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公开(公告)号：CN105621343B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201510624478.6
申请日：2015-09-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体公司
CPC classification number: G01L19/148 , B81B7/0045 , B81C1/00325 , H01L21/50 , H01L23/057 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
Abstract: 本公开涉及用于诸如MEMS压力传感器之类的对机械和热机械应力敏感的半导体器件的封装。表面安装器件(50)具有诸如ASIC之类的半导体材料的一个主体(6)和包围主体的封装。封装具有承载主体的基部区域(15)、盖(20)和接触端子(3)。基部区域(15)具有低于5MPa的杨氏模量。为了形成器件，将主体(6)附接至包括由空腔分开的接触端子(3)和裸片焊盘(2)的支撑框架(1)；将键合接线(14)焊接至主体(6)并焊接至接触端子(3)；以至少部分包围主体(6)的侧面、填充支撑框架(1)的空腔且覆盖键合接线(14)的在接触端子上的端部的方式模制弹性材料；和将盖(20)固定至基部区域(15)。接着将裸片焊盘(2)蚀刻掉。
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公开(公告)号：CN115083923A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210234457.3
申请日：2022-03-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法和相应的半导体器件。一种半导体器件，例如四平无引线(QFN)封装件，包括布置在引线框架的管芯焊盘上的半导体芯片。引线框架在管芯焊盘周围导电引线的阵列。阵列中的引线具有背离管芯焊盘的远端以及引线的上表面中的凹陷部分。弹性材料，例如低弹性模量材料，存在于引线的上表面并且填充凹陷部分。绝缘包封模压在半导体芯片上。弹性材料夹在绝缘包封与引线远端之间。这种弹性材料有助于导线的柔性，使其适合可靠地焊接到绝缘金属基板上。
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公开(公告)号：CN105621343A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510624478.6
申请日：2015-09-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体公司
CPC classification number: G01L19/148 , B81B7/0045 , B81C1/00325 , H01L21/50 , H01L23/057 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
Abstract: 本公开涉及用于诸如MEMS压力传感器之类的对机械和热机械应力敏感的半导体器件的封装。表面安装器件(50)具有诸如ASIC之类的半导体材料的一个主体(6)和包围主体的封装。封装具有承载主体的基部区域(15)、盖(20)和接触端子(3)。基部区域(15)具有低于5MPa的杨氏模量。为了形成器件，将主体(6)附接至包括由空腔分开的接触端子(3)和裸片焊盘(2)的支撑框架(1)；将键合接线(14)焊接至主体(6)并焊接至接触端子(3)；以至少部分包围主体(6)的侧面、填充支撑框架(1)的空腔且覆盖键合接线(14)的在接触端子上的端部的方式模制弹性材料；和将盖(20)固定至基部区域(15)。接着将裸片焊盘(2)蚀刻掉。
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公开(公告)号：CN217334014U
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202220516805.1
申请日：2022-03-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：引线框架，其具有管芯焊盘和围绕管芯焊盘的导电的引线的阵列，引线具有背离管芯焊盘的远端以及在引线的上表面中的凹陷部分；至少一个半导体芯片，其被布置在管芯焊盘处；弹性材料块，在上表面上并且填充引线的凹陷部分；以及绝缘包封，在布置在引线框架上的至少一个半导体芯片上；其中弹性材料块在凹陷部分处被夹在绝缘包封与引线的远端之间，弹性材料块促进引线在远端处的柔性。利用本公开的实施例有利地有助于增加引线柔性。
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公开(公告)号：CN205257993U
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201520755154.1
申请日：2015-09-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体公司
IPC: B81B7/00
CPC classification number: G01L19/148 , B81B7/0045 , B81C1/00325 , H01L21/50 , H01L23/057 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
Abstract: 本公开涉及表面安装器件。表面安装器件(50)具有诸如ASIC之类的半导体材料的一个主体(6)和包围主体的封装。封装具有承载主体的基部区域(15)、盖(20)和接触端子(3)。基部区域(15)具有低于5MPa的杨氏模量。为了形成器件，将主体(6)附接至包括由空腔分开的接触端子(3)和裸片焊盘(2)的支撑框架(1)；将键合接线(14)焊接至主体(6)并焊接至接触端子(3)；以至少部分包围主体(6)的侧面、填充支撑框架(1)的空腔且覆盖键合接线(14)的在接触端子上的端部的方式模制弹性材料；和将盖(20)固定至基部区域(15)。接着将裸片焊盘(2)蚀刻掉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105736328A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201511001589.8
申请日：2015-12-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： F·V·丰塔纳
CPC classification number: B05B12/085 , A61M5/14224 , A61M5/14248 , A61M5/16854 , A61M2005/14268 , A61M2205/0244 , B05B11/3042 , B05B15/061 , B05B15/62 , F04B43/046 , A61M5/00 , A61M5/14244 , F04B49/06
Abstract: 用于分配流体的可穿戴型的设备以及对应的分配方法，包括可被对象穿戴的固定部(30；70)以及可经由流体连接(12,51)与固定部(30；70)相关联的、包括用于容纳将被分配的流体的容器(21；61)和微泵(22；62)的可替换部(20；60)，微泵具体为MEMS型并用于通过流体连接(12；51)将流体发送至固定部(30；70)，固定部(30；70)包括被配置用于经由压力传感器装置(23；76)控制微泵(22；62)的操作的电控制模块(31；71)，设备(10；50)包括被设置为自动操作所述微泵(22；62)的致动器(25；75；175)。根据本发明，压力传感器装置(76)被配置在流体连接(51)的固定部(70)中，具体邻近流体连接(51)的与用于分配流体相关联的针(74)相关联的终端出口部。
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公开(公告)号：CN110289248B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201910204571.X
申请日：2019-03-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/48
Abstract: 本文公开了通过3D堆叠解决方案的QFN上的SMD集成。一个或多个实施例涉及方型扁平无引线(QFN)半导体封装、器件和方法，其中一个或多个电部件被定位在QFN引线框架的裸片焊盘与半导体裸片之间。在一个实施例中，一种器件包括裸片焊盘、与裸片焊盘间隔开的引线、以及具有在裸片焊盘上的第一接触件和在引线上的第二接触件的至少一个电部件。半导体裸片被定位在至少一个电部件上并且通过至少一个电部件而与裸片焊盘间隔开。该器件进一步包括至少一个导电线或引线接合，其将至少一个引线电耦合到半导体裸片。
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公开(公告)号：CN110491842A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910394928.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/64
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件及对应的方法。一种半导体器件，包括：引线框，包括具有至少一个导电管芯焊盘区域的管芯焊盘；施加到导电管芯焊盘区域上的绝缘层。导电层被施加到绝缘层上，其中一个或多个半导体管芯例如粘合地耦合到导电层。导电管芯焊盘区域、导电层和夹在其间的绝缘层形成集成在器件中的至少一个电容器。导电管芯焊盘区域包括其中具有谷部和峰部的雕刻结构；导电层包括延伸到导电管芯焊盘区域的雕刻结构中的谷部中的导电填充材料。
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公开(公告)号：CN106206326A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510855210.3
申请日：2015-11-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： F·V·丰塔纳
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/4952 , H01L24/97 , H01L2021/6027 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L21/4825 , H01L23/49513 , H01L23/49575 , H01L24/81 , H01L2224/81345 , H01L2224/81948
Abstract: 本发明的各个实施例涉及用于制造表面安装类型半导体器件的方法以及对应的半导体器件。一种用于制造表面安装半导体器件，尤其是四方扁平无引线多行(QFN_mr)类型的表面安装半导体器件的方法，包括：提供(110)金属的引线框架，尤其是铜的引线框架，该金属引线框架包括多个焊盘(12a)，该多个焊盘(12a)中的每一个被设计用于容纳器件的主体(20；20')，焊盘(12a)通过接线键合接触区域(12)的一行或者多行(R1、R2)与相邻的焊盘分隔开，接线键合接触区域(12)的一行或者多行中的最外行(R2)与相邻焊盘对应的最外行一起确定分隔区域(23)。该方法设想：在分隔区域(23)中沉积传导焊接材料珠键合接触区域(12)接合在一起；将器件(20)固定(130)至相应的焊盘(12a)；以及执行(140)热处理，该热处理被设计为将传导焊接材料珠(15)烧结或者回流，形成焊珠(15s)。(15)，以便将与相邻的焊盘(12a)相对应的接线
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公开(公告)号：CN117012742A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310488039.1
申请日：2023-05-04
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： F·V·丰塔纳
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/48
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法、对应的器件和系统。半导体集成电路芯片被布置在衬底的第一表面上，该衬底包括阵列中的导电引线结构，其中导电引线结构在与第一表面相对的第二表面处被掩模层覆盖。半导体集成电路芯片电耦合到导电引线结构，并且绝缘封装模制在半导体集成电路晶片上。然后，例如通过激光烧蚀从一个或多个导电引线结构选择性地去除掩模层。然后通过施加到衬底的第二表面的蚀刻工艺来去除未被掩模层覆盖的导电引线结构。选择性地去除未掩蔽的导电引线结构用于增加留在原位的那些导电引线结构之间的爬电距离。
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