公开(公告)号：CN115304097B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202211004208.1

申请日：2022-08-22

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 高立国 ,  何珍 ,  马廷丽

IPC: C01G19/02 ,  C03C17/36 ,  C30B7/08 ,  C30B7/14 ,  C30B29/16 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K30/50 ,  H10K30/85

Abstract: 本发明属于半导体功能材料的制备技术领域，公开了一种超低温制备二氧化锡晶体的方法，通过螯合的方式改变SnO2合成机理及路线，在超低的温度范围内，得到粒径可调控的SnO2晶体纳米颗粒。本发明方法所制备的SnO2具有高结晶性，且颗粒大小可调，并将其应用于n‑i‑p钙钛矿太阳能电池中。与现有技术相比，本发明具有原材料来源广泛，无毒无害，成本低，稳定性好；无需复杂工艺，操作简单，能耗较低，适用于柔性基底等优点。

公开(公告)号：CN115304097A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211004208.1

申请日：2022-08-22

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 高立国 ,  何珍 ,  马廷丽

IPC: C01G19/02 ,  C03C17/36 ,  C30B7/08 ,  C30B7/14 ,  C30B29/16 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明属于半导体功能材料的制备技术领域，公开了一种超低温制备二氧化锡晶体的方法，通过螯合的方式改变SnO2合成机理及路线，在超低的温度范围内，得到粒径可调控的SnO2晶体纳米颗粒。本发明方法所制备的SnO2具有高结晶性，且颗粒大小可调，并将其应用于n‑i‑p钙钛矿太阳能电池中。与现有技术相比，本发明具有原材料来源广泛，无毒无害，成本低，稳定性好；无需复杂工艺，操作简单，能耗较低，适用于柔性基底等优点。