一种超低温制备二氧化锡晶体的方法

    公开(公告)号:CN115304097A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202211004208.1

    申请日:2022-08-22

    Abstract: 本发明属于半导体功能材料的制备技术领域,公开了一种超低温制备二氧化锡晶体的方法,通过螯合的方式改变SnO2合成机理及路线,在超低的温度范围内,得到粒径可调控的SnO2晶体纳米颗粒。本发明方法所制备的SnO2具有高结晶性,且颗粒大小可调,并将其应用于n‑i‑p钙钛矿太阳能电池中。与现有技术相比,本发明具有原材料来源广泛,无毒无害,成本低,稳定性好;无需复杂工艺,操作简单,能耗较低,适用于柔性基底等优点。

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