一种三维多孔纳米复合降温薄膜的规模化制备方法

    公开(公告)号:CN112679223A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202110150147.9

    申请日:2021-02-04

    Abstract: 本发明公开了一种三维多孔纳米复合降温薄膜的规模化制备方法。CA基降温薄膜材料由0.1‑0.5份醋酸纤维素、1‑5份丙酮、20‑100份水、其他助剂以及10‑20份纳米微球制备得到。本发明三维多孔纳米复合降温薄膜,是通过醋酸纤维素、纳米微球粒子和其他助剂三者协同配制备得到,其中采用醋酸纤维素与纳米微球自沉积方式获得复合薄膜,成膜过程中液体挥发导致三维多孔生成;该薄膜具有增强向太空辐射红外热量的效果,可显著降低基体表面温度,实现快速强降温,该薄膜在无需外部电力等主动降温设备、有/无太阳光照射的情况下,都能达到有效降温的目的。

    表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片

    公开(公告)号:CN101777615B

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201010018325.4

    申请日:2010-01-13

    Abstract: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片,采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法,在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法,包括以下步骤:a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜;b.置于电化学池内的酸溶液中加电压,用电化学方法实现阳极氧化,使铝膜成为多孔氧化铝;c.继续加电压至60~200V,用电化学方法腐蚀GaN基片表面,在GaN层表面形成多孔结构;d.去掉表面的氧化物,得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构,使GaN-空气界面的光传播随机化,最大程度减少了界面全反射,极大地提高了光引出效率。

    一种辐射冷却抗菌面料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112853771A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110146770.7

    申请日:2021-02-03

    Abstract: 本发明公开了一种辐射冷却抗菌面料,从内到外依次包括织物面料层、Al膜层和辐射涂层,其制备步骤依次为:蒸发镀金属铝、配制辐射涂层液、涂覆、通风吹干。本发明的辐射冷却抗菌面料中的纳米二氧化硅微球不断向大气中辐射净热量,使面料自身温度不断降低;纳米碳化硅微球可以加快辐射速率;丙烯酸树脂可提高面料的抑菌和透气性能;本发明通过各原料的协同作用,在达到降温效果的同时,还具有抑菌、防紫外线辐射的功能,可应用于户外工作人员高温作业的防护服。

    一种石墨烯/铝复合材料散热薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112853432A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110156748.0

    申请日:2021-02-05

    Abstract: 本申请公开了一种石墨烯/铝复合材料散热薄膜的制备方法,依次包括如下步骤:制备混合溶液、氧化中和、稀释离心、冲洗、电泳沉积、退火热处理、热压成型。本发明以铝箔作为电极在氧化石墨烯的水溶液中进行电泳沉积制备石墨烯/铝复合薄膜,然后通过高温高压烧结工艺缩短复合薄膜层间距,并彻底去除含氧官能团,铝元素收缩形成纳米球颗粒,最终得到石墨烯/铝复合材料散热薄膜;本发明充分利用石墨烯的二维平面进行声子传输,在石墨烯层间插入纳米颗粒改善纵向的热导率;本发明制备的复合材料薄膜具有良好的均匀性和厚度可控性,具有结构强度大、导热系数高、各方向导热均匀、密度小、性能稳定等优点。

    一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN114447100A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202210060232.0

    申请日:2022-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法,所述肖特基二极管由下往上依次包括衬底层,氧化镓层,氧化镓微米柱的肖特基阵列;所述氧化镓层材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓,所述氧化镓微米柱材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓。本发明将HVPE和Mist CVD结合,快速制备出氧化镓微米柱阵列,制备高质量的氧化镓阵列材料,以实现低开启电压、快开关速度和低能源损耗的氧化镓微米柱阵列的肖特基二极管。相对于其他氧化镓肖特基二极管的方法,本发明制备的氧化镓微米柱阵列形貌精准可控,重复性好,效率高,制造工艺简单,可以有效地集成和大规模生产。

    一种绝缘降温复合薄膜

    公开(公告)号:CN112820485B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202110156686.3

    申请日:2021-02-05

    Inventor: 唐少春 张荣 相波

    Abstract: 本发明公开了一种绝缘降温复合薄膜,包括绝缘层、导热降温层,由外往内依次分布,所述的绝缘层由塑料颗粒、导热添加剂和其它助剂组成,所述降温层采用纳米颗粒/塑料复合材料。本发明所述的一种绝缘降温复合薄膜,在绝缘导热薄膜外涂覆一层降温薄膜,通过复合材料降温薄膜将热量以热红外波的形式发散到外界,当环境温度较高时,依然能够实现高效无耗能的辐射散热,使得吸热和散热更快达到平衡,进而使复合降温薄膜达到持久绝缘降温的效果,其制备工艺简单、成本低、应用范围广。

    一种绝缘降温复合薄膜

    公开(公告)号:CN112820485A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202110156686.3

    申请日:2021-02-05

    Inventor: 唐少春 张荣 相波

    Abstract: 本发明公开了一种绝缘降温复合薄膜,包括绝缘层、导热降温层,由外往内依次分布,所述的绝缘层由塑料颗粒、导热添加剂和其它助剂组成,所述降温层采用纳米颗粒/塑料复合材料。本发明所述的一种绝缘降温复合薄膜,在绝缘导热薄膜外涂覆一层降温薄膜,通过复合材料降温薄膜将热量以热红外波的形式发散到外界,当环境温度较高时,依然能够实现高效无耗能的辐射散热,使得吸热和散热更快达到平衡,进而使复合降温薄膜达到持久绝缘降温的效果,其制备工艺简单、成本低、应用范围广。

    表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片

    公开(公告)号:CN101777615A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN201010018325.4

    申请日:2010-01-13

    Abstract: 本发明涉及一种表面多孔的GaN基片的制备方法及由所述制备方法得到的GaN基片,采用工艺简单、低损伤、高腐蚀速率的湿法腐蚀方法,在GaN基片表面直接获得多孔结构。所述表面多孔的GaN基片的制备方法,包括以下步骤:a.在GaN基片表面的GaN层上镀一层铝膜;b.置于电化学池内的酸溶液中加电压,用电化学方法实现阳极氧化,使铝膜成为多孔氧化铝;c.继续加电压至60~200V,用电化学方法腐蚀GaN基片表面,在GaN层表面形成多孔结构;d.去掉表面的氧化物,得到表面多孔的GaN基片。本发明设计并制备出GaN表面的无序多孔结构,使GaN-空气界面的光传播随机化,最大程度减少了界面全反射,极大地提高了光引出效率。

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