一种IGBT过压保护装置及方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117955468A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202410123496.5

    申请日:2024-01-29

    IPC分类号: H03K17/081 H03K17/567

    摘要: 本发明涉及高压输电技术领域,公开了一种IGBT过压保护装置及方法,包括:控制器、过压判断单元、电压采集单元及驱动电路,其中,电压采集单元,其用于采集IGBT的集电极与发射极之间的电压;过压判断单元,其用于将采集电压与多个基准电压进行比较后输出多个过压判断结果;驱动电路,其用于基于驱动信号控制IGBT的通断;控制器判断IGBT当前运行工况后,选择与当前运行工况对应的过压判断结果,基于该过压判断结果驱动驱动电路对IGBT进行过压保护。本发明根据IGBT的工况选取该工况下对应的电压比较结果,并按照该电压比较结果控制IGBT导通对应时间,实现对IGBT的可控快速过压保护。

    一种功率器件过压保护电路
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117458406A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311412704.5

    申请日:2023-10-27

    IPC分类号: H02H7/20 H02H3/20

    摘要: 本发明涉及高压输电技术领域,公开了一种功率器件过压保护电路,本发明主要有III级过压保护电路,第I、II级过压保护电路实现不同工况下,过压阈值由高值切换到低值,通过电压检测电路由控制电路实现目标体功率器件自主可控保护;第III级过压保护电路通过被动器件检测过压信号,实现目标功率器件快速被动钳位与通过内部采样保持模块快速开通,进而实现快速保护。通过III级过压保护电路实现过压保护较好效果,将提升整体电力电子装置的可靠性。

    一种半导体器件驱动装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115811308A

    公开(公告)日:2023-03-17

    申请号:CN202211671650.X

    申请日:2022-12-23

    摘要: 本发明公开了一种半导体器件驱动装置,包括:主控单元、信号发生单元和可调负载单元;主控单元和第一信号发生单元的输入端连接,第一信号发生单元的输出端和可调负载单元的一端连接,可调负载单元的另一端用于与被驱动器件的门极连接;主控单元用于根据目标阻值生成控制指令并将控制指令发送至信号发生单元,信号发生单元用于根据控制指令生成基准控制信号,可调负载单元用于根据基准控制信号调节被驱动器件的门极开通电阻阻值和/或门极关断电阻阻值,通过信号发生单元生成基准控制信号,只要调节基准控制信号就可以通过可调负载单元连续地调节门极开通电阻阻值和/或门极关断电阻阻值。

    一种自取能高压IGBT驱动系统测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN116520051A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310417660.9

    申请日:2023-04-18

    IPC分类号: G01R31/00

    摘要: 本发明提供的一种自取能高压IGBT驱动系统测试装置及测试方法,该装置中电源产生单元,用于根据可编程控制单元指令,生成预设主电源,将预设主电源输送至波形调制单元;波形调制单元,用于根据可编程控制单元指令,对从电源产生单元输入的主电源电压进行调制输出预设电压波形,利用预设电压波形给自取能高压IGBT驱动系统供电;可编程控制单元,用于根据预设工况模式生成指令,将指令发送至电源产生单元及波形调制单元,同时控制自取能高压IGBT驱动系统执行相应功能,以验证自取能高压IGBT驱动系统的各项功能是否正常。通过实施本发明,不需要搭建实际的工程模块或者样机进行模拟测试,缩短了项目开发的周期,降低了成本。