公开(公告)号：CN117822105A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311870269.0

申请日：2023-12-29

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘磊 ,  王守志 ,  张雷 ,  王国栋 ,  俞娇仙 ,  齐占国 ,  徐现刚

IPC: C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  B08B5/02

Abstract: 本发明属于晶体生长装置领域，提供了一种减少氮化镓孔洞产生的装置及方法，包括进气管、出气管、吹扫管和籽晶区，所述出气管的下方设置籽晶区；所述进气管包括第一进气管和第二进气管，所述出气管为内外双壁结构，包括套装的内外套管，外套管套装在内套管外，所述第一进气管连通所述外套管，所述第二进气管连通所述内套管；所述吹扫管包括第一吹扫管和第二吹扫管，第一吹扫管的末端朝向籽晶区，第二吹扫管的末端朝向出气管末端，所述第一吹扫管的长度可调。本方案可以有效解决现有技术生长氮化镓产生较多的孔洞的问题，极大的提高了制备氮化镓的晶体质量。

公开(公告)号：CN117822103A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311821097.8

申请日：2023-12-27

Applicant: 山东大学

Inventor： 张雷 ,  齐占国 ,  王守志 ,  王国栋 ,  俞娇仙 ,  徐现刚

IPC: C30B25/08 ,  C30B29/40 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明属于半导体光电材料生产设备技术领域，尤其涉及一种优化的HVPE‑GaN镓舟反应器及GaN晶体生长方法。本发明所述反应器包括镓舟组，镓舟组内部设置有GaCl载气输送管道，镓舟组内部包括三个主要腔室：HCl气体分配腔、GaCl气体反应腔以及GaCl气体输送腔；HCl进气口与HCl气体分配腔连通，GaCl气体输送腔通过GaCl载气输送管道上的GaCl进气口与GaCl出气口连通；GaCl气体反应腔分别与HCl气体分配腔、GaCl气体输送腔连通，GaCl气体反应腔以及GaCl气体输送腔连通的底部为镓液区。通过提高镓舟内HCl气体的利用效率，降低反应腔中额外的HCl气体，提高生长的GaN晶体质量，延长设备使用寿命，保障工作人员身体健康和环境质量。

公开(公告)号：CN115992385A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202310018194.7

申请日：2023-01-06

Applicant: 山东大学

Inventor： 张雷 ,  齐占国 ,  俞娇仙 ,  王守志 ,  王国栋 ,  刘磊

IPC: C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明属于半导体光电材料制备技术领域，涉及一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法。在蓝宝石衬底上生长GaN之前，通过氢化物气相外延系统对蓝宝石衬底进行氮化形成高密度AlNxO1‑x突起，然后相继在蓝宝石衬底上形成GaN纳米柱、低温GaN缓冲层、高温GaN层，最终得到GaN单晶衬底。其中，AlNxO1‑x突起，能够降低GaN在蓝宝石衬底上的形成能，便于GaN的外延生长，低温GaN缓冲层能够缓解蓝宝石衬底与GaN间晶格失配产生的应力，能够避免裂纹的出现。