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公开(公告)号：CN118613146A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410756219.8
申请日：2024-06-13
申请人： 华中科技大学
摘要： 本申请公开了一种氮化硅电荷俘获型忆阻器及其制备方法，其中，该忆阻器中的功能层设置为三层，上下两层为SiO2，中间层为SiNX；忆阻器通过低温退火工艺处理，使得功能层中的SiNX形成硅悬挂键，硅悬挂键为俘获和释放电荷的陷阱；忆阻器利用电荷在SiNX陷阱中的俘获和释放机制实现电阻的变化。本申请提供的忆阻器没有导电丝随机性生长带来的一致性问题，且不需要大电压Forming过程，具有较高的一致性和应用前景；并且该忆阻器可实现可靠的多值存储和脉冲突触特性；另外，采用氮化硅作为核心阻变材料，具有成本低、易获取、与CMOS工艺更加兼容的优点。
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公开(公告)号：CN118052186B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410448186.0
申请日：2024-04-15
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/27
摘要： 本申请涉及一种紧凑模型参数生成系统的构建方法及其参数生成方法，属于集成电路设计技术领域。构建方法包括：获取紧凑模型在不同参数取值下的输出特性曲线，包括Cgg‑Vgs曲线、较小漏源电压下的Ids‑Vgs曲线及Gm‑Vgs曲线、较大漏源电压下的Ids‑Vgs曲线：从曲线中提取关键物理特征信息并进行归一化处理后输入训练神经网络模型进行训练，得到紧凑模型参数生成系统，关键物理特征信息包括阈值电压、亚阈值摆幅、晶体管开启电流及关断电流、漏源电流积分值、晶体管跨导积分值以及栅电容最小值与最大值及其积分值。利用通过以上方法构建的紧凑模型参数生成系统，能够在保证提参精度的同时提高紧凑模型提参的速度。
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公开(公告)号：CN114970840B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210534314.4
申请日：2022-05-17
摘要： 本发明公开了一种不规则放电仿生神经元电路及其放电仿生方法，属于类脑仿生技术领域；包括：易失性忆阻器M1、电容C1、电阻R1和反馈模块；其中，易失性忆阻器M1的阈值电压和保持电压具有随机性，且易失性忆阻器M1的所有保持电压中存在小于Vmin的保持电压；本发明基于易失性忆阻器M1阈值电压的随机性，使得每输出一个动作电位所需的充电时间不同；与此同时，基于易失性忆阻器M1保持电压的随机性将动作电位信号的静息状态发生时机随机化，并通过反馈模块监控动作电位信号的状态，当动作电位信号处于静息状态后，经过随机的时间延迟后输出反馈信号到仿生神经元电路的输入端，以使动作电位信号脱离静息状态，最终电路实现持续发放不规则的动作电位信号。
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公开(公告)号：CN114186667B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111487036.3
申请日：2021-12-07
IPC分类号： G06N3/0442 , G06N3/06 , G06N3/084
摘要： 本发明公开了一种循环神经网络权重矩阵向忆阻阵列的映射方法，包括：获取目标循环神经网络隐藏层中的所有权重矩阵；将各权重矩阵按行排列成一个3行矩阵阵列，且矩阵阵列中的每一列元素矩阵位于同一门控单元；根据网络隐藏层的前向传播函数对矩阵阵列中的元素矩阵进行裁切，被裁切的元素矩阵不影响其他元素矩阵的反向传播，且被裁切的元素矩阵使网络中各门控单元系数能够得到运算结果；将裁切并训练后的矩阵阵列中各元素矩阵编码为忆阻阵列中对应器件的电导。本发明是在利用传统忆阻循环神经网络加速器进行矩阵向量乘法时，在保证网络结构不变的前提下，只向忆阻阵列映射一部分矩阵，可有效降低权重矩阵映射时对忆阻阵列面积的要求。
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公开(公告)号：CN114005933B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111229192.X
申请日：2021-10-21
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H10N70/20
摘要： 本发明提供了一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法以及产品装置，属于微电子技术领域，在制备过程中，对OTS功能层执行升温工艺，使OTS功能层温度为80℃～120℃，持续时间为50s～200s，以此方式，对OTS功能层加速弛豫，使其提前进入更稳定的非晶态。优选的，使OTS功能层温度为90℃～110℃，持续时间为80s～180s，更优选的，使OTS功能层温度为95℃～105℃，持续时间为85s～150s。本发明通过设计新型的工艺方法，利用玻璃弛豫来降低OTS阈值电压漂移，解决现有技术中OTS阈值漂移较大从而抑制了OTS选通管大量应用的问题。
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公开(公告)号：CN118502161A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410648882.6
申请日：2024-05-23
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02F1/13357 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1333 , G02B5/20 , G02F1/00 , G02F1/01 , G02F1/03
摘要： 本发明提供一种基于截止型相变滤光结构的相变显示装置，该装置包括：像素化RGB背光源发光组件，包括LED激发光源、扩散板、像素化量子点层和黑色光阻剂，LED激发光源、扩散板和像素化量子点层从下到上依次布设，黑色光阻剂与像素化量子点层位于同一层，用于发出像素点的RGB光线并阻碍非像素区域发光；截止型相变滤光结构，包括RG截止型滤光结构和B滤光结构，RG截止型滤光结构用于过滤掉红、绿像素化背光源的像素点中残留的蓝光，B滤光结构用于对蓝像素化背光源的像素点的光线进行过滤，保留蓝光。本发明采用截止型相变滤光结构代替带通型相变滤光结构，简化制造流程，提高透过率和显示效果，采用隔离层使滤光光谱平缓高效。
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公开(公告)号：CN117742010B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311821598.6
申请日：2023-12-27
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于相变材料的激光显示技术，具有高分辨率、高帧率、光斑均匀、能耗低等特点，该激光显示技术包含激光背光源、高斯相变灰度光阀、光学投影系统、显示幕布等，本发明的激光显示技术可以广泛应用但不限于大尺寸电视、电子游戏设备、航空航天设备、军事装备或医疗设备的高分辨率需求。
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公开(公告)号：CN118466067A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410648877.5
申请日：2024-05-23
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02F1/13357 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1333 , G02B5/20 , G02F1/00 , G02F1/01 , G02F1/03
摘要： 本发明提供一种基于线性背光源的超高分辨率相变显示装置，该装置包括：线性RGB背光源发光组件，包括从下到上依次布设的LED激发光源、扩散板和线性量子点层；线性量子点层包括同层的线性红色量子点和线性绿色量子点，线性量子点层覆盖扩散板的一侧，线性RGB背光源发光组件用于发出RGB光线；像素化相变滤光结构，位于线性RGB背光源发光组件之上，像素化相变滤光结构包括RG截至型滤光结构、B滤光结构和黑色光阻剂；RG截至型滤光结构用于从接收的线性红、绿色量子点发出的光线中过滤掉蓝光，B滤光结构用于从接收的扩散板发出的光线中保留蓝光，黑色光阻剂用于阻碍非像素区域的光线。本发明在保证显示效果同时减小像素尺寸。
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公开(公告)号：CN114883487B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210467671.3
申请日：2022-04-29
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于半导体信息存储和人工突触器件技术领域，更具体地，涉及一种自成型的拓扑相变纳米存储器件结构、其制备和应用。通过在SXO(X＝Fe,Co)薄膜上生长活泼金属纳米颗粒，利用金属纳米颗粒易于被氧化的性质来吸收SXO中部分O离子，此时金属纳米颗粒下方的SXO薄膜处于缺氧状态，形成阻值较高的BM‑SXO相阻挡层，此时PV‑SXO导电丝的尺寸由金属纳米颗粒的尺度决定，且PV‑SXO导电丝的方向被一定程度限定为垂直于薄膜面内方向，以实现氧化物基存储器件的一致性与可靠性。
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公开(公告)号：CN114188477B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111397386.0
申请日：2021-11-23
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种自整流忆阻器阵列及其制备方法和应用，该自整流忆阻器阵列包括垂直堆叠于衬底上的第一电极层阵列，所述第一电极层阵列中每个第一电极层上设置有绝缘层；所述第一电极层阵列中每列的中间开设有沟槽，所述沟槽两侧设置有绝缘层；所述第一电极层阵列中每列的外围由内至外依次设置低k介质层、高k介质层和第二电极层。本发明通过在第一电极层阵列中设置沟槽，使得形成忆阻器阵列，每个忆阻器由横向依次分布的第一电极、低k介质层、高k介质层和第二电极组成，大大增加了忆阻器的存储密度，同时解决了阵列中漏电流问题，适宜商业上推广应用。
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