基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法

    公开(公告)号:CN104103306A

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201410285236.4

    申请日:2014-06-24

    IPC分类号: G11C11/413

    摘要: 本发明涉及一种基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法,该方法包括:由多个相同的SRAM存储器和一个冗余系统控制电路组成多模冗余存储系统;在多模冗余存储系统中的SRAM存储器的存储阵列中选择多个数据位作为观察位,观察位存储已知数据;冗余系统控制电路对每个SRAM存储阵列中的观察位进行周期性检查,当发现观察位数据发生翻转错误,则刷新对应SRAM存储阵列中发生翻转错误的观察位周围的嫌疑区域内的数据位,并且在刷新前的判决时放弃采用这些数据,刷新完成后,将对应的观察位的数据恢复。本发明可以提高冗余判决的正确率,降低每个存储器的数据错误率,最终使多模冗余存储系统整体的性能得到提高。

    适用于低电压环境的电流镜电路

    公开(公告)号:CN104898760B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201510215427.8

    申请日:2015-04-30

    IPC分类号: G05F3/26

    摘要: 适用于低电压环境的电流镜电路。针对现有电流镜的不足,本发明提供一种新结构的电流镜,由电流镜单元、减压降电路和启动电路单元三部分构成;所述电流镜单元包括第一晶体管MP1和第二晶体管MP2;所述减压降电路包括第三晶体管MP3、第四晶体管是MN1、第五晶体管MN2和第六晶体管MN3;所述启动电路单元包括第七晶体管MP4;有益的技术效果:本发明能减小电流镜晶体管源漏端电压降,使得在低电源电压时,能为产生电流的模块提供足够大的电压降,使其能正常工作,取得更好的性能。

    基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法

    公开(公告)号:CN104103306B

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201410285236.4

    申请日:2014-06-24

    IPC分类号: G11C11/413

    摘要: 本发明涉及一种基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法,该方法包括:由多个相同的SRAM存储器和一个冗余系统控制电路组成多模冗余存储系统;在多模冗余存储系统中的SRAM存储器的存储阵列中选择多个数据位作为观察位,观察位存储已知数据;冗余系统控制电路对每个SRAM存储阵列中的观察位进行周期性检查,当发现观察位数据发生翻转错误,则刷新对应SRAM存储阵列中发生翻转错误的观察位周围的嫌疑区域内的数据位,并且在刷新前的判决时放弃采用这些数据,刷新完成后,将对应的观察位的数据恢复。本发明可以提高冗余判决的正确率,降低每个存储器的数据错误率,最终使多模冗余存储系统整体的性能得到提高。

    适用于低电压环境的电流镜电路

    公开(公告)号:CN104898760A

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201510215427.8

    申请日:2015-04-30

    IPC分类号: G05F3/26

    摘要: 适用于低电压环境的电流镜电路。针对现有电流镜的不足,本发明提供一种新结构的电流镜,由电流镜单元、减压降电路和启动电路单元三部分构成;所述电流镜单元包括第一晶体管MP1和第二晶体管MP2;所述减压降电路包括第三晶体管MP3、第四晶体管是MN1、第五晶体管MN2和第六晶体管MN3;所述启动电路单元包括第七晶体管MP4;有益的技术效果:本发明能减小电流镜晶体管源漏端电压降,使得在低电源电压时,能为产生电流的模块提供足够大的电压降,使其能正常工作,取得更好的性能。

    雷达应用验证方法及验证平台
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114254513A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202111583903.3

    申请日:2021-12-22

    IPC分类号: G06F30/20

    摘要: 本发明公开一种雷达应用验证方法及验证平台,属于雷达技术领域,方法包括选取待验证的固态微波功率器件和信号处理器件,分别集成TR组件、信号处理模块和信号处理机,信号处理机内部集成若干个信号处理模块;将TR组件、信号处理模块和信号处理机置于缩比阵列雷达系统中;分别对TR组件、信号处理模块、信号处理机和缩比阵列雷达系统进行应用验证;根据验证结果,优化器件选型或优化模块设计。本发明可满足模块级、分系统级、系统级多级应用验证需求,通用性好。