-
公开(公告)号：CN101099248B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200580045925.7
申请日：2005-12-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L29/6656 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/665 , H01L29/7833 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , Y10S977/847 , Y10S977/938
Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底，包括位于其上的至少一个栅极区域，所述至少一个栅极区域包括至少一个一维纳米结构的层；以及金属碳化物接触，位于所述衬底的表面上，对准所述至少一个一维纳米结构的层的边缘。
-
公开(公告)号：CN1514473A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN200310113085.6
申请日：2003-12-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: C04B35/58 , C04B35/58085 , C04B2235/40 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/408 , C23C26/00 , C23C30/00 , H01L21/28518 , H01L21/76889
Abstract: 一种提供用于半导体元件的低阻非结块的一硅化镍接触点的方法。其中，制备基本上非结块的Ni合金一硅化物的本发明方法包括如下步骤：在一部分含Si基质上形成金属合金层，其中所述的金属合金层含有Ni和一种或多种合金添加剂，其中所述的合金添加剂是Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re或其混合物；将金属合金层在一定的温度下退火以将一部分所述的金属合金层转化成Ni合金一硅化物层；然后除去未转化成Ni合金一硅化物的残留的金属合金层。将合金添加剂选择用于相稳定性并且阻滞结块。最有效地阻滞结块的合金添加剂在生成低薄膜电阻的硅化物方面最有效。
-
公开(公告)号：CN100369219C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200310113085.6
申请日：2003-12-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: C04B35/58 , C04B35/58085 , C04B2235/40 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/408 , C23C26/00 , C23C30/00 , H01L21/28518 , H01L21/76889
Abstract: 一种提供用于半导体元件的低阻非结块的一硅化镍接触点的方法。其中，制备基本上非结块的Ni合金一硅化物的本发明方法包括如下步骤：在一部分含Si基质上形成金属合金层，其中所述的金属合金层含有Ni和一种或多种合金添加剂，其中所述的合金添加剂是Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re或其混合物；将金属合金层在一定的温度下退火以将一部分所述的金属合金层转化成Ni合金一硅化物层；然后除去未转化成Ni合金一硅化物的残留的金属合金层。将合金添加剂选择用于相稳定性并且阻滞结块。最有效地阻滞结块的合金添加剂在生成低薄膜电阻的硅化物方面最有效。
-
公开(公告)号：CN101099248A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200580045925.7
申请日：2005-12-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L29/6656 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/665 , H01L29/7833 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , Y10S977/847 , Y10S977/938
Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底，包括位于其上的至少一个栅极区域，所述至少一个栅极区域包括至少一个一维纳米结构的层；以及金属碳化物接触，位于所述衬底的表面上，对准所述至少一个一维纳米结构的层的边缘。
