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公开(公告)号：CN117987931A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410166092.4
申请日：2024-02-05
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种Li2Se气氛介导的LiInSe2晶体退火方法，包括将LiInSe2晶体置于双温区管式炉中，退火气氛为Li2Se，LiInSe2晶体与Li2Se粉末的质量比为1：5‑2：5，低温区和高温区分别升至630‑640和670‑690℃，通过控制双温区的温度调控温度梯度，实现大尺寸晶体的持续退火处理以改善晶体质量，退火时间为25‑35h。退火处理后LiInSe2晶体的短波截止边蓝移，晶体的缺陷减少，并且通过退火处理后，LiInSe2晶体光学质量显著提高，器件的激光输出性能明显提升。该方法可有效降低LiInSe2晶体器件的缺陷浓度，提高其激光输出性能，具有退火效率高、退火效果稳定等优点，对于LiInSe2红外非线性光学器件的制备及其实际应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN102168305B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110083363.2
申请日：2011-04-02
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及磷硅镉多晶料的合成方法，按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05摩尔比，将纯度为99.999％的磷、硅、镉三种单质原料装入合成坩埚中，将合成坩埚装入石英管中；抽真空后封结石英管；将石英管装入单温区合成炉中，使单温区炉升温、保温，合成完成后降至室温，打开合成坩埚即得到磷硅镉多晶料。本发明方法可以制备出高纯度的磷硅镉多晶料，用于高质量的磷硅镉单晶生长。
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公开(公告)号：CN102168299B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110083331.2
申请日：2011-04-02
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及磷硅镉的单晶生长方法。按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05配料合成磷硅镉多晶料，采用坩埚下降炉，通过自发形核生长法或定向籽晶生长法进行生长。步骤包括：将磷硅镉多晶料直接装入坩埚中，或者加入籽晶后再装入坩埚中；将坩埚置入石英管中，抽真空后封结石英管；将石英管装入坩埚下降炉中；升温、坩埚下降、最后降温。本发明方法可制备出高纯度、高质量的磷硅镉单晶。
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公开(公告)号：CN102168305A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110083363.2
申请日：2011-04-02
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及磷硅镉多晶料的合成方法，按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05摩尔比，将纯度为99.999％的磷、硅、镉三种单质原料装入合成坩埚中，将合成坩埚装入石英管中；抽真空后封结石英管；将石英管装入单温区合成炉中，使单温区炉升温、保温，合成完成后降至室温，打开合成坩埚即得到磷硅镉多晶料。本发明方法可以制备出高纯度的磷硅镉多晶料，用于高质量的磷硅镉单晶生长。
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公开(公告)号：CN119836020A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510037859.8
申请日：2025-01-09
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种准一维(TaSe4)2I和二维MoTe2混维异质结光电晶体管探测器及其制备方法，该探测器自下至上依次包括Si衬底、SiO2栅介质层、准一维(TaSe4)2I和二维MoTe2纳米薄膜，准一维(TaSe4)2I和MoTe2纳米薄膜上分别设置有金属电极，形成(TaSe4)2I、MoTe2和金属电极的异质结构。其制备方法包括以下步骤：(1)将(TaSe4)2I纳米线转移到Si衬底上；(2)将MoTe2纳米薄膜转移至(TaSe4)2I纳米线一侧；(3)制备底电极的图形；(4)对底电极的图形进行定位曝光显影,暴露出需要蒸镀电极部分；(5)制备金属电极。本发明利用(TaSe4)2I/MoTe2异质结的复合效应，通过垂直结构抑制暗电流；利用MoTe2增加光吸收，同时施加栅压，提高光电流，获得高的响应度和外量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104846428B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510172682.9
申请日：2015-04-13
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种金属助熔剂法生长过渡金属硫属化合物晶体的方法，包括步骤如下：(1)将单质M、单质X和单质Sn混合，于1×10‑3‑1×10‑4Pa的真空度条件下，升温至1100‑1150℃，保温20‑40h；M为Cr、Mo或W，X为S、Se或Te；(2)以1‑6℃/h的降温速率进行第一阶段降温，使晶体自发结晶，当温度降至900‑1000℃时，保温20‑40h；然后淬火，在5‑10min内降温至室温，即得。本发明操作条件易实现、可调控、原料易得，价格便宜，且得到的晶体质量高，在光子、光电和电子器件方面有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN106252017A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610590747.6
申请日：2016-07-25
Applicant: 山东大学
Abstract: 一种室温铁磁半导体材料MnSiP2及其制备方法和应用，该MnSiP2磁性半导体材料属于四方晶系，I-42d空间群，晶胞参数为：a＝5.5823(3),Z＝4。制备方法包括以下步骤：(1)将Mn、Si和P一起研磨均匀，装入石英管内，抽真空后封烧石英管；(2)将石英管采用阶段性升温，再缓慢降温至室温；(3)取出结晶较好的料块，清洗干净，干燥处理，得到室温铁磁半导体材料MnSiP2。本发明首次合成了黄铜矿结构的MnSiP2磁性半导体材料，其居里温度为290K，可应用于制作自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、自旋共振磁隧道结、光隔离器、磁传感器或非挥发存储器。
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公开(公告)号：CN101962810B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010292892.9
申请日：2010-09-27
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供一种LiGa3Te5单晶体，该晶体是非中心对称结构，属于三方晶系，空间群为R32，晶胞参数为：α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝12，单胞体积为其体块直径为3mm～15mm、长度为20mm～40mm。该LiGa3Te5单晶体的制备方法是首先制备LiGa3Te5多晶原料，再利用坩埚下降法进行LiGa3Te5单晶体的生长。本发明制备的LiGa3Te5单晶体可供晶体物理性能测试与器件研究，并具有足够尺寸体块；具有较宽的红外透过范围，能够通过非线性频率变换技术实现中远红外激光输出，因而可应用于制作红外非线性光学器件；同时可用于制作压电器件。
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公开(公告)号：CN102191541A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110083468.8
申请日：2011-04-02
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置，将单质原料按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05配料，将磷放入双温区石英管的一端，将硅和镉放入合成料舟中后装入双温区石英管的另一端，将双温区石英管抽真空后封结；分别使双温区炉的两个温区升温、保温、降温，可制备出高纯度的磷硅镉多晶料，用作高质量磷硅镉单晶生长料。
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公开(公告)号：CN101671847A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910019454.2
申请日：2009-10-20
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供了一种硫族化合物多晶原料的两步合成方法，包括以下步骤：(1)将石英坩埚、所需原料及石墨坩埚烘干备用；(2)按化学剂量比称取金属单质和硫族元素单质装入同一支石英坩埚中，抽真空密封；(3)将石英坩埚在高于中间二元相的熔点的温度下反应，生成中间二元相；(4)按照化学计量比称取硫族化合物多晶原料所需的其它组份和得到的中间二元相粉末装入石墨坩埚，密封；然后封入高压釜中抽真空密封；(5)将高压釜在高于硫族化合物多晶原料的熔点下反应；(6)开启高压釜获得硫族化合物多晶原料。本发明采用两步合成法合成硫族化合物，工艺简单，能够获得其它常规方法无法合成反应活性较差的化合物，一次性可以获得较多量的多晶原料。
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