公开(公告)号：CN118580080A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410851801.2

申请日：2024-06-27

申请人： 天津理工大学

发明人： 贺刚 ,  王姝萱 ,  杨蕾 ,  胡章贵

IPC分类号： C04B35/563 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明涉及了一种低温制备高致密度氮化硼陶瓷材料的方法。以微米片状六方氮化硼粉体为原料，添加少量硼酸水溶液，通过室温压制成型和低温无压烧结，促进片状氮化硼粉末的晶粒结构重排和低温烧结致密化，获得高致密度氮化硼陶瓷(密度≥1.90g/cm3)。本发明的方法具有工艺简单、成本低等特点，可用于大尺寸高致密度氮化硼陶瓷的制备，所制备的氮化硼陶瓷具有纯度高、致密度高的特点。