一种防止锂离子电池过充的方法

    公开(公告)号:CN108649288A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810485826.X

    申请日:2018-05-21

    IPC分类号: H01M10/44 H01M10/0525

    摘要: 本发明公开了一种防止锂离子电池过充的方法,属于锂离子电池领域,利用电池电极活性材料中电压平台A和电压平台B之间较大的工作电压差值实现防过充,其中,电压平台B高于电压平台A,电压平台A提供额定容量,电压平台B作为过充预留容量。其中,电压平台A和电压平台B可以分别由电池电极活性材料中主相成分和辅相成分组成,或者电压平台A和电压平台B可以由同一电极活性材料中不同的活性元素来提供,其中电压平台A由第一活性元素提供,电压平台B由第二活性元素提供。本发明方法应用时候具有多重过充保护作用,安全可靠,还能应用在钠离子电池中。

    一种防止锂离子电池过充的方法

    公开(公告)号:CN108649288B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201810485826.X

    申请日:2018-05-21

    IPC分类号: H01M10/44 H01M10/0525

    摘要: 本发明公开了一种防止锂离子电池过充的方法,属于锂离子电池领域,利用电池电极活性材料中电压平台A和电压平台B之间较大的工作电压差值实现防过充,其中,电压平台B高于电压平台A,电压平台A提供额定容量,电压平台B作为过充预留容量。其中,电压平台A和电压平台B可以分别由电池电极活性材料中主相成分和辅相成分组成,或者电压平台A和电压平台B可以由同一电极活性材料中不同的活性元素来提供,其中电压平台A由第一活性元素提供,电压平台B由第二活性元素提供。本发明方法应用时候具有多重过充保护作用,安全可靠,还能应用在钠离子电池中。

    一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116234427A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310277621.3

    申请日:2023-03-21

    IPC分类号: H10N70/20 H10B63/00

    摘要: 本发明属于半导体器件相关技术领域,其公开了一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法,所述阻变存储器包括衬底、设置在所述衬底上的功能层及设置在所述功能层上的两端电极,所述功能层为具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片,通过所述功能层的本正离子迁移来改变所述阻变存储器的阻态。本发明将具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片应用于功能层,使得阻变存储器的阻态变化由功能层本征离子迁移导致,可摆脱对活性金属电极的依赖。

    一种锂金属/钠金属负极的保护方法及产品

    公开(公告)号:CN110224177B

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN201910380977.3

    申请日:2019-05-08

    摘要: 本发明公开了一种锂金属/钠金属负极保护方法及产品,属于锂金属/钠金属电池负极材料及电化学领域,在任意气氛下,将一类界面修饰材料预先构筑在电池用隔膜上,得到预制隔膜,所述界面修饰材料与锂负极的相互作用比与隔膜的相互作用更强,执行电池组装工序,其中,将预制隔膜上有界面修饰材料的一面紧密贴合金属锂负极,注入电解液,在电解液浸润下,利用界面修饰材料与金属锂之间的物理化学作用,界面修饰材料自发从隔膜向金属锂负极表面转移,从而自动实现对金属锂负极的保护。同样原理的方法也适用于钠金属电池。本发明方法无须对锂负极或者钠负极直接操作,安全,可靠,工艺简单,适用条件宽泛,具有较强的工艺性和较好的实际效果。

    一种锂金属/钠金属负极的保护方法及产品

    公开(公告)号:CN110224177A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201910380977.3

    申请日:2019-05-08

    摘要: 本发明公开了一种锂金属/钠金属负极保护方法及产品,属于锂金属/钠金属电池负极材料及电化学领域,在任意气氛下,将一类界面修饰材料预先构筑在电池用隔膜上,得到预制隔膜,所述界面修饰材料与锂负极的相互作用比与隔膜的相互作用更强,执行电池组装工序,其中,将预制隔膜上有界面修饰材料的一面紧密贴合金属锂负极,注入电解液,在电解液浸润下,利用界面修饰材料与金属锂之间的物理化学作用,界面修饰材料自发从隔膜向金属锂负极表面转移,从而自动实现对金属锂负极的保护。同样原理的方法也适用于钠金属电池。本发明方法无须对锂负极或者钠负极直接操作,安全,可靠,工艺简单,适用条件宽泛,具有较强的工艺性和较好的实际效果。

    一种二维贵金属硫属化合物晶圆级薄膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118704061A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410803225.4

    申请日:2024-06-20

    摘要: 本发明属于二维材料相关技术领域,其公开了一种二维贵金属硫属化合物晶圆级薄膜及其制备方法与应用,步骤为:首先,将单晶硅衬底放入贵金属前驱体与氢氟酸溶液混合形成的混合溶液中进行处理;之后,利用欠电位沉积法在所述单晶硅衬底上沉积贵金属原子,以得到原子级厚度的贵金属薄膜,进而将所述贵金属薄膜原位转化成贵金属硫属化合物薄膜。本发明采用欠电位沉积和原位转化工艺,利用贵金属与衬底间的高电势差,驱动贵金属原子在衬底表面自限制沉积,以欠电位沉积的贵金属薄膜为衬底,利用原位转化的气相沉积技术,获得高质量的晶圆级二维贵金属硫属化合物薄膜。

    一种二维CuFeSe2晶体材料及其晶面可控生长方法

    公开(公告)号:CN117166048A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202311076670.7

    申请日:2023-08-25

    IPC分类号: C30B25/16 C30B29/46

    摘要: 本发明属于纳米半导体材料领域,并具体公开了一种二维CuFeSe2晶体材料及其晶面可控生长方法。该制备方法包括:(1)将铁粉和碘化钾混合作为铁源,碘化铜作为铜源;将铁源和铜源放置在位于单温区管式炉下游的石英套管内;(2)将硒源放置在单温区管式炉上游,通过载气将硒蒸气带入单温区管式炉下游使其与铁源和铜源反应;其中,通过调节炉温为600℃~700℃,保温时间为360s~450s,在衬底上制得不同晶面的二维CuFeSe2晶体材料。本发明方法制备出的材料结晶质量高、物相单一且环境稳定性好,同时本发明能够通过控制生长温度实现二维CuFeSe2晶体材料的晶面可控生长。