公开(公告)号：CN118256153A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202211698518.8

申请日：2022-12-28

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 周靖宇 ,  荆建芬 ,  马健 ,  周文婷 ,  魏佳 ,  王曦 ,  李昀 ,  李瑾琳 ,  杨征 ,  王欣 ,  王乐 ,  唐浩杰

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/04 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒、研磨颗粒稳定剂、腐蚀抑制剂、络合剂、氧化剂、pH调节剂和水。本发明中的一种化学机械抛光液，通过在抛光液中加入合适研磨颗粒稳定剂，抑制TEOS的去除速率，并提高Co/TEOS的选择比，同时减少晶圆表面划伤缺陷数量。

公开(公告)号：CN116515397A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202210066663.8

申请日：2022-01-20

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 姚颖 ,  王欣 ,  荆建芬 ,  邱欢 ,  明伟 ,  陆弘毅 ,  李昀 ,  魏佳 ,  郑闪闪 ,  汪国豪 ,  王苗苗

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、氧化剂，水溶性纤维素、非离子表面活性剂和水。本发明中的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对前程铜抛光后的不同程度的碟型凹陷和介质层侵蚀均有很好的修复与控制能力。

公开(公告)号：CN118271968A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202211703225.4

申请日：2022-12-29

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 马健 ,  荆建芬 ,  杨俊雅 ,  王曦 ,  郑闪闪 ,  蔡鑫元 ,  唐浩杰 ,  周靖宇 ,  张然 ,  魏佳 ,  陆弘毅

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/06 ,  C23F3/04

Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒，电荷调节剂，腺嘌呤类衍生物，络合剂，氮唑类腐蚀抑制剂以及氧化剂；所述络合剂为氨羧化合物及其盐。本发明的化学机械抛光液对铜的去除速率高，对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比；可以改善抛光后铜线的碟型凹陷和介质层侵蚀；并且可以改善抛光后铜表面粗糙度和表面缺陷数量。

公开(公告)号：CN114686116A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011626136.5

申请日：2020-12-30

Applicant: 安集微电子科技(上海)股份有限公司

Inventor： 姚颖 ,  荆建芬 ,  倪宇飞 ,  周文婷 ,  宋凯 ,  蔡鑫元 ,  周靖宇 ,  李昀 ,  陆弘毅 ,  魏佳

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法。该化学机械抛光液包括研磨颗粒、唑类化合物、络合剂、氧化剂，水溶性纤维素和水。本发明的化学机械抛光液对前程铜抛光后的碟型凹陷和介质层侵蚀具有一定的修复能力，且对钽、铜、二氧化硅(TEOS)和低介电常数材料的去除速率无明显的影响，满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率、速率选择比和抛光后表面形貌的要求。