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公开(公告)号：CN117496492A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311201309.2
申请日：2023-09-18
申请人： 杭州意能电力技术有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G06V20/60 , G06V10/20 , G06V10/28 , G06V10/30 , G06V10/34 , G06V10/44 , G06V10/22 , G06T7/11 , G06T7/136 , G06T7/60
摘要： 本发明公开了一种面向仪表检测的精密压力表自动读数方法及装置。本发明的精密压力表自动读数方法包括：步骤A：对摄像机拍摄的仪表图像进行预处理，裁剪获得表盘图像；步骤B：对于步骤A获得的表盘图像，检测其表盘圆心；步骤C：对于步骤A获得的表盘图像，检测其指针方向以及指针偏转角；步骤D：对于步骤A获得的表盘图像，检测其零刻度线和满刻度线位置以及相应的偏转角；步骤E：对于步骤A获得的表盘图像，自动获取其量程；步骤F：自动完成读数计算。本发明基于精密压力表指针和刻度线的像素分布特征来准确检测其位置，能够有效减少因光照或表盘背景干扰而导致的误识别，具有较高的鲁棒性和实用性。
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公开(公告)号：CN117471264A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311324163.0
申请日：2023-10-13
申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/26 , G01R19/00 , G01R19/175 , H02H7/122 , H02H5/04
摘要： 本发明属于变流器电力电子器件的结温测量技术领域，具体涉及电压获取电路、获取方法、结温估算方法及过温保护方法。针对现有变流器的电力电子器件结温测量准确性不高的不足，本发明采用如下技术方案：功率半导体器件的膝盖电压获取电路，包括：导通压降测量模块；电流传感器；电流过零检测模块；模数转换模块；导通压降测量模块可实时获取功率半导体器件的导通压降值，并阻挡直流母线电压；电流过零检测电路可以实时感应变流器输出交流电流的过零点，并控制模数转换模块的使能，从而实现在电流过零点附件采集到功率半导体器件的膝盖电压。本发明的功率半导体器件的膝盖电压获取电路，通过获取电路得到膝盖电压的原始数据。
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公开(公告)号：CN117497497A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311842265.1
申请日：2023-12-29
申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/49
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种功率模块液冷散热封装结构。针对现有碳化硅功率模块散热效率较低的不足,本发明采用如下技术方案：一种功率模块液冷散热封装结构，包括DBC陶瓷基板；功率芯片；内铜层，形成流经功率芯片的内冷却通道；外铜层，形成外冷却通道；冷却液，在内冷却通道和外冷却通道流动；引线，一端连接功率芯片，另一端经内铜层、DBC陶瓷基板引出；DBC陶瓷基板、内铜层、功率芯片、外铜层沿厚度方向层叠分布并连接为一个整体。本发明的有益效果是：提高了散热效率，降低了不同面的温度差，提升功率芯片工作可靠性；相比现有的双面水冷散热结构，外铜层可以直接形成封装结构的外表面。
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公开(公告)号：CN117450931A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311406142.3
申请日：2023-10-25
摘要： 本发明公开了一种避雷器爬电距离检测方法和仪器，属于避雷器检测技术领域。本发明的一种避雷器爬电距离检测方法，通过建立图像获取模型、深度感知模型、容积重建模型、避雷器合成模型、几何距离计算模型，识别和标注避雷器图像中的表面特征和边缘信息，得到避雷器表面信息，进而重建出避雷器的内部结构特征；再耦合避雷器的内部结构特征和避雷器表面信息，生成避雷器三维数字孪生数据；最后根据避雷器三维数字孪生数据，准确检测出避雷器爬电距离，可以有效解决凹凸表面存在的大量噪声和冗余数据问题，使得爬电距离检测效率得到大幅提升，减少了人工的主观随意性和误差，数据精度以及可靠性更高。
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公开(公告)号：CN114414975A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210047622.4
申请日：2022-01-17
申请人： 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统，包括绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；根据器件动态温敏电参数值、负载电流I和结温Tj的关系构建解析模型；根据器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I、确定器件在线运行的结温。本发明能间接测量碳化硅MOSFET在任何工况下的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据，有利于保证电力系统的可靠运行。
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公开(公告)号：CN118092547B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410487816.5
申请日：2024-04-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05D23/30 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本发明提供一种静电卡盘加热控制装置及静电卡盘，涉及半导体技术领域。控制装置包括：控制模块、脉冲宽度调制信号输出模块和脉冲宽度调制隔离驱动模块，脉冲宽度调制信号输出模块包括：信号转化模块，用于确定计数中数和计数周期；寄存器组，第1至n个寄存器与n个加热单元对应，用于存储计数中数，第n+1个寄存器用于存储计数周期；根据计数周期循环计数的计数器；n个比较器，在每一计数周期根据当前计数与计数中数的比较结果生成脉冲宽度调制信号。脉冲宽度调制隔离驱动模块用于发出脉冲宽度调制信号。通过本发明提供的装置，能够单独控制加热单元，保证静电卡盘加热均匀性，实现晶圆整体均热性，提高半导体制造工艺良率。
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公开(公告)号：CN118092547A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410487816.5
申请日：2024-04-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G05D23/30 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本发明提供一种静电卡盘加热控制装置及静电卡盘，涉及半导体技术领域。控制装置包括：控制模块、脉冲宽度调制信号输出模块和脉冲宽度调制隔离驱动模块，脉冲宽度调制信号输出模块包括：信号转化模块，用于确定计数中数和计数周期；寄存器组，第1至n个寄存器与n个加热单元对应，用于存储计数中数，第n+1个寄存器用于存储计数周期；根据计数周期循环计数的计数器；n个比较器，在每一计数周期根据当前计数与计数中数的比较结果生成脉冲宽度调制信号。脉冲宽度调制隔离驱动模块用于发出脉冲宽度调制信号。通过本发明提供的装置，能够单独控制加热单元，保证静电卡盘加热均匀性，实现晶圆整体均热性，提高半导体制造工艺良率。
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公开(公告)号：CN117497497B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311842265.1
申请日：2023-12-29
申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 浙江大学
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/473 , H01L23/49
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种功率模块液冷散热封装结构。针对现有碳化硅功率模块散热效率较低的不足,本发明采用如下技术方案：一种功率模块液冷散热封装结构，包括DBC陶瓷基板；功率芯片；内铜层，形成流经功率芯片的内冷却通道；外铜层，形成外冷却通道；冷却液，在内冷却通道和外冷却通道流动；引线，一端连接功率芯片，另一端经内铜层、DBC陶瓷基板引出；DBC陶瓷基板、内铜层、功率芯片、外铜层沿厚度方向层叠分布并连接为一个整体。本发明的有益效果是：提高了散热效率，降低了不同面的温度差，提升功率芯片工作可靠性；相比现有的双面水冷散热结构，外铜层可以直接形成封装结构的外表面。
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公开(公告)号：CN117929955A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211252026.6
申请日：2022-10-13
申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
摘要： 本发明公开了一种多参量的IGBT结温标定系统，包括电压源、IGBT驱动模块、上位机、数据采集模块、红外热像仪、未填充硅胶的IGBT模块、水冷模块和功率输出模块，本发明解决了现有IGBT结温标定结温系统复杂的问题，从而提高了IGBT结温标定的效率。本发明还公开了一种IGBT结温标定方法，首先上位机向IGBT驱动模块发送驱动信号，功率输出模块输出恒定电流，然后通过控制控流阀使红外热像仪中IGBT芯片的温度不再发生变化，最后记录IGBT的结温及对应的电参数值，从而精确地实现结温标定，本发明提升了IGBT结温监测的准确度，从而提高IGBT结温标定系统的可靠性和标定精度。
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公开(公告)号：CN116184146A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211476746.0
申请日：2022-11-23
申请人： 华北电力大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
发明人： 郭亚慧 , 孙鹏 , 李焕林 , 蔡雨萌 , 赵志斌 , 王异凡 , 邵先军 , 郑一鸣 , 刘黎 , 王少华 , 曾明全 , 孙明 , 张恬波 , 骆丽 , 王尊 , 王一帆 , 宋琦华 , 龚金龙 , 杨青
摘要： 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。
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