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公开(公告)号：CN103357882B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310108069.1
申请日：2013-03-29
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: H01F7/02 , B22F1/0085 , B22F2999/00 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/01 , H01F1/0573 , H01F1/0578 , H01F41/005 , B22F2201/013 , B22F2203/11
Abstract: 本发明涉及R?T?B系稀土磁体粉末的制造方法，其利用HDDR处理得到R?T?B系稀土磁体粉末，该R?T?B系稀土磁体粉末的制造方法中，原料合金组成是R量为12.5at.％以上、14.3at.％以下，B量为4.5at.％以上、7.5at.％以下，Co量为10at.％以下，在不活泼气氛或真空气氛中将原料合金粉末升温到770℃以上、820℃以下的温度范围后，将气氛切换到含氢的气体气氛，实施以上述温度范围进行保持的第一阶段HD工序，接着，再升温到830℃以上、870℃以下的温度范围，实施以含氢的气体气氛进行保持的第二阶段HD工序。
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公开(公告)号：CN103782352A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280043390.X
申请日：2012-08-30
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: H01F1/0571 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/0573 , H01F1/0576 , H01F1/0578 , H01F41/0266
Abstract: 本发明提供一种不含Dy等高价且资源稀少的元素、能够不追加HDDR工序以外的工序地制造的矫顽力优异的R-T-B类稀土磁体粉末。本发明的R-T-B类稀土磁体粉末包括含有R2T14B磁性相的晶粒和晶界相，晶界相的组成中，R量为13.5at.％以上35.0at.％以下，Al量为1.0at.％以上7.0at.％以下，该R-T-B类稀土磁体粉末可以通过在原料合金的HDDR处理的过程中控制HDDR处理的DR工序中的热处理条件而得到。
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公开(公告)号：CN104051103A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410086934.1
申请日：2014-03-11
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: H01F1/0573 , B22F9/04 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C21D6/00 , C21D2201/00 , C22C33/0278 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/0578 , B22F2201/013 , B22F1/0085 , B22F2201/20 , B22F2201/11
Abstract: 本发明的目的在于，通过促进在磁性相晶界形成连续的富R晶界相，获得磁粉的矫顽力增大、并且也兼备高的剩余磁通密度的R-T-B类稀土磁体粉末。本发明中，通过对HDDR处理所得到的、含Al的R-T-B类稀土磁体粉末在真空或Ar氛围中以670℃以上820℃以下的温度进行30分钟以上300分钟以下的热处理，能够促进富R晶界相的形成，得到即使降低Al量也能够具备高矫顽力、且具有高剩余磁通密度的R-T-B类稀土磁体粉末。
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公开(公告)号：CN104051103B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201410086934.1
申请日：2014-03-11
Applicant: 户田工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，通过促进在磁性相晶界形成连续的富R晶界相，获得磁粉的矫顽力增大、并且也兼备高的剩余磁通密度的R‑T‑B类稀土磁体粉末。本发明中，通过对HDDR处理所得到的、含Al的R‑T‑B类稀土磁体粉末在真空或Ar氛围中以670℃以上820℃以下的温度进行30分钟以上300分钟以下的热处理，能够促进富R晶界相的形成，得到即使降低Al量也能够具备高矫顽力、且具有高剩余磁通密度的R‑T‑B类稀土磁体粉末。
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公开(公告)号：CN103782352B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201280043390.X
申请日：2012-08-30
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: H01F1/0571 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/0573 , H01F1/0576 , H01F1/0578 , H01F41/0266
Abstract: 本发明提供一种不含Dy等高价且资源稀少的元素、能够不追加HDDR工序以外的工序地制造的矫顽力优异的R‑T‑B类稀土磁体粉末。本发明的R‑T‑B类稀土磁体粉末包括含有R2T14B磁性相的晶粒和晶界相，晶界相的组成中，R量为13.5at.％以上35.0at.％以下，Al量为1.0at.％以上7.0at.％以下，该R‑T‑B类稀土磁体粉末可以通过在原料合金的HDDR处理的过程中控制HDDR处理的DR工序中的热处理条件而得到。
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公开(公告)号：CN103357882A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310108069.1
申请日：2013-03-29
Applicant: 户田工业株式会社
CPC classification number: H01F7/02 , B22F1/0085 , B22F2999/00 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C2202/02 , H01F1/01 , H01F1/0573 , H01F1/0578 , H01F41/005 , B22F2201/013 , B22F2203/11
Abstract: 本发明涉及R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法，其利用HDDR处理得到R-T-B系稀土磁体粉末，该R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法中，原料合金组成是R量为12.5at.％以上、14.3at.％以下，B量为4.5at.％以上、7.5at.％以下，Co量为10at.％以下，在不活泼气氛或真空气氛中将原料合金粉末升温到770℃以上、820℃以下的温度范围后，将气氛切换到含氢的气体气氛，实施以上述温度范围进行保持的第一阶段HD工序，接着，再升温到830℃以上、870℃以下的温度范围，实施以含氢的气体气氛进行保持的第二阶段HD工序。
