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公开(公告)号：CN113764351B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110625374.2
申请日：2021-06-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。根据一些实施例，通过穿过第一电介质层和第二电介质层暴露源极/漏极区域，来形成源极/漏极接触件。使第二电介质层在第一电介质层之下凹陷，并且在源极/漏极区域上形成硅化物区域，其中硅化物区域具有扩展的宽度。
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公开(公告)号：CN116779438A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310249036.2
申请日：2023-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/8238 , H01L21/67
Abstract: 本揭露提供一种集成退火系统及其制造集成电路与场效晶体管的方法。制造集成电路(IC)的方法包括以下步骤：提供基板；在基板中形成p型井区；在基板中形成n型井区；在第一温度下进行微波退火；在微波退火之后，在高于第一温度的第二温度下进行补充退火；及在p型井区及n型井区中制造多个场效晶体管(FET)。
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公开(公告)号：CN110310889B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201810937691.6
申请日：2018-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L27/092 , H01L29/51
Abstract: 本文描述的实施例涉及用于图案化掺杂层(诸如含镧层)的方法，用于掺杂FinFET器件的栅极堆叠件中的高k介电层以用于阈值电压调节。可以在掺杂层和用于图案化掺杂层的硬掩模层之间形成阻挡层。在实施例中，阻挡层可以包括或者可以是氧化铝(AlOx)。阻挡层可以防止来自硬掩模层的元素扩散到掺杂层中，并且因此可以提高形成的器件的可靠性。阻挡层还可以通过减少图案化引起的缺陷来改善图案化工艺。本发明的实施例涉及用于图案化含镧层的方法。
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公开(公告)号：CN116247074A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310115567.2
申请日：2023-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法。在一实施例中，装置包括源极/漏极区域，邻接于通道区域；层间介电质，位于源极/漏极区域上；源极/漏极接触，延伸穿过层间介电质且进入源极/漏极区域；金属半导体合金区域，位于源极/漏极接触及源极/漏极区域之间，金属半导体合金区域，设置在通道区域的上表面下方，金属半导体合金区域包括第一掺杂物；以及接触间隔物，环绕源极/漏极接触，接触间隔物包括第一掺杂物及非晶化杂质。
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公开(公告)号：CN115527891A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210585485.X
申请日：2022-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露提供一种基材接合设备、基材处理设备及其系统。基材接合设备包含流体冷却模块与用于基材内的多个区域(例如二或更多个区域)侦测温度的感测器模块。根据本揭露，基材接合设备实现了基材中的温度稳定。基材接合设备更通过减少变形残留物、减少在基材的边缘上的气泡、与缩减在基材内的非接合面积，来改善接合制程效能。
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公开(公告)号：CN115472502A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210500767.5
申请日：2022-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L23/544 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体元件及其制造方法被提供。此方法包含:提供具有第一区域以及第二区域的基材；形成多个沟槽在基材的第一区域中；形成多层堆叠在基材上方并且在沟槽中；以及图案化多层堆叠以及基材以在第一区域中的多个第一鳍片上方形成多个第一纳米结构并且在第二区域中的多个第二鳍片上方形成多个第二纳米结构，其中多层堆叠包含第一半导体层的至少一者以及第二半导体层中的至少一者交替地堆叠，并且多个沟槽位于相应的第一鳍片的对应者中。
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公开(公告)号：CN115295495A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210530003.0
申请日：2022-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L21/265
Abstract: 本揭露提供一种半导体装置及其形成方法。掺杂井可利用平行植入技术及倾斜植入技术来形成具有较少侧向扩散及较少垂直掺杂的井。
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公开(公告)号：CN115206787A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210474737.1
申请日：2022-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供制造半导体装置的方法。方法包括将中性元素布植进介电层、蚀刻停止层和金属特征，其中介电层设置在蚀刻停止层上方，且金属特征设置穿过介电层和蚀刻停止层。方法进一步包括使用锗气体作为中性元素的来源，且使用高于6.75mA的射束电流布植中性元素。
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公开(公告)号：CN115084053A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210277567.8
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L27/092 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件的散热和制造方法。公开了具有改进的散热的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括第一晶体管结构；前侧互连结构，位于所述第一晶体管结构的前侧上，所述前侧互连结构包括前侧导电线；后侧互连结构，位于所述第一晶体管结构的后侧上，所述后侧互连结构包括后侧导电线，所述后侧导电线具有的线宽大于所述前侧导电线的线宽；以及第一散热衬底，耦合到所述后侧互连结构。
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公开(公告)号：CN115036360A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210395063.6
申请日：2022-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件的源极/漏极结构及其形成方法。提供了半导体器件及其形成方法。该方法包括形成从衬底延伸的半导体鳍片。在半导体鳍片上方形成虚设栅极堆叠。虚设栅极堆叠沿着半导体鳍片的侧壁和顶表面延伸。半导体鳍片被图案化以在半导体鳍片中形成凹陷。半导体材料被淀积在凹陷中。在半导体材料上执行植入工艺。植入工艺包括将第一植入物植入到半导体材料中并且将第二植入物植入到半导体材料中。第一植入物具有第一植入能量。第二植入物具有与第一植入能量不同的第二植入能量。
