光整形模块、发光模组、车灯和车辆

    公开(公告)号:CN118259474A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202211698728.7

    申请日:2022-12-28

    发明人: 罗宇哲 赵壮

    摘要: 本申请实施例公开了一种光整形模块、发光模组、车灯和车辆,涉及光器件领域,得到效率接近的多光型。具体方案为:光整形模块包括沿第一方向层叠设置的第一透镜组件和光整形结构,光整形结构包括:沿第二方向层叠设置的第二透镜组件和遮光件;光整形模块可被驱动组件驱动后转动以改变光线在其内部的方向,当光线沿第二方向传播后会得到第一光型,当光线沿第一方向传播后得到第二光型,可以实现两种光型的切换,且节约光整形模块占用的空间。且光线沿第一方向传播过程中,光线几乎不会被遮光件阻挡,光线的能量的损失较小。

    用于传输亚太赫兹信号的裸纤及高速线缆

    公开(公告)号:CN116544643A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202210086242.1

    申请日:2022-01-25

    IPC分类号: H01P3/08 H01P3/12 H01P3/127

    摘要: 本申请涉及用于传输亚太赫兹信号的裸纤及高速线缆,裸纤为单模传输,使用的频段范围为100‑500GHz,裸纤的截面为圆形,制作裸纤的材料采用塑料。裸纤包括腔体,沿裸纤的径向,腔体的截面为矩形。采用塑料制作裸纤能够使裸纤无负载电流、无趋肤效应,进而可以降低电磁波在裸纤中传输时的损耗。裸纤包括截面为矩形的腔体能够使裸纤具有保偏性,保证线偏振方向不变,提高相干信噪比,以实现对物理量的高精度测量。通过调节裸纤和腔体的截面积,能够使电磁波的零色散点调节到指定的频率,损耗降低,进而增大裸纤的传输速率。

    一种光放大器以及光通信系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115514418A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202110694346.6

    申请日:2021-06-22

    发明人: 熊迪 赵壮 邓宁

    IPC分类号: H04B10/293

    摘要: 本申请公开了一种光放大器以及光通信系统,通过自适应地调整与信号光对应的互补光的能量,实时地且动态地释放或者消耗各级光放大结构所需的泵浦能量,进而消除瞬态过冲现象。前述的光放大器可以包括光放控制器、合波器、第一器件以及按照级联的方式排列的N级光放大结构。其中,N级光放大结构用于放大信号光;光放控制器,用于获取信号光的第一增益值,并根据第一增益值和关联关系,确定与第一增益值对应的第一VOA值和第一泵浦电流值,并且将与第一增益值对应的第一VOA值发送至第一器件。该第一器件用于根据第一VOA值调整回路衰减大小,以激射与信号光对应的互补光。

    车灯系统、车灯和车辆
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118596982A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202311808682.4

    申请日:2023-12-25

    发明人: 朱楠 时浩 赵壮

    IPC分类号: B60Q1/04 B60Q1/076

    摘要: 一种车灯系统、车灯和车辆,车灯系统包括车灯和车灯控制器;车灯包括第一发光模组和第二发光模组;第一发光模组和第二发光模组为像素式发光模组,第一发光模组的像素高于第二发光模组的像素;车灯控制器用于控制第一发光模组和第二发光模组发光;第二发光模组发光形成的图案包括第一区域和第二区域,第一区域为第二发光模组的光照覆盖的区域,第二区域为第二发光模组的光照未覆盖的区域;第二区域内包括目标对象,第二区域内目标对象和车灯之间的区域属于第三区域,第一发光模组的光照覆盖第三区域。本方案能够减小远光遮蔽暗区,防眩目的同时又能实现自车车前路面照亮,大大提升行车安全。

    产生假光信号的装置、方法以及可重构光分插复用器

    公开(公告)号:CN114765477A

    公开(公告)日:2022-07-19

    申请号:CN202110049635.0

    申请日:2021-01-14

    发明人: 陈飞 赵壮 李明

    IPC分类号: H04J14/02

    摘要: 本申请实施例公开了一种产生假光信号的装置,应用于通信领域,该装置包括:光源模块,用于产生第一波长信号和第二波长信号,第一波长信号具有N个第一通道,第二波长信号具有M个第二通道;偏振光合束器,用于将第一波长信号和第二波长信号偏振合束,输出假光信号,假光信号具有N+M个通道。其中,假光信号在任意一个第一通道中的波长信号的偏振态和第二通道中的波长信号的偏振态正交。本申请可以让假光信号在第一通道和第二通道中的波长信号偏振态正交,从而通过一个通道的波长信号形成一个通道的假光信号,从而降低成本。

    一种多波长激光器以及波长控制方法

    公开(公告)号:CN112448266B

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN201910816476.5

    申请日:2019-08-30

    IPC分类号: H01S5/042

    摘要: 本申请公开了一种多波长激光器以及波长控制方法。在一个具体实现中,多波长激光器包括波导、第一电极和第二电极。其中,第一电极和第二电极设置于波导上。第一电极与第二电极电隔离。第一电极包括多个子电极,且每两个相邻的子电极之间电隔离。第二电极用于通过加载电流放大波导内的光信号。至少一个子电极用于通过加载电流或电压调节波导内光信号的波长。在工作状态下第一电极长度的不同将使得波导内光场能量不同,进而使得波导内温度的不同,从而使得多波长激光器可以发射不同波长范围的光信号。此多波长激光器可以更快地调节波导内的温度,缩短了波长调节的时间。

    耦合器、收发模块及通信系统

    公开(公告)号:CN113937450A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202010606511.3

    申请日:2020-06-29

    发明人: 王超 马静言 赵壮

    IPC分类号: H01P5/12

    摘要: 本申请提供一种耦合器、收发模块通信系统。耦合器包括介质板、第一导电片、第二导电片、第三导电片、第四导电片、多个第一导电件以及多个第二导电件。通过介质板、第一导电片、第二导电片、第三导电片、第四导电片、多个第一导电件以及多个第二导电件的相互配合,从而在传输电磁波的过程中降低能量损耗。这样,当耦合器应用于通信系统或收发模块时,通信系统或收发模块在传输电磁波的过程中能量损耗也较少,传输速率较快。

    IQ调制器的控制方法与装置

    公开(公告)号:CN110581737B

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN201810588235.5

    申请日:2018-06-08

    IPC分类号: H04B10/548 H04B10/54

    摘要: 本申请提供一种IQ调制器的控制方法与装置,该控制方法包括:将第一频率的微扰信号与第二频率的微扰信号分别加在IQ调制器的第一路的P极与N极上,第一频率与第二频率互质,第一路为I路或Q路;根据IQ调制器的输出信号,获取至少三个频点上的幅值,并根据至少三个频点上的幅值之间的关系,获取当前偏置点位置,至少三个频点由第一频率与第二频率确定;基于当前偏置点位置与目标偏置点位置之间的差异,调整第一路上的偏置电压,直至当前偏置点位置与目标偏置点位置之间的差异满足阈值。本申请可以实现任意偏置点位置的校正。

    一种多波长激光器以及波长控制方法

    公开(公告)号:CN112448266A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN201910816476.5

    申请日:2019-08-30

    IPC分类号: H01S5/042

    摘要: 本申请公开了一种多波长激光器以及波长控制方法。在一个具体实现中,多波长激光器包括波导、第一电极和第二电极。其中,第一电极和第二电极设置于波导上。第一电极与第二电极电隔离。第一电极包括多个子电极,且每两个相邻的子电极之间电隔离。第二电极用于通过加载电流放大波导内的光信号。至少一个子电极用于通过加载电流或电压调节波导内光信号的波长。在工作状态下第一电极长度的不同将使得波导内光场能量不同,进而使得波导内温度的不同,从而使得多波长激光器可以发射不同波长范围的光信号。此多波长激光器可以更快地调节波导内的温度,缩短了波长调节的时间。

    硅基衬底、衬底基板及其制造方法、光电器件

    公开(公告)号:CN111146320A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201811303611.8

    申请日:2018-11-02

    摘要: 本申请涉及一种硅基衬底、衬底基板及其制造方法、光电器件,涉及电子技术应用领域,包括:硅基衬底,硅基衬底的一面具有周期性的凸起结构,每个凸起结构的侧面与底面存在倾角;设置在硅基衬底具有凸起结构的一面上的三五族材料层。在该衬底基板中,由于硅基衬底的一面不再是硅(100)晶面,而是具有周期性的凸起结构,该凸起结构能够实现位错的自湮灭,将晶格失配以及反相畴所导致的位错限制在硅基衬底这一层,使得三五族材料在该硅基衬底上外延生长时,能够保持整齐的晶体结构,因此,能够减少硅基衬底和三五族材料之间的晶格失配和反相畴等问题,提高三五族材料在该硅基衬底上的良品率。本申请用于在硅基衬底上形成高质量的三五族材料。