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公开(公告)号：CN117778973A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311735719.5
申请日：2023-12-18
申请人： 南京大学
摘要： 本发明涉及一种多温区卷绕式磁控溅射镀膜机，包括线性磁控溅射靶(4)、卷料盒(7)、多温区衬底温控装置(8)，衬底材料通过所述卷料盒(7)在磁控溅射镀膜机内传输。磁控溅射镀膜机腔体内设有若干个衬底温控装置(8)，通过设置多温区衬底温控装置(8)的温度，可以实现衬底在不同区域的温度控制，进而实现多温区薄膜生长的有效控制；本发明能够在卷绕式磁控溅射镀膜机中实现多温区的控制，从而实现每层温度单独精确可控的多层膜电子材料的连续生长，提高溅射镀膜的多样性与可控性，有效提高电子材料与器件的性能和生产效率。
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公开(公告)号：CN117637270A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311684313.9
申请日：2023-12-11
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01C17/075 , H01C7/00
摘要： 本发明涉及一种氮化钽埋嵌式薄膜电阻晶相调控及制备方法，该埋嵌式薄膜电阻材料为氮化钽，通过磁控溅射技术在硅衬底上以纯钽靶，氮气与氩气的混合气进行溅射得到氮化钽薄膜，对溅射过程中的晶相加以调控，经实验表明，为获得接近0的TCR值可选取氮分压为5％，气体流量60sccm的溅射条件，此时晶相以Ta4N为主，为获得较大方阻值，可选取氮分压为20％，气体流量为40sccm的溅射条件，此时晶相以TaN为主。该方案通过调控晶相调控方阻与电性能稳定性，其温度电阻系数小、阻值可调范围大(从导体到绝缘体可调)，应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN116723756A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310472494.2
申请日：2023-04-27
申请人： 南京大学
摘要： 本发明涉及一种二维硒化钨‑氧化铝突触器件，自下而上依次设置为衬底层、氧化物层、硒化钨纳米片和电极层，其中电极层包括分别设置在硒化钨纳米片两端的源电极和漏电极，该技术方案提供的突触器件不仅具有良好的电响应行为，还表现出良好的持续导电现象，能够有效实现双脉冲易化、短时程可塑性、长时程可塑性和高通滤波等突触行为，有望在神经形态器件和电响应储存设备上应用。
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公开(公告)号：CN107091999B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710165123.4
申请日：2017-03-20
申请人： 南京大学
IPC分类号： G01R33/12
摘要： 利用飞秒脉冲激光调控MRAM材料的本征阻尼因子,飞秒脉冲激光在样品局域位置改变功率相当于进行局部高温退火处理，通过功率增加使得本征阻尼因子达到室温8倍左右。CoFeB/MgO结构一直以来是用于制作磁隧道结的重要材料体系，并且在磁性随机存储器应用中有着十分重要的地位。本发明利用脉冲激光的局域的瞬时高温加热来改变样品的局部特征，从而改变材料本身的阻尼因子。由于光斑大小在显微物镜或者普通透镜的调节下在一纳米至几个毫米之间变化，不仅适合在极小单元‑纳米尺度下改变磁性材料的阻尼大小，在宏观尺度下调控磁性材料的阻尼因子。本发明中涉及到的样品依次包括基片，探测磁性层和覆盖层。脉冲激光重复频率为1000Hz，脉冲宽度为50fs，功率密度调节范围大。
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公开(公告)号：CN109728157A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811531677.2
申请日：2018-12-14
申请人： 南京大学 , 浙江驰拓科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半金属外延磁隧道结的生长方法，包括：采用MBE技术在GaAs衬底上外延生长Co2FeAl层、MgO层、Co2FeAl层形成半金属磁性隧道结构，且生长过程中Co、Fe、Al均由热蒸发束源炉进行蒸发，通过分别控制三个热蒸发束源炉的蒸发温度来控制三种元素的沉积速率；在生长前对GaAs衬底进行退火，在生长每层Co2FeAl层后对其进行退火，在生长Mg层后向MBE腔体内通入氧气，使其氧化为MgO薄膜，最后生长3nm的Al层进行覆盖。本发明利用MBE技术对束流的精确控制实现合金薄膜组分的调制，利用RHEED和原位热处理使得样品表面平整并形成单晶结构，从而得到高质量的半金属外延磁隧道结。
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公开(公告)号：CN109586154A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910016739.4
申请日：2019-01-08
申请人： 南京大学
摘要： 基于三维狄拉克半金属可饱和吸收体的脉冲状态可调激光器，包括参数可主动调控的三维狄拉克半金属可饱和吸收器、激光谐振腔以及实时反馈调整电路模块；激光谐振腔内，参数可主动调控的三维狄拉克半金属可饱和吸收器直接决定着激光器输出的脉冲特性，在实时反馈调整电路模块的辅助下，实时调整自身可饱和吸收器参数，确保激光器具有优异的启动性能以及脉冲稳定性，实现锁模脉冲输出脉宽的调节，甚至是锁模脉冲与调Q脉冲之间的灵活切换；所述的参数可主动调控的三维狄拉克半金属可饱和吸收器具有反射型和透射型两种形式；在实时反馈调整电路模块的辅助下，实时调整自身非线性参数。
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公开(公告)号：CN106784303B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201611035237.9
申请日：2016-11-17
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以1:2化学计量比形成的化合物，它是一种半金属材料，具有巨大的不饱和磁电阻，低温下可以达到105量级，在加压下还会呈现超导性质。将碲化钨薄膜生长在云母上有利于应力相关研究和开发柔性电子学的应用。薄膜的制备方法是激光分子束外延(L‑MBE)技术，在约4.6×10‑7mbar的本底真空下，在恒定温度的衬底上进行生长，随后在Te蒸气下高温退火。所获得的薄膜表征拉曼信号和XRD信号均与文献记载相吻合，确定为高质量的的薄膜。
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公开(公告)号：CN108585802A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810684529.8
申请日：2018-06-28
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种高介电性能的陶瓷的烧结制备方法，S1：按重量比，称量96-99份Al2O3粉体，0.2-1份MgO粉体，0.3-1份CaO粉体，0.3-1份SiO2粉体，0.2-1份CoO粉体，粉体的粒径小于200纳米，粉体的纯度为3N级以上，将称量好的粉体放入行星混合球磨机中，加入溶剂，以300-400r/min速度，球磨10-12小时；S2：将步骤S1中得到的混合物，烘干后，用干压成型机，以4-6MPa的压力干压成型即压成陶瓷坯。S3：将步骤S2中得到的陶瓷坯体放置于管式炉中，进行氧气气氛烧结。S4：将步骤S3中得到的陶瓷坯切割至所需要的厚度，分别用2000目和4000目砂纸打磨至光滑，得到最终样品。
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公开(公告)号：CN108560045A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810594166.9
申请日：2018-06-11
申请人： 南京大学
IPC分类号： C30B23/02
摘要： 本发明公开了一种八面超高真空腔体。包括超高真空主腔室；所述的超高真空腔室是由不锈钢整体机械加工，真空腔室的形状是八棱柱形，在确保腔室的机械强度情况下，实现了腔室的8个侧面8-16个法兰接口，不锈钢棒加工成八棱柱形式，在八棱柱内镗出圆柱形空腔，将八棱柱上下两个面加工为法兰；腔室主体成型后，在其八棱柱的每个腔壁分别镗一或二个孔，孔直接制备法兰接口或焊接法兰。实现腔室的16个侧面法兰接口，能够很方便地观察到腔室内的情况，其真空度及对称性完全可以达到MBE生长腔室的要求。
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公开(公告)号：CN108346968A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810445111.1
申请日：2018-05-10
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种基于外尔半金属薄膜的可饱和吸收器件，其结构由外尔半金属材料构成的可饱和吸收层和承载该饱和吸收层所需的光学薄膜功能层组成；所述的外尔半金属薄膜可饱和吸收器件分为反射型和透射型两种模式，其中，反射型结构布局由上至下为：光学衬底层(1)、外尔半金属可饱和吸收薄膜层(2)、缓冲层(3)和反射层(4)；透射型结构布局由上至下为：光学衬底层(1)、外尔半金属可饱和吸收薄膜层(2)、缓冲层(3)。
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