公开(公告)号：CN109301422B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201811005023.6

申请日：2018-08-30

申请人： 南京理工大学

发明人： 周春霞 ,  王玉洁 ,  李好 ,  严志琴

IPC分类号： H01P5/16

摘要： 本发明提出了一种基于半模基片集成波导的滤波功分器，以基片集成波导矩形腔和半模基片集成波导矩形腔为基本谐振单元，相邻矩形腔之间通过开窗实现磁耦合，开S型槽实现电耦合，第Ⅱ阶半模基片集成波导矩形腔开口之间有跨接隔离电阻，下表面金属导电层与开口处对应位置设置有槽线，输入输出端采用微带线‑共面波导结构。基片集成波导矩形腔包括上下表面均覆有金属导电层的介质基片，且介质基片上沿腔体边缘均匀分布有贯穿上下金属导电层的金属通孔；半模基片集成波导矩形腔由基片集成波导矩形腔沿磁壁分割得到。本发明结构紧凑，提高了滤波功分器的隔离特性和带外抑制性能。

公开(公告)号：CN109301422A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201811005023.6

申请日：2018-08-30

申请人： 南京理工大学

发明人： 周春霞 ,  王玉洁 ,  李好 ,  严志琴

IPC分类号： H01P5/16

摘要： 本发明提出了一种基于半模基片集成波导的滤波功分器，以基片集成波导矩形腔和半模基片集成波导矩形腔为基本谐振单元，相邻矩形腔之间通过开窗实现磁耦合，开S型槽实现电耦合，第Ⅱ阶半模基片集成波导矩形腔开口之间有跨接隔离电阻，下表面金属导电层与开口处对应位置设置有槽线，输入输出端采用微带线-共面波导结构。基片集成波导矩形腔包括上下表面均覆有金属导电层的介质基片，且介质基片上沿腔体边缘均匀分布有贯穿上下金属导电层的金属通孔；半模基片集成波导矩形腔由基片集成波导矩形腔沿磁壁分割得到。本发明结构紧凑，提高了滤波功分器的隔离特性和带外抑制性能。

公开(公告)号：CN108172988A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711312456.1

申请日：2017-12-12

申请人： 南京理工大学

发明人： 周春霞 ,  赵艳飞 ,  李好 ,  严志琴

IPC分类号： H01Q1/38 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/50 ,  H01Q19/10 ,  H01Q19/30

CPC分类号： H01Q1/38 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/50 ,  H01Q19/104 ,  H01Q19/30

摘要： 本发明公开一种超宽带陷波天线，包括介质基板(1)、贴覆于介质基板(1)上表面的上金属镀层(2)和贴覆于介质基板(1)下表面的下金属镀层(3)，所述下金属镀层(3)和上金属镀层(2)由穿过介质基板(1)的多个金属化通孔(4)相连，金属镀层(2)上有含上变容二极管(8)、下变容二极管(9)的第一开口谐振环(6)和第二开口谐振环(7)，以及上变容二极管(8)和下变容二极管(9)的偏置电路，偏置电路由电压源(11)，电阻(10)和连接金属镀层(3)的金属化过孔(42)构成。本发明的超宽带陷波天线，不但多通带，而且通带位置可调。