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公开(公告)号：CN113054437B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110575015.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 南京迪钛飞光电科技有限公司
IPC: H01Q3/36 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q21/00 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/137
Abstract: 本发明提供本发明提供一种多功能多波段电磁调控装置，其包括调光基板和位于所述调光基板上的相控阵基板，所述调光基板的长度不小于所述相控阵基板的长度，所述调光基板的宽度不小于所述相控阵基板的宽度，所述相控阵基板在所述调光基板上的投影不超过所述调光基板的边缘。本发明多功能多波段电磁波调控装置，通过加载在接地片和移相器上电压，控制高频液晶的旋转，控制电磁波按照要求的角度发射；本发明兼具相控阵天线及可见光可调功能，可用于汽车、飞机车窗和楼宇玻璃等场景，实现万物互联。
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公开(公告)号：CN112018212B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011168063.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 南京迪钛飞光电科技有限公司
IPC: H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种平板探测器及其制造方法，平板探测器包括薄膜晶体管、光电转换器、第一绝缘层、第三绝缘层、有机绝缘层、第二绝缘层和遮挡半导体层；所述薄膜晶体管包括栅极、半导体层、栅极绝缘层、源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区，所述遮挡半导体层和第二绝缘层层叠设置在第一绝缘层上且位于沟道区的上方。本发明第二绝缘层和遮挡半导体层均位于沟道区的上方；通过第二绝缘层和遮挡半导体层实现沟道区的完全遮挡；或者在半导体层形成呈叠设置的第一刻蚀阻挡层，可以防止光电转换层形成过程中的H(氢)扩散到沟道区内，并减弱半导体层的导体化的进程。
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公开(公告)号：CN112002721B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011169485.9
申请日：2020-10-28
Applicant: 南京迪钛飞光电科技有限公司
Inventor： 陈钢
IPC: H01L27/146 , H04N5/32 , G01T1/24
Abstract: 本发明提出一种薄膜晶体管阵列基板、像素电路、X射线探测器及其驱动方法，涉及光电技术领域，所述薄膜晶体管阵列基板包括水平排布的扫描线和读取扫描线、垂直排布的数据线和偏压线，以及由扫描线和数据线交叉限定的多个像素单元，每个像素单元包括位于光电导区的光电导薄膜晶体管和位于读取端的读取薄膜晶体管，本发明利用aSi薄膜晶体管的光电导效应，对光电流积分并控制放大倍数，实现像素内信号放大，在降低放射剂量的同时也能够实现放大倍数的精准控制；同时简化了像素结构和工艺结构。
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公开(公告)号：CN112002721A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202011169485.9
申请日：2020-10-28
Applicant: 南京迪钛飞光电科技有限公司
Inventor： 陈钢
IPC: H01L27/146 , H04N5/32 , G01T1/24
Abstract: 本发明提出一种薄膜晶体管阵列基板、像素电路、X射线探测器及其驱动方法，涉及光电技术领域，所述薄膜晶体管阵列基板包括水平排布的扫描线和读取扫描线、垂直排布的数据线和偏压线，以及由扫描线和数据线交叉限定的多个像素单元，每个像素单元包括位于光电导区的光电导薄膜晶体管和位于读取端的读取薄膜晶体管，本发明利用aSi薄膜晶体管的光电导效应，对光电流积分并控制放大倍数，实现像素内信号放大，在降低放射剂量的同时也能够实现放大倍数的精准控制；同时简化了像素结构和工艺结构。
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公开(公告)号：CN110933335A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN202010068031.6
申请日：2020-01-21
Applicant: 南京迪钛飞光电科技有限公司
Inventor： 陈钢
IPC: H04N5/32 , H04N5/14 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种平板探测器的驱动电路及其时序驱动方法，平板探测器的驱动电路包括放大电路和输出信号至数据线的第一TFT开关；所述放大电路包括与反偏电压连接的第二TFT开关、光电二极管、第三TFT开关以及与工作电压连接的第四TFT开关；其中，所述第二TFT开关的控制端连接电源电压，第二TFT开关的第一通路端与反偏电压连接，第二TFT开关的第二通路端与光电二极管的负极连接。本发明通过在反偏电压和光电二极管之间设置第二TFT开关，在光电二极管转换时，通过第二TFT开关启动光电二极管进行光信号转换成电信号，光电二极管转换完成后，关闭第二TFT开关,可以最大限度的避免电荷的泄露。
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公开(公告)号：CN110391308B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910883981.1
申请日：2019-09-19
Applicant: 南京迪钛飞光电科技有限公司
Inventor： 陈钢
IPC: H01L31/0352 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种平板探测器及其制造方法，一种平板探测器包括具有半导体层的TFT器件、覆盖TFT器件的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的层间绝缘层、位于层间绝缘层上且与TFT器件连接的阴极电极、位于阴极电极上的光电转换层；还包括位于层间绝缘层上的阻挡层；至少部分所述阻挡层呈浮动状态，至少部分所述阻挡层位于所述半导体层的正上方。本发明平板探测器上设置阻挡层，至少部分阻挡层位于半导体层的正上方，阻挡层可以阻挡光电转换层形成时氢气扩散对半导体层的影响、也可以阻挡X射线或环境光对半导体层的影响。
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公开(公告)号：CN112284530A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011394775.3
申请日：2020-12-03
Applicant: 南京迪钛飞光电科技有限公司
Inventor： 陈钢
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明提出一种探测成像传感器，涉及探测成像领域，探测成像传感器包括：平行且相对设置的第一基板和第二基板以及位于第一基板和第二基板之间的光介质层；其中，第一基板包括玻璃基板以及位于玻璃基板上方且靠近光介质层一侧的电极层，第二基板包括反射层以及位于反射层上方且靠近光介质层一侧的光敏层。本发明利用光敏层构成的光敏电阻或电容，控制加载的电压或电流发生变化，通过直接显示，实现非可见光成像。
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公开(公告)号：CN110933335B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010068031.6
申请日：2020-01-21
Applicant: 南京迪钛飞光电科技有限公司
Inventor： 陈钢
IPC: H04N5/32 , H04N5/14 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种平板探测器的驱动电路及其时序驱动方法，平板探测器的驱动电路包括放大电路和输出信号至数据线的第一TFT开关；所述放大电路包括与反偏电压连接的第二TFT开关、光电二极管、第三TFT开关以及与工作电压连接的第四TFT开关；其中，所述第二TFT开关的控制端连接电源电压，第二TFT开关的第一通路端与反偏电压连接，第二TFT开关的第二通路端与光电二极管的负极连接。本发明通过在反偏电压和光电二极管之间设置第二TFT开关，在光电二极管转换时，通过第二TFT开关启动光电二极管进行光信号转换成电信号，光电二极管转换完成后，关闭第二TFT开关,可以最大限度的避免电荷的泄露。
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公开(公告)号：CN112002720A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202011168064.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 南京迪钛飞光电科技有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种光电探测器及其制造方法，光电探测器包括薄膜晶体管、光电转换器、透明电极层、第一触控金属层、有机绝缘层以及绝缘层；所述光电转换器包括均与源极和漏极接触的N型半导体材料层、位于N型半导体材料层上的I型半导体材料层以及位于I型半导体材料层上的P型半导体材料层。本发明光电探测器的光电转换器兼顾半导体层的功能，使得薄膜晶体管为耗尽型的薄膜晶体管；沟道区被光电转换层的N型半导体材料层覆盖，减少工艺步骤，减少掩膜版，实现半导体层的最大利用，实现光电转换器和薄膜晶体管功能的合并，实现像素信号放大效果的同时增大了开口；减少X射线光源闪烁提高了刷新效率。
