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公开(公告)号:CN111965458A
公开(公告)日:2020-11-20
申请号:CN202010841437.3
申请日:2020-08-20
申请人: 国网经济技术研究院有限公司 , 华北电力大学 , 国网山东省电力公司检修公司
IPC分类号: G01R31/00
摘要: 本发明公开了一种平面状周期开孔屏蔽体的屏蔽效能确定方法及系统。本发明采用屏蔽效能测试系统测量的方式确定边缘效应的临界尺寸,并利用发射天线轴线上场点的屏蔽效能计算方法计算有效作用区域的屏蔽效能,实现了平面状周期开孔屏蔽体的边缘效应产生的边界的确定及边缘效应产生的边界的范围内的屏蔽效能的准确地计算。
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公开(公告)号:CN111965458B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202010841437.3
申请日:2020-08-20
申请人: 国网经济技术研究院有限公司 , 华北电力大学 , 国网山东省电力公司检修公司
IPC分类号: G01R31/00
摘要: 本发明公开了一种平面状周期开孔屏蔽体的屏蔽效能确定方法及系统。本发明采用屏蔽效能测试系统测量的方式确定边缘效应的临界尺寸,并利用发射天线轴线上场点的屏蔽效能计算方法计算有效作用区域的屏蔽效能,实现了平面状周期开孔屏蔽体的边缘效应产生的边界的确定及边缘效应产生的边界的范围内的屏蔽效能的准确地计算。
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公开(公告)号:CN111125610B
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN201911366089.2
申请日:2019-12-26
申请人: 华北电力大学 , 国网经济技术研究院有限公司 , 国网山东省电力公司检修公司
摘要: 本发明公开了一种磁场屏蔽效能预测方法及系统。该方法包括:获取导体板结构参数、发射环参数以及磁场频率序列中的一个预设磁场频率;计算导体板的屏蔽效能;计算发射环轴线上场点的屏蔽效能;判断磁场频率序列中的预设磁场是否全部获取完;若全部获取完,则生成频率‑导体板屏蔽效能关系曲线和频率‑发射环轴线上场点屏蔽效能关系曲线;确定临界频率;判断待预测磁场屏蔽效能对应的磁场频率是否小于临界频率;若小于临界频率,根据频率‑导体板屏蔽效能关系曲线进行屏蔽效能预测;若大于或等于临界频率,根据频率‑发射环轴线上场点屏蔽效能关系曲线进行屏蔽效能预测。采用本发明的方法及系统,能够满足通风、内部观察的需求,操作简便。
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公开(公告)号:CN111125610A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201911366089.2
申请日:2019-12-26
申请人: 华北电力大学 , 国网经济技术研究院有限公司 , 国网山东省电力公司检修公司
摘要: 本发明公开了一种磁场屏蔽效能预测方法及系统。该方法包括:获取导体板结构参数、发射环参数以及磁场频率序列中的一个预设磁场频率;计算导体板的屏蔽效能;计算发射环轴线上场点的屏蔽效能;判断磁场频率序列中的预设磁场是否全部获取完;若全部获取完,则生成频率-导体板屏蔽效能关系曲线和频率-发射环轴线上场点屏蔽效能关系曲线;确定临界频率;判断待预测磁场屏蔽效能对应的磁场频率是否小于临界频率;若小于临界频率,根据频率-导体板屏蔽效能关系曲线进行屏蔽效能预测;若大于或等于临界频率,根据频率-发射环轴线上场点屏蔽效能关系曲线进行屏蔽效能预测。采用本发明的方法及系统,能够满足通风、内部观察的需求,操作简便。
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公开(公告)号:CN110489866B
公开(公告)日:2023-02-10
申请号:CN201910768469.2
申请日:2019-08-20
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号: G06F30/20
摘要: 本发明公开了一种计算封闭腔体磁场屏蔽效能的预测方法,其特征在于,所述封闭腔体磁场屏蔽效能的预测方法包括以下步骤:步骤一:计算屏蔽体在某一低频点f0的磁场屏蔽效能SH(f0)=屏蔽前磁场/屏蔽后磁场;步骤二:计算形状因子其中,c为屏蔽体形状因子,Δ为屏蔽体金属材料的厚度,μ为磁导率,ω=2πf0;步骤三:根据步骤二的形状因子反推出整个频段的屏蔽效能表达式为:SH=|cosh(γΔ)+cγsinh(γΔ)|;步骤四:根据关系式SE=20log10(SH)计算对数形式下的屏蔽效能,绘制屏蔽效能曲线。
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公开(公告)号:CN110489866A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201910768469.2
申请日:2019-08-20
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号: G06F17/50
摘要: 本发明公开了一种计算封闭腔体磁场屏蔽效能的预测方法,其特征在于,所述封闭腔体磁场屏蔽效能的预测方法包括以下步骤:步骤一:计算屏蔽体在某一低频点f0的磁场屏蔽效能SH(f0)=屏蔽前磁场/屏蔽后磁场;步骤二:计算形状因子其中,c为屏蔽体形状因子,Δ为屏蔽体金属材料的厚度,μ为磁导率,ω=2πf0;步骤三:根据步骤二的形状因子反推出整个频段的屏蔽效能表达式为:SH=|cosh(γΔ)+cγsinh(γΔ)|;步骤四:根据关系式SE=20log10(SH)计算对数形式下的屏蔽效能,绘制屏蔽效能曲线。
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