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公开(公告)号：CN115421230B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202211216915.7
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B3/00 , G02B7/02 , H01L31/0232
Abstract: 本发明涉及一种具有支撑结构的集成微透镜及其制备方法，方法包括准备衬底、大孔径光刻版和微透镜直径的光刻版，在衬底上生长掩膜；在掩膜表面匀胶，用大孔径光刻版进行曝光，对衬底进行显影；对显影后的衬底进行掩膜开孔处理，进行高温ICP刻蚀；对高温ICP刻蚀后的衬底进行第二次匀胶，用微透镜直径的光刻版对第二次匀胶的衬底进行第二次曝光，对衬底进行第二次显影；对第二次显影后的衬底进行光刻胶热熔，形成微透镜形貌的胶型；对热熔后的衬底进行低温ICP刻蚀，将光刻胶的微透镜形貌复制到衬底上。本发明实现了受周围支撑的集成微透镜结构，制备过程周围支撑结构无需采取特殊防护处理，提高光探测器的光敏面积，有利于集成和封装。
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公开(公告)号：CN114447138A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111539713.1
申请日：2021-12-15
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光探测器，包括衬底以及在所述衬底的顶面沿中心轴向设置的多个外延层，多个所述外延层包括吸收层，并基于对所述吸收层设置径向掺杂模式，生成目标电场。本发明提供的单行载流子光探测器，基于对吸收层设置径向掺杂模式，获得径向部分耗尽的吸收层结构，将器件内部电场改善为目标电场。能够提升载流子的运输速率，可以在不牺牲器件响应度的前提下，有效提升器件的3dB带宽，从而提高器件响应能力。
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公开(公告)号：CN112531068A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011410152.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232
Abstract: 本发明涉及一种集成微透镜结构的雪崩光电二极管，包括：集成微透镜结构的衬底层和多台面的雪崩光电二极管；所述衬底层的第一表面刻蚀为微透镜结构，所述衬底层的第二表面刻蚀有P型接触层，所述P型接触层表面设有P型电极；所述多台面的雪崩光电二极管位于所述衬底层上方，从下至上依次分布吸收层、P型场控制层、倍增层、N型场控制层、边缘场缓冲层、N型接触层和N型电极。该雪崩光电二极管具有光利用率高，带宽高，灵敏度高、传输距离长的优点。
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公开(公告)号：CN109873296A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910234625.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜，并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数，第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜，可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率，同时可以减少相应的材料应力和串联电阻，在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。
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公开(公告)号：CN105589130A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410641817.7
申请日：2014-11-13
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种功分器、波分器和偏振分束器及其设计方法，该方法包括：获取二维光栅块的周期和占空比；通过调整所述二维光栅块的周期和占空比，对入射波进行不同形式的分配。该方法通过光波偏转原理、一维条形光栅汇聚原理及二维阵列光栅块汇聚原理，实现了对入射波的功率进行任意比分配、对不同波长的入射波按照波长的不同进行空间上的分离、或，对TE和TM混合入射波进行空间上偏振态的分离，该方法计算简单，实现方便，成本较低。
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公开(公告)号：CN104016294A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201310066230.3
申请日：2013-03-01
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1mm。这种管状结构在硅基光子学、微电机系统、传感等领域都有极大的应用价值。本发明集成了“由下至上”的异变外延生长和“由上而下”的光刻腐蚀技术。通过侧向腐蚀III-V族牺牲层，使III-V族应变双层薄膜从Si上释放并卷曲成管。该方法与III-V族光电子与微电子器件工艺兼容，具有制管工艺简单、管形貌好、管尺寸可控等优点，易在Si上形成大面积、规则一致的III-V族纳米管或微米管阵列。
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公开(公告)号：CN103489936A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210195543.4
申请日：2012-06-13
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/02325
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种并联多微环光波导探测器。所述探测器包括：滤波腔、由跑道型波导以及探测器芯片组成的探测腔，所述滤波腔由多个等间距设置的微环谐振器并联组成，所述跑道型波导将通过所述滤波腔的下路光信号传输给所述探测器芯片。本发明提出的并联多微环光波导探测器，通过简单的结构设计可以获得光探测器的平顶陡边的响应曲线、具有较宽的自由光谱区域，从而降低了在波分复用系统中光发射端激光器波长的准确性和稳定性要求。本发明同时具有一般光波导探测器易于大规模集成、高响应速度、高量子效率等优点。
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公开(公告)号：CN119092583A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410968392.4
申请日：2024-07-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光电探测器芯片，涉及半导体光电器件技术领域，该单行载流子光电探测器芯片包括：自上而下依次排列的P型电极接触层、P型电子阻挡层、光吸收层、N型崖层、P型电场调控层、非特意掺杂收集层和N型电极接触层；其中，P型电场调控层的掺杂浓度和厚度被配置为使得非特意掺杂收集层的电场平坦且维持在发生峰值速度对应的电场附近；非特意掺杂收集层的厚度被配置为使得结电容降低。本发明可以同时提高单行载流子光电探测器芯片的高速响应特性和高饱和输出性能。
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公开(公告)号：CN118016748A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410030541.2
申请日：2024-01-09
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/0232
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光探测器，包括：依次设置于半导体材料衬底上方的第一电极接触层、电子收集层和崖层、设置于崖层上方的吸收层、设置于吸收层上方的电子扩散阻挡层、设置于电子扩散阻挡层上方的第二电极接触层、设置于第二电极接触层上方的光学散射结构和设置于光学散射结构上方的光学薄膜层；光学薄膜层构成波导结构的上包层，电子收集层构成波导结构的下包层，光学散射结构用于使得入射光从垂直入射方向进行散射，并将部分散射光耦合进单行载流子光探测器构成的波导结构中进行横向传播，以增加了入射光在吸收层的传播距离。本发明提供的单行载流子光探测器，能够有效提高单行载流子光探测器的响应度。
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公开(公告)号：CN113257942B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202110449838.9
申请日：2021-04-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于双吸收层结构的光探测器及其制备方法，所述光探测器包括：由下至上依次形成的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、刻蚀停止层、N接触层、收集层、第一带隙渐变的间隔层、第二带隙渐变的间隔层、双吸收层、第一组分与浓度渐变的电子阻挡层、第二组分与浓度渐变的电子阻挡层、P接触层、形成在所述刻蚀停止层上的n型接触电极以及形成在所述P接触层上的P型接触电极；所述双吸收层的厚度大于1μm，所述双吸收层为本征的光吸收层和P型光吸收层；本发明提供的光探测器具有高响应度、高带宽和低结电容等特点；同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
