公开(公告)号：CN108169702B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201810186527.6

申请日：2018-03-07

申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网公司 ,  武汉市康达电气有限公司

发明人： 王异凡 ,  龚金龙 ,  王一帆 ,  宋琦华 ,  胡晓辉

IPC分类号： G01R35/00

摘要： 本发明公开了一种水内冷发电机专用绝缘电阻表检定平台及检定方法。本发明的检定平台包括高压高阻标准器Rx、双极性电压表V、双极性电流表A、电阻RY、电阻RH、开关K1、绕组接口L、汇水管接口G和机座接口E；所述的双极性电压表V连接在所述的绕组接口L和汇水管接口G之间；所述的双极性电流表A一端接在所述的汇水管接口G，所述的双极性电流表A另一端接在所述开关K1的下端；所述的电阻RY的上端连接在绕组端口L，所述的电阻RY的下端连接在开关K1的上端；所述的电阻RH连接在所述的汇水管接口G和所述的机座接口E之间。本发明使得测试结果更加符合现场工况，更加精确，同时为水内冷发电机专用绝缘电阻表的性能评估提供更完善的保障。

公开(公告)号：CN108169702A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201810186527.6

申请日：2018-03-07

申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网公司 ,  武汉市康达电气有限公司

发明人： 王异凡 ,  龚金龙 ,  王一帆 ,  宋琦华 ,  胡晓辉

IPC分类号： G01R35/00

摘要： 本发明公开了一种水内冷发电机专用绝缘电阻表检定平台及检定方法。本发明的检定平台包括高压高阻标准器Rx、双极性电压表V、双极性电流表A、电阻RY、电阻RH、开关K1、绕组接口L、汇水管接口G和机座接口E；所述的双极性电压表V连接在所述的绕组接口L和汇水管接口G之间；所述的双极性电流表A一端接在所述的汇水管接口G，所述的双极性电流表A另一端接在所述开关K1的下端；所述的电阻RY的上端连接在绕组端口L，所述的电阻RY的下端连接在开关K1的上端；所述的电阻RH连接在所述的汇水管接口G和所述的机座接口E之间。本发明使得测试结果更加符合现场工况，更加精确，同时为水内冷发电机专用绝缘电阻表的性能评估提供更完善的保障。

公开(公告)号：CN207799053U

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201820312635.9

申请日：2018-03-07

申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网公司 ,  武汉市康达电气有限公司

发明人： 王异凡 ,  龚金龙 ,  王一帆 ,  宋琦华 ,  胡晓辉

IPC分类号： G01R35/00

摘要： 本实用新型公开了一种水内冷发电机专用绝缘电阻表检定平台。本实用新型包括高压高阻标准器Rx、双极性电压表V、双极性电流表A、电阻RY、电阻RH、开关K1、绕组接口L、汇水管接口G和机座接口E；所述的双极性电压表V连接在所述的绕组接口L和汇水管接口G之间；所述的双极性电流表A一端接在所述的汇水管接口G，所述的双极性电流表A另一端接在所述开关K1的下端；所述的电阻RY的上端连接在绕组端口L，所述的电阻RY的下端连接在开关K1的上端；所述的电阻RH连接在所述的汇水管接口G和所述的机座接口E之间。本实用新型使得测试结果更加符合现场工况，更加精确，同时为水内冷发电机专用绝缘电阻表的性能评估提供更完善的保障。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN108919065A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810469226.4

申请日：2018-05-16

申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网公司 ,  上海工程技术大学

发明人： 王异凡 ,  龚金龙 ,  王一帆 ,  宋琦华 ,  王兆强

IPC分类号： G01R31/12 ,  G06F17/14

摘要： 本发明公开了一种GIS特高频局部放电在线监测管理系统。现有的各类GIS监测系统仅限于对GIS局部放电缺陷的诊断，忽视了对GIS设备的统一管理。本发明包括信号采集子系统、数据处理分析子系统和设备管理子系统；信号采集子系统，由UHF传感器接收GIS设备的局部放电信号，将局部放电信号转换为电压信号，然后经信号放大器放大，将数据传输到采集控制单元进行数据存储，通过光纤送至上位机主控平台；数据处理分析子系统，利用小波算法对局部放电信号进行降噪处理，并实现频谱图显示和局部放电报警。本发明集故障监测诊断、设备维护管理于一体，既能够智能分析电力设备的运行状态以及可能存在的放电缺陷类型，同时也能够方便地对设备进行管理。

公开(公告)号：CN113884850A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111098043.4

申请日：2021-09-18

申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 ,  浙江大学绍兴微电子研究中心

发明人： 王异凡 ,  龚金龙 ,  宋琦华 ,  孙明 ,  王一帆 ,  骆丽 ,  王尊 ,  刘黎 ,  邵先军 ,  王少华 ,  陈虔 ,  曾明全 ,  李文燕 ,  邓志江 ,  张斌 ,  林氦 ,  郭清 ,  陈少华

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种功率半导体特性参数测试系统及方法，属于半导体特性参数测试技术领域。本发明的一种功率半导体特性参数测试系统，包括功率主回路、双脉冲测试电路、电感阻隔电路。本发明设置辅助功率半导体对待测功率半导体的导通时间以及电路通断进行控制，并在功率半导体两端设置吸收电容，能够有效阻隔母线电容到测试半桥之间的部分寄生电感；同时功率主回路采用叠层母排结构进行设置，通过较小的回路面积大大降低了杂散电感，能够以更低的电压实现高电流承载。进而本发明能够有效减小电压过冲叠加以及开关损耗，同时能有效避免电磁干扰，使得本发明特别适用于对第三代半导体高压SiC功率器件进行高精度的动态特性参数测试。

公开(公告)号：CN112986782A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110202946.6

申请日：2021-02-23

申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 ,  浙江大学绍兴微电子研究中心 ,  国网浙江桐乡市供电有限公司

发明人： 王异凡 ,  龚金龙 ,  杨青 ,  刘黎 ,  王一帆 ,  孙明 ,  林氦 ,  邓志江 ,  曾振源 ,  张斌 ,  陈少华 ,  宋琦华 ,  周迅 ,  张显堡 ,  黄继来

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及功率半导体特性参数测试技术领域，提供了一种功率半导体特性参数测试系统，包括低压仪表设备单元、低压控制单元、高压仪表设备单元、高压控制单元、器件适配单元和测试主控单元；低压控制单元包括低压项目相关部件和继电器组；继电器组分别设于低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间并根据不同类型的低压参数测试项目预设对应的导通状态；继电器组按照预设导通状态使低压项目相关部件、低压仪表设备单元和待测功率器件之间切换连接状态以形成与测试项目对应的测试电路；将低压测试项目的测试电路整合到一起，通过继电器组，可以更改测试连接方式，自动实现不同测试项目的切换。

公开(公告)号：CN109581258B

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201811324511.3

申请日：2018-11-08

申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 王异凡 ,  孟东林 ,  缪京元 ,  杨青 ,  龚金龙 ,  王一帆 ,  宋琦华 ,  骆丽 ,  王尊 ,  刘江明 ,  孙正竹

IPC分类号： G01R35/00

摘要： 本发明公开了一种镜面‑单锥标准脉冲场复现系统及方法。本发明的镜面‑单锥标准脉冲场复现系统，包括镜面‑单锥子系统、位移量监控‑自动调整子系统、馈源‑射频子系统和软件控制子系统；所述的馈源‑射频子系统，包括脉冲信号源、示波器、阻抗变换器以及同轴电缆，通过同轴电缆把脉冲信号源与阻抗变换器连接，阻抗变换器作为馈源使用；所述的软件控制子系统，用于控制脉冲信号源和示波器，并且采集位移监控装置的数据；当锥尖相对于镜面的位移量超过设定范围时，软件控制子系统控制自动调整机构对锥体角度进行微调，减小锥尖与镜面之间的变形量。本发明确保标准脉冲场所依赖的几何外形不变，具有实现方式简单、成本低等优点。

公开(公告)号：CN117929955A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202211252026.6

申请日：2022-10-13

申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 王异凡 ,  曾明全 ,  龚金龙 ,  王一帆 ,  骆丽 ,  孙明 ,  邵先军 ,  郑一鸣 ,  宋琦华 ,  张恬波 ,  胡剑生 ,  马俊杰 ,  董朝阳 ,  周辉

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01J5/00

摘要： 本发明公开了一种多参量的IGBT结温标定系统，包括电压源、IGBT驱动模块、上位机、数据采集模块、红外热像仪、未填充硅胶的IGBT模块、水冷模块和功率输出模块，本发明解决了现有IGBT结温标定结温系统复杂的问题，从而提高了IGBT结温标定的效率。本发明还公开了一种IGBT结温标定方法，首先上位机向IGBT驱动模块发送驱动信号，功率输出模块输出恒定电流，然后通过控制控流阀使红外热像仪中IGBT芯片的温度不再发生变化，最后记录IGBT的结温及对应的电参数值，从而精确地实现结温标定，本发明提升了IGBT结温监测的准确度，从而提高IGBT结温标定系统的可靠性和标定精度。

公开(公告)号：CN117419876A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311396876.8

申请日：2023-10-26

申请人： 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 冯宇哲 ,  宋琦华 ,  扬立川 ,  李晨 ,  李特 ,  龚金龙 ,  郑一鸣 ,  王威

IPC分类号： G01M3/32

摘要： 本发明公开了一种水氢氢发电机冷却水箱内漏氢量的测量方法及装置，属于发电机技术领域，目的在于克服现有水氢氢发电机充氮型定子冷却水箱内漏氢量测量存在不准确的缺陷。本发明通过新增气体总量和新增氢气总量两个角度综合测量计算最终漏氢量，同时无需持续打开排气阀，避免了氢气积聚的安全隐患和定子冷却水箱排气管路改造的时间和资金成本，并且能够减少定子冷却水箱内非理想气体分布对漏氢量测量的影响，提高漏氢量测量的准确性。

公开(公告)号：CN116184146A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211476746.0

申请日：2022-11-23

申请人： 华北电力大学 ,  国网浙江省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 郭亚慧 ,  孙鹏 ,  李焕林 ,  蔡雨萌 ,  赵志斌 ,  王异凡 ,  邵先军 ,  郑一鸣 ,  刘黎 ,  王少华 ,  曾明全 ,  孙明 ,  张恬波 ,  骆丽 ,  王尊 ,  王一帆 ,  宋琦华 ,  龚金龙 ,  杨青

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01K7/22

摘要： 碳化硅MOSFET结温在线测量方法、系统及其应用，所述方法包括构建碳化硅MOSFET器件温敏电参数值与结温的线性解析模型；获得改变碳化硅MOSFET器件外部电路寄生参数后，室温下温敏电参数值；依不同寄生参数条件常温下温敏电参数值计算校准系数；依校准系数得到外部电路寄生参数改变，修正后的温敏电参数值与结温的线性解析模型；根据修正后温敏电参数值与结温的线性解析模型以及待测工况下温敏电参数的值，求取改变器件运行平台寄生参数后在线运行的结温。本发明能够间接测量碳化硅MOSFET在不同寄生参数条件下运行的结温，为碳化硅在实际应用中可靠性研究，状态监测以及健康管理提供依据。