一种IGBT串联阀段的主动均压控制方法

    公开(公告)号:CN104967292A

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201510369981.1

    申请日:2015-06-29

    IPC分类号: H02M1/088

    摘要: 本发明提供了一种IGBT串联阀段的主动均压控制方法,包括构建IGBT串联阀段的均压控制电路,向均压控制电路发送PWM调制信号,对IGBT串联阀段中的IGBT进行均压控制;IGBT串联阀段由第一IGBT和第二IGBT串联组成。与现有技术相比,本发明提供的一种IGBT串联阀段的主动均压控制方法,采用多重闭环控制方式,不仅可以保证串联器件间的动态均压性能,而且可以实现对IGBT的集电极电压变化速率的保护,防止开关过程中因集电极电压变化速率过大损坏IGBT。

    一种压接型IGBT串联应用模式下的自取能直流变换电路

    公开(公告)号:CN105186864B

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201510565905.8

    申请日:2015-09-08

    IPC分类号: H02M3/155

    摘要: 本发明提供一种压接型IGBT串联应用模式下的自取能直流变换电路,所述自取能直流变换电路包括第一级电压变换模块、第二级电压变换模块和模拟电阻负载模块;所述第一级电压变换模块的输入端和模拟电阻负载模块均并联在取能电容Cs两端,第二级电压变换模块的输入端并联在第一级电压变换模块的输出端。本发明提供一种压接型IGBT串联应用模式下的自取能直流变换电路,实现压接型IGBT串联应用模式下完成从IGBT源漏极之间直接取得电能供IGBT驱动电路的高电位自取能,并解决自取能直流变换电路对IGBT串联静态均压的影响。

    一种IGBT串联阀段的主动均压控制方法

    公开(公告)号:CN104967292B

    公开(公告)日:2018-05-01

    申请号:CN201510369981.1

    申请日:2015-06-29

    IPC分类号: H02M1/088

    摘要: 本发明提供了一种IGBT串联阀段的主动均压控制方法,包括构建IGBT串联阀段的均压控制电路,向均压控制电路发送PWM调制信号,对IGBT串联阀段中的IGBT进行均压控制;IGBT串联阀段由第一IGBT和第二IGBT串联组成。与现有技术相比,本发明提供的一种IGBT串联阀段的主动均压控制方法,采用多重闭环控制方式,不仅可以保证串联器件间的动态均压性能,而且可以实现对IGBT的集电极电压变化速率的保护,防止开关过程中因集电极电压变化速率过大损坏IGBT。

    一种压接型IGBT串联的电容推挽线性隔离高电位自取能电路

    公开(公告)号:CN105991006A

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201510064630.X

    申请日:2015-02-06

    IPC分类号: H02M1/08 H02M3/337

    摘要: 本发明提供一种压接型IGBT串联的电容推挽线性隔离高电位自取能电路,包括前馈取能电路和DC-DC取能变换器;所述前馈取能电路并联在压接型IGBT的漏极和栅极之间,所述前馈取能电路通过DC-DC取能变换器连接GU驱动板,所述GU驱动板的输出端连接压接型IGBT的栅极。本发明提供的压接型IGBT串联的电容推挽线性隔离高电位自取能电路,利用大容量电容器作为能量池,以电容推挽的工作方式实现自动均压,最终实现高压IGBT在串联应用条件下自取能供给IGBT驱动保护电路。

    一种压接型IGBT串联应用模式下的自取能直流变换电路

    公开(公告)号:CN105186864A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510565905.8

    申请日:2015-09-08

    IPC分类号: H02M3/155

    摘要: 本发明提供一种压接型IGBT串联应用模式下的自取能直流变换电路,所述自取能直流变换电路包括第一级电压变换模块、第二级电压变换模块和模拟电阻负载模块;所述第一级电压变换模块的输入端和模拟电阻负载模块均并联在取能电容Cs两端,第二级电压变换模块的输入端并联在第一级电压变换模块的输出端。本发明提供一种压接型IGBT串联应用模式下的自取能直流变换电路,实现压接型IGBT串联应用模式下完成从IGBT源漏极之间直接取得电能供IGBT驱动电路的高电位自取能,并解决自取能直流变换电路对IGBT串联静态均压的影响。

    一种基于串联压接型IGBT的主动均压控制方法

    公开(公告)号:CN105991009A

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201510079733.3

    申请日:2015-02-13

    IPC分类号: H02M1/088

    摘要: 本发明提供一种基于串联压接型IGBT的主动均压控制方法,所述方法包括:压接型IGBT源漏电压反馈控制;压接型IGBT门极电压反馈控制;压接型IGBT源漏电压变化率反馈控制。本发明提供的基于串联压接型IGBT的主动均压控制方法,通过引入多重闭环反馈,使压接型IGBT开关过程中集射极电压跟随集射极参考电压变化而变化,从而实现压接型IGBT直接串联中开通与关断暂态过程中各串联IGBT阀端电压均衡。

    一种适用于IGBT串联应用模式下的高电位自取能系统

    公开(公告)号:CN105991008A

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201510064724.7

    申请日:2015-02-06

    IPC分类号: H02M1/088

    摘要: 本发明提供一种适用于IGBT串联应用模式下的高电位自取能系统,包括n个依次串联的自取能单元;所述自取能单元包括IGBT、前馈取能电路、DC-DC取能变换器和GU驱动板,所述前馈取能电路并联在IGBT的漏极和栅极之间,并通过DC-DC取能变换器连接GU驱动板,所述GU驱动板的输出端连接IGBT的栅极。本发明可以实现在换流器直流侧母线电压由零爬升至较低的电压水平高电位自取能系统即可获取电能,在换流器长期闭锁的条件下也可以获得稳定的电能以及在换流器工作在连续斩波工作状态下亦可以获得充足的电能。

    一种具有屏蔽结构的电抗器

    公开(公告)号:CN204991410U

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201520804056.2

    申请日:2015-10-16

    IPC分类号: H01F27/36 H05K9/00

    摘要: 本实用新型提供了一种具有屏蔽结构的电抗器,包括空心电抗器和金属屏蔽罩,空心电抗器置于金属屏蔽罩内部;金属屏蔽罩包括四根金属支架和至少两根上下平行排列的环状闭合金属导体;环状闭合金属导体与空心电抗器本体同轴布置,环状闭合金属导体固定架设在等间距设置的金属支架上。与现有技术相比,本实用新型提供的一种具有屏蔽结构的电抗器,提高了在高du/dt工况下电抗器杂散电容的抑制能力,适用于任何高频、高压及高敏感度的场合。

    一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法

    公开(公告)号:CN105871179A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610206154.5

    申请日:2016-04-05

    IPC分类号: H02M1/08

    摘要: 本发明提供一种基于全模拟电路的参考电压曲线获取方法,通过确定参考电压曲线的工作原理及试验用全模拟电路;根据参考电压曲线的工作原理,在全模拟电路中对参考电压曲线进行时序控制;在全模拟电路中对参考电压曲线进行电压大小及斜率控制;结合时序控制、大功率充放电控制及电压区间识别控制,获取参考电压曲线。本发明提出的方法简单高效,克服了最高速率瓶颈问题;提高了电路的EMC性能,并利用最少的电子元器件巧妙设计出了准确的电压参考曲线。