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公开(公告)号：CN115261795B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210897961.1
申请日：2022-07-28
Applicant: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 , 晋芯电子制造(山西)有限公司 , 晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于光学信息处理系统中的磁光结构及其制备方法、制备设备。该磁光结构包括具有石榴石结构的介电材料制成的衬底；所述衬底上形成的磁光薄膜，所述磁光薄膜的磁化矢量位于所述磁光薄膜的平面中。本发明磁光结构的分辨率和灵敏度可以通过改变铁氧体‑石榴石衬底的晶轴取向进行调节，也可以通过含铋的镓铁氧体石榴石薄膜中的铋离子和镓离子的浓度来改变，本发明显著提高磁光结构的分辨率和灵敏度，灵敏度可提高2倍以上。
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公开(公告)号：CN115188678A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210729895.7
申请日：2022-06-24
Applicant: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 , 晋芯电子制造(山西)有限公司 , 晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/482
Abstract: 本发明公开了一种微波集成电路导电互联的制造方法，属于半导体技术领域。该制造方法包括形成以铜为主金属层的步骤。通过本发明的方法获得的互金属联具有低电阻，高耐化学(腐蚀)性，易于焊接，并且成本比原型显著降低。本发明中，通过用镍‑金金属体系覆盖铜层的表面和端面来确保耐腐蚀性。用铜层代替原型中由黄金制成的基础层，减小互联的厚度，即减小互连互联的寄生电容，提高了微波集成电路的截止频率。
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公开(公告)号：CN115472533A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211021467.5
申请日：2022-08-24
Applicant: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 , 晋芯电子制造(山西)有限公司 , 晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种减少湿法刻蚀清洗剂用量的系统，包括：供液单元，用于分别向第一清洁腔室和第二清洁腔室内通入原液；回收装置，用于回收处理所述第二清洁腔室内排出的废液，获得满足预设要求的待配置溶液，并将所述待配置溶液作为原液通入至所述第一清洁腔室内。本发明能够对半导体在两个清洁腔室内进行两次清洗，有效改善同一清洁腔室在清洁过程中对半导体前后洁净度的差异，同时，利用回收装置能够有效回收利用废液中存在的大量的可回收利用的化学品，降低化学品的用量，从而降低成本。
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公开(公告)号：CN115188825B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210785219.1
申请日：2022-07-04
Applicant: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 , 晋芯电子制造(山西)有限公司 , 晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/324 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法，属于电子工程技术领域。该器件包括抗辐射金属氧化物半导体场效应器件包括表面上具有无缺陷区域层的硅晶片。本发明的制造抗辐射金属氧化物半导体场效应器件的方法，高效率吸附半导体器件功能区中的金属与氧杂质，显著缩短形成耗尽无缺陷区域的时间。工艺过程简单，成本低。此发明所采用的方法不仅可以用于降低硅基的半导体器件与集成电路的金属与氧缺陷含量，也可以推广应用于减低化合物半导体功率器件与集成电路的衬底的金属与微缺陷含量以提高器件的抗辐射性能。
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公开(公告)号：CN115274827A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211039573.6
申请日：2022-08-29
Applicant: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 , 晋芯电子制造(山西)有限公司 , 晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高压肖特基二极管，属于半导体技术领域。该高压肖特基二极管包括阴极金属、N+型基板、N‑型外延层和阳极金属，所述N‑型外延层的上表面侧面设有P+JBS区域，所述P+JBS区域的掺杂浓度比所述N‑外延层的掺杂浓度高，其中，所述N‑型外延层的上表面还设有P‑层。本发明的高压肖特基二极管在N型半导体层的表面加入了相对较薄的P‑层可提高JBS二极管的导通状态(正向偏置)性能，减小器件的反向漏电流。本发明的高压肖特基二极管在P+区两侧引入沟槽SiO2介质区，屏蔽肖特结的表面电场，降低肖特基接触区的表面电场强度，使器件在体内发生击穿，进一步减小器件的反向漏电流。
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公开(公告)号：CN115241059A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210781569.0
申请日：2022-07-04
Applicant: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 , 晋芯电子制造(山西)有限公司 , 晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/3105
Abstract: 本发明公开了一种用吸气剂制造半导体结构的方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：S01，在氧化气氛中进行退火；S02，在惰性气氛中进行两阶段退火。本发明的主要优点在于，氧缺陷吸附效率高，工艺过程简单，成本低。本发明所采用的方法不仅可以用于降低硅基的半导体器件与集成电路的氧缺陷含量，也可以推广应用于减低化合物半导体功率器件与集成电路的衬底的微缺陷含量。
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公开(公告)号：CN115223853A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210899489.5
申请日：2022-07-28
Applicant: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 , 晋芯电子制造(山西)有限公司 , 晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明公开了一种采用静态高压在硅上形成致密氧化层的方法，包括：在硅上形成氧化层；对氧化层用静水压力进行循环处理。所述氧化层为硅上沉积二氧化硅膜或硅上沉积二氧化硅膜与氮化硅双重膜。对硅上沉积二氧化硅膜或硅上沉积二氧化硅膜与氮化硅双重膜用静水压力进行循环处理，大大降低了氧化层与硅之间过渡层的厚度，改善了氧化层的致密性和孔隙率，以及这些参数在结构表面上分布均匀度，显著降低了氧化层与硅结构的平均机械应力，并同时提高包含这种氧化层元件的成品率。
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公开(公告)号：CN115188825A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210785219.1
申请日：2022-07-04
Applicant: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 , 晋芯电子制造(山西)有限公司 , 晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/324 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法，属于电子工程技术领域。该器件包括抗辐射金属氧化物半导体场效应器件包括表面上具有无缺陷区域层的硅晶片。本发明的制造抗辐射金属氧化物半导体场效应器件的方法，高效率吸附半导体器件功能区中的金属与氧杂质，显著缩短形成耗尽无缺陷区域的时间。工艺过程简单，成本低。此发明所采用的方法不仅可以用于降低硅基的半导体器件与集成电路的金属与氧缺陷含量，也可以推广应用于减低化合物半导体功率器件与集成电路的衬底的金属与微缺陷含量以提高器件的抗辐射性能。
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公开(公告)号：CN115188713A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210806229.9
申请日：2022-07-08
Applicant: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 , 晋芯电子制造(山西)有限公司 , 晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/027 , H01L21/266 , H01L21/324 , H01L27/06
Abstract: 本发明提出了一种用于制造功率集成电路的方法，包括：在第一类掺杂半导体的硅衬底上生长浓度不同的第二类掺杂半导体的外延层，并在外延层上生产栅极氧化层；根据元器件与集成电路的设计，针对外延层确定不同功能区的第一类掺杂半导体掺杂浓度，根据掺杂浓度在栅极氧化层上进行光刻与离子注入，在外延层上定义不同浓度的第一类掺杂半导体区并通过退火形成低浓度区和高浓度区，在栅极氧化层上通过光刻与刻蚀形成栅极图案；在栅极氧化层上淀积难溶金属层，并在难溶金属层上进行光刻与刻蚀形成不同功能区的欧姆接触窗口；在硅衬底上形成硅化物，淀积欧姆接触金属层，光刻与刻蚀欧姆接触金属层，形成大功率硅集成电路的元器件与电路互联以及电路隔离。
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公开(公告)号：CN115188678B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210729895.7
申请日：2022-06-24
Applicant: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 , 晋芯电子制造(山西)有限公司 , 晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/482
Abstract: 本发明公开了一种微波集成电路导电互联的制造方法，属于半导体技术领域。该制造方法包括形成以铜为主金属层的步骤。通过本发明的方法获得的互金属联具有低电阻，高耐化学(腐蚀)性，易于焊接，并且成本比原型显著降低。本发明中，通过用镍‑金金属体系覆盖铜层的表面和端面来确保耐腐蚀性。用铜层代替原型中由黄金制成的基础层，减小互联的厚度，即减小互连互联的寄生电容，提高了微波集成电路的截止频率。
