用户需求进行有界波电磁脉冲模拟器结构参数准确推理的想法,实现了隔离开关操作场景下电磁环境的精准复现。
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公开(公告)号:CN114720739A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202210561153.8
申请日:2022-05-23
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
摘要: 本发明涉及电磁技术领域,公开一种传输线尺寸的确定方法、系统与脉冲电场发生器,所述方法包括:根据测量的脉冲电场波形的特征参数值及待测设备的尺寸,确定具有特定结构的传输线的尺寸;根据传输线的尺寸及脉冲电场波形的特征参数值,确定脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗;根据脉冲电场发生器的电容、电感与终端阻抗,建立脉冲电场发生器的等效电路模型;及根据等效电路模型的输出结果与脉冲电场波形,优化传输线的尺寸。本发明可根据变电站的隔离开关等一次设备操作所产生的脉冲电场波形设计具有特定结构的传输线的尺寸,由所设计的传输线构成的脉冲电场发生器可灵活再现脉冲电场波形,并且该再现系统具有占地面积可控、成本低等优势。
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公开(公告)号:CN113868965B
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN202111451892.3
申请日:2021-12-01
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要: 本发明实施例提供一种黑磷吸波体设计方法及系统,属于光学器件逆设计技术领域。所述方法包括:根据预设的模拟场景和预设的黑磷吸波体的结构参数,在预构建的专用残差神经网络中获得目标吸收光谱训练样本;利用所述训练样本获得预测模型;获取需求吸收光谱,利用所述预测模型对所述需求吸收光谱进行训练,输出目标结构参数;基于所述目标结构参数进行黑磷吸波体设计。本发明方案在预构建的专用残差神经网络中进行预测模型构建,然后基于该预测模型进行符合用户需求的黑磷吸波体结构参数预测,极大提高了黑磷吸波体结构参数预测的准确性。
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公开(公告)号:CN113868965A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111451892.3
申请日:2021-12-01
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
摘要: 本发明实施例提供一种黑磷吸波体设计方法及系统,属于光学器件逆设计技术领域。所述方法包括:根据预设的模拟场景和预设的黑磷吸波体的结构参数,在预构建的专用残差神经网络中获得目标吸收光谱训练样本;利用所述训练样本获得预测模型;获取需求吸收光谱,利用所述预测模型对所述需求吸收光谱进行训练,输出目标结构参数;基于所述目标结构参数进行黑磷吸波体设计。本发明方案在预构建的专用残差神经网络中进行预测模型构建,然后基于该预测模型进行符合用户需求的黑磷吸波体结构参数预测,极大提高了黑磷吸波体结构参数预测的准确性。
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公开(公告)号:CN116930670B
公开(公告)日:2023-12-05
申请号:CN202311205204.4
申请日:2023-09-19
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G01R31/00
摘要: 本申请提供一种芯片级电磁干扰传导注入测试方法及装置,属于芯片电磁抗扰度测试技术领域。所述芯片级电磁干扰传导注入测试方法包括:构建测试装置;根据当前被测芯片标定测试装置不同参数对应的注入能量及波形特征;将当前被测芯片连接到测试装置上;采用测试装置注入电磁干扰到当前被测芯片;记录当前被测芯片的不同注入能量及波形特征以及对应的芯片状态。通过上述技术手段,在对被测芯片进行测试前标定被测芯片在测试装置采用不同参数时注入的能量及波形特征,然后将被测芯片连接到测试装置上进行测试,最后记录被测芯片状态及对应的注入能量及波形特征,为研究干扰注入能量及波形特征对芯片失效的影响提供数据基础,该方法适用范围广。
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