-
公开(公告)号:CN113078245A
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN202110319516.2
申请日:2021-03-25
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
Abstract: 本发明涉及发光二极管技术领域,具体涉及一种LED铝电极及其制备方法,本发明中LED电极包括第一电极和第二电极,所述第一电极在外延层上由下而上依次为铬层、第一钛层、铝合金层;所述第二电极包覆所述第一电极的表面和侧壁,所述第二电极由内到外依次为第二钛层和金层;所述铝合金为铝铜合金。本发明将Al材质改为含铜的Al合金,增加了铝电极的机械强度,缓解了纯Al电极易失铝的问题;采用Au对第一电极表面及侧壁进行包覆,增加了Al电极的密闭性,进一步避免了失铝问题,且仅使用一层薄薄的金,既解决了用金电极成本高的问题,其可靠性水平又接近金电极,效果好。
-
公开(公告)号:CN112701176B
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN202110304745.7
申请日:2021-03-23
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/05 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及砷化镓薄膜电池技术领域,尤其涉及一种砷化镓薄膜太阳电池及制作方法。一种砷化镓薄膜太阳电池,包括外延层、聚酰亚胺薄膜层和键合层,外延层上均匀间隔开设有腐蚀槽,腐蚀槽把外延层分割成具有间距的阵列状外延层,与外延层接触的键合层上均匀间隔开设有走道,走道把与外延层接触的键合层分割成具有间距的阵列状键合层。一种砷化镓薄膜太阳电池的制作方法,使用ICP或化学腐蚀的办法,外延层和键合层被分割为具有间距的微小的阵列,并且实现阵列之间的互联,使得有源层进行小面积分割互联,有效减少的外延层应力的释放,解决了由于聚酰亚胺薄膜无法抵抗外延层的应力而造成整个器件是弯曲的问题。
-
公开(公告)号:CN112103356A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202011235406.X
申请日:2020-11-09
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高效三结砷化镓太阳电池及制作方法,太阳电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底隧穿结、第一组DBR,中电池、中顶隧穿结、顶电池和盖帽层;其中,中电池由第二组DBR,In0.01GaAs基区,GaInP发射区和AlInP窗口层组成。通过双层DBR的引入,可大幅降低中电池基区的厚度,提高产品的辐照性能,同时,由于厚度的降低,可降低载流子迁移过程的复合几率,提高开路电压和短路电流密度。
-
公开(公告)号:CN112071961A
公开(公告)日:2020-12-11
申请号:CN202011265859.7
申请日:2020-11-13
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0735
Abstract: 本发明公开了一种电池基板减薄方法及电池,属于太阳电池技术领域,其中电池基板减薄技术包括以下步骤:首先通过在锗基板上制作正面电极与减反射膜,而后采用临时键合技术,将锗基板键合至临时基板上,而后对锗基板上无正面电极的面进行减薄、抛光;然后对减薄面采用溶液做进一步抛光,抛光完后对减薄面进行背面电极蒸镀,而后将背面电极蒸镀至减薄面上;而后通过解键合,将相互连接的锗基板与临时基板进行分离;而后对锗基板及蒸镀于锗基板上的背面电极进行切割,得到单体电池。本发明公开的电池基板减薄方法具有能够大幅降低电池重量的优点,并且可以保证制造的良率,采用本发明公开的技术制成的电池具有轻质高效的优点。
-
公开(公告)号:CN111799344A
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN202010931623.6
申请日:2020-09-08
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种柔性砷化镓太阳能电池及其制作方法。柔性砷化镓太阳能电池包括底部蒸镀有下电极的图形化PI衬底、砷化镓外延层、上电极和减反射膜,图形化PI衬底上方和砷化镓外延层下方蒸镀有键合金属,键合金属将PI薄膜和外延层键合。砷化镓外延层可为倒置生长的单结砷化镓太阳能电池或者多结砷化镓太阳能电池,柔性电池背面为金属电极,可以直接贴在设备表面使用,简化后续封装工艺,并且由于和设备表面直接贴合,可以增加柔性砷化镓太阳电池的散热性,提高产品的稳定性;刚性透明刚性临时衬底的使用,减少了使用砷化镓作为临时衬底带来的高成本和高污染的情况,并且降低了临时衬底去除时带来的对外延层破坏的风险。
-
公开(公告)号:CN109599460A
公开(公告)日:2019-04-09
申请号:CN201811431322.6
申请日:2018-11-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种复合背面场空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法,它优化了常规空间晶格匹配GaInP/GaInAs/Ge电池中的背面场层,即:本发明在空间晶格匹配GaInP/InGaAs/Ge电池中的中电池和顶电池分别引入复合背面场结构,中电池为Al0.3Ga0.7As/Ga0.5In0.5P复合背面场结构,顶电池为Al0.33Ga0.15In0.52P/Al0.1Ga0.4In0.5P复合背面场结构。通过复合背面场各层组分和浓度的设计,使背面场内形成导带阶和浓度梯度,使得背面场与基区间电场加强,从而使电池基区中产生的光生载流子到达背面场时反射效率提高,少子更好的被收集,从而提升了电池的光电转化效率。
-
公开(公告)号:CN109545898A
公开(公告)日:2019-03-29
申请号:CN201811421360.3
申请日:2018-11-26
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/0352 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/1844 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/03529 , H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法。为了提高GaInP/GaInAs/Ge太阳能电池的抗辐照能力,目前常采用技术主要是将顶电池GaInP的厚度减薄,使电池变成顶电池限流,使辐照后中电池电流的衰减不引起整个电流的变化;另外在中电池中增加分布式布拉格反射器(DBR)结构、减薄中电池GaInAs的厚度,使的中电池GaInAs抗辐照能力增强。本发明公开了一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法,与常规空间GaInP/InGaAs/Ge电池结构相比,采用本发明技术方案的产品结构在常规GaInP/InGaAs/Ge电池中电池窗口层上沉积一定厚度、高掺杂的阻隔层材料AlGaAs,通过使中电池厚度增加,使得辐射通量更小的较高能量的质子停留在中电池基区,使得中电池的累积损伤更小,从而提高了电池的抗辐射能力。
-
公开(公告)号:CN105870276B
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201610412856.9
申请日:2016-06-13
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有ITO结构的LED芯片及其切割方法,该方法先制成发光二极管外延片;然后在外延片上制作ITO薄膜层;在ITO薄膜层上制作出带切割走道的介质膜层;经过湿法或干法蚀刻制作出图形化的ITO薄膜层和p‑GaP窗口层;在图形化的ITO薄膜层和p‑GaP窗口层上制作金属电极层;采用钻石刀片对应预制作的切割走道进行芯粒切割。本发明采用预制作的切割走道宽度大于刀片厚度4‑6μm,这样避免了钻石刀片与ITO薄膜直接接触,减少对高速旋转状态的钻石切割刀片的阻力,并解决了ITO薄膜和GaP薄膜在刀片切割时直接接触容易伴随碎屑附着和产生的崩角、崩边、裂纹等问题,极大地提升了产品的外观质量、可靠性和成品良率。
-
公开(公告)号:CN106167891A
公开(公告)日:2016-11-30
申请号:CN201610769936.X
申请日:2016-08-31
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可调节式全角度蒸镀机构视窗,包括:第一、第二旋转挡板及旋转视窗,第一、第二旋转挡板及旋转视窗通过同轴连接器依次同轴并列设置,第一、第二旋转挡板呈两个互补的扇形结构并结合组成圆形结构,第二旋转挡板通过转动调节其闭合与开启状态,旋转视窗通过视窗旋转轴控制,两个旋转挡板与旋转视窗通过固定轴连接。本发明通过可调节旋转挡板来全角度观察到蒸镀机腔室内部的运行情况,避免了在非观察期间旋转视窗造成的损伤,延长旋转视窗使用周期。本发明所述旋转挡板与旋转视窗的结构简单紧凑,使用方法简便,可视化窗口观察角度全面,易于更换和维护,延长了使用周期,降低成本。
-
公开(公告)号:CN112701176A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202110304745.7
申请日:2021-03-23
Applicant: 南昌凯迅光电有限公司
IPC: H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/05 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及砷化镓薄膜电池技术领域,尤其涉及一种砷化镓薄膜太阳电池及制作方法。一种砷化镓薄膜太阳电池,包括外延层、聚酰亚胺薄膜层和键合层,外延层上均匀间隔开设有腐蚀槽,腐蚀槽把外延层分割成具有间距的阵列状外延层,与外延层接触的键合层上均匀间隔开设有走道,走道把与外延层接触的键合层分割成具有间距的阵列状键合层。一种砷化镓薄膜太阳电池的制作方法,使用ICP或化学腐蚀的办法,外延层和键合层被分割为具有间距的微小的阵列,并且实现阵列之间的互联,使得有源层进行小面积分割互联,有效减少的外延层应力的释放,解决了由于聚酰亚胺薄膜无法抵抗外延层的应力而造成整个器件是弯曲的问题。