一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构及应用的真空灭弧室

    公开(公告)号:CN110289191A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910651298.5

    申请日:2019-07-18

    IPC分类号: H01H33/664

    摘要: 一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构及应用的真空灭弧室,该触头结构包括相对放置的静触头和动触头,静触头包括静导电杆、静侧2/4匝纵磁线圈、静支撑座和静触头片;静侧2/4匝纵磁线圈布置于静导电杆底部,为双层结构,具有四条并联支路,支路末端与静触头片焊接,静触头片上开有4条直线槽以减小涡流,静触头片背面布置有静支撑座;动触头与静触头结构相同,触头片相对布置;本发明结构应用于真空灭弧室,与现有触头结构相比可在保证一定磁场强度的条件下大幅减小触头系统的电阻,提高灭弧室的额定通流能力。

    一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构及应用的真空灭弧室

    公开(公告)号:CN110289191B

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN201910651298.5

    申请日:2019-07-18

    IPC分类号: H01H33/664

    摘要: 一种四分之二匝线圈型纵磁触头结构及应用的真空灭弧室,该触头结构包括相对放置的静触头和动触头,静触头包括静导电杆、静侧2/4匝纵磁线圈、静支撑座和静触头片;静侧2/4匝纵磁线圈布置于静导电杆底部,为双层结构,具有四条并联支路,支路末端与静触头片焊接,静触头片上开有4条直线槽以减小涡流,静触头片背面布置有静支撑座;动触头与静触头结构相同,触头片相对布置;本发明结构应用于真空灭弧室,与现有触头结构相比可在保证一定磁场强度的条件下大幅减小触头系统的电阻,提高灭弧室的额定通流能力。