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公开(公告)号:CN113782528A
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202111330860.8
申请日:2021-11-11
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/8238
摘要: 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法,属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括:基体;第一掺杂区,形成于所述基体,所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区;第二掺杂区,形成于所述基体,所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离,所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反;互连层,具有导电性,与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号:CN113782528B
公开(公告)日:2022-02-08
申请号:CN202111330860.8
申请日:2021-11-11
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/8238
摘要: 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法,属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括:基体;第一掺杂区,形成于所述基体,所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区;第二掺杂区,形成于所述基体,所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离,所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反;互连层,具有导电性,与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号:CN113945773A
公开(公告)日:2022-01-18
申请号:CN202110283041.6
申请日:2021-03-16
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC分类号: G01R29/12
摘要: 本发明实施例提供一种用于静电测试的监测装置及静电测试系统,属于CDM测试技术领域。所述监测装置包括:采集模块,与用于静电测试的静电泄放弹性针连接,用于在对所述静电泄放弹性针进行测试位置调试的过程中,采集所述静电泄放弹性针与被测试物体的接触压力,并生成对应的压力信号;控制模块,与所述采集模块连接,用于接收所述压力信号,并根据所述压力信号确定所述静电泄放弹性针与所述被测试物体的接触状态,以及生成对应于不同接触状态的不同控制指令;以及告警模块,与所述控制模块连接,用于响应于不同的所述控制指令而进行告警提示。通过该技术方案可以精确定位静电泄放弹性针的测试位置,提高测试的效率性和准确性。
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公开(公告)号:CN112289852B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202011471670.3
申请日:2020-12-15
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
发明人: 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
IPC分类号: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要: 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法,所述SOI器件结构包括:衬底;形成于所述衬底上的埋氧层;以及形成于所述埋氧层上的有源区;所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区,所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道;所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构;所述源区和漏区上方为源极和漏极;所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖;所述埋氧层由表面向下形成有沟槽,所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
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公开(公告)号:CN112289852A
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN202011471670.3
申请日:2020-12-15
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司营销服务中心(计量中心)
发明人: 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 付振 , 刘芳 , 王立城 , 庞振江 , 彭业凌 , 张宏涛 , 任晨 , 张龙涛 , 马晓华 , 曹艳荣 , 赵扬 , 周芝梅 , 万勇 , 陈琳 , 杜艳
IPC分类号: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要: 本发明提供一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构和一种降低埋氧层泄漏电流的SOI器件结构的制作方法,所述SOI器件结构包括:衬底;形成于所述衬底上的埋氧层;以及形成于所述埋氧层上的有源区;所述有源区划分有栅区以及位于所述栅区两端的源区和漏区,所述栅区下方即所述源区和漏区之间形成有沟道;所述栅区为由二氧化硅层、高K介质层和多晶硅由下而上层叠形成的多晶硅栅极结构;所述源区和漏区上方为源极和漏极;所述栅区与所述源极和漏极之间的器件表面被SiN钝化层覆盖;所述埋氧层由表面向下形成有沟槽,所述沟槽的深度大于源电场及漏电场所能扩展的纵向距离。本发明在减小SOI器件结构的泄漏电流的同时提高了SOI器件结构的散热性能。
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公开(公告)号:CN114896929A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202210405357.2
申请日:2022-04-18
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC分类号: G06F30/36
摘要: 本发明实施例提供一种有界波电磁脉冲模拟器设计方法及系统,属于电磁技术领域。所述有界波电磁脉冲模拟器沿x轴向包括脉冲源、前过渡段、平行板段、后过渡段和终端负载,所述方法包括:获取终端负载的阻抗匹配值;基于所述阻抗匹配值和预设特征阻抗图谱,获得有界波电磁脉冲模拟器的结构参数;基于所述结构参数进行有界波电磁脉冲模拟器的模拟构建,对应输出模拟构建方案。本发明方案实现了基于用户需求进行有界波电磁脉冲模拟器结构参数准确推理的想法,实现了隔离开关操作场景下电磁环境的精准复现。
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公开(公告)号:CN114200244B
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202210146277.X
申请日:2022-02-17
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
摘要: 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统,属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室,以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统,所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数,所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数,并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验,所述故障模拟系统,配合所述环境模拟系统,用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用,模拟户外电网真实运行环境。
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公开(公告)号:CN114200244A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202210146277.X
申请日:2022-02-17
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
摘要: 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统,属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室,以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统,所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数,所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数,并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验,所述故障模拟系统,配合所述环境模拟系统,用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用,模拟户外电网真实运行环境。
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公开(公告)号:CN113889537B
公开(公告)日:2022-03-04
申请号:CN202111482363.X
申请日:2021-12-07
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
摘要: 本发明涉及半导体技术领域,提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极,还包括:浅槽隔离结构,所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部,所述第二隔离部与所述第一隔离部契合;所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部,通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内,减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动,减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。
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公开(公告)号:CN113990865A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202111619505.2
申请日:2021-12-28
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号: H01L27/02
摘要: 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路,该硅控整流器包括:衬底,所述衬底上方设有深阱层,所述深阱层上方设有N阱区和P阱区;所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第二N+区及第二P+区;所述第一N+区和第二P+区相连,所述第一P+区与所述硅控整流器的阳极相连,所述第二N+区与所述硅控整流器的阴极相连;所述第二P+区最外侧设有场氧结构,所述场氧结构位于所述深阱层的上方。该硅控整流器缩短了通路的距离,提高了防护等级。
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