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公开(公告)号：CN1349663A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN00807221.3
申请日：2000-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/338 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/155 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/365 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 在SiC、GaN、GaAs等的衬底3上,交互、叠层生长厚度50nm左右的未掺杂层22和厚度薄到能发挥量子效应程度(例如10nm左右)的n型掺杂层23、形成有源区30。因n型掺杂层23的量子效应产生的次能级使载流子能分布到未掺杂层22上,由于在杂质少的未掺杂层22中杂质散射减少,能够得到高的载流子迁移率,与此同时,当有源区全体耗尽化时,利用载流子从有源区30消失的现象,因未掺杂层22能够得到大的耐压值。
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公开(公告)号：CN1179860A
公开(公告)日：1998-04-22
申请号：CN96192893.X
申请日：1996-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/127 , G11B7/131 , G11B7/1353 , G11B7/22 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2013 , H01S5/2022 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3216 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明的半导体激光装置包含有由n－型GaAS制成的基底(201),活性层(204),和一对夹住活性层(204)的包覆层。此装置还包含邻接活性层(204)的隔离层(205)和高度掺杂的可饱和吸收层(206)。通过对可饱和吸收层(206)作高度掺杂来缩短载流子寿命,借此即能获得稳定的自持脉动。结果,能得到在很宽的温度范围内具有很低相对噪声强度的半导体激光装置。
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公开(公告)号：CN1148234A
公开(公告)日：1997-04-23
申请号：CN96111903.9
申请日：1996-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B2005/3996 , G11C11/14
Abstract: 用小磁场显示大磁阻变化的磁阻效应元件及应用该元件的存储元件。在基板1上设置半导体膜2，在半导体膜2上设置半导体膜3，在半导体膜3上设置非磁性金属膜4，非磁性金属膜4上设有良好方型磁化曲线的磁性膜5，在基板1下设置电极6，在磁性膜7上设置电极7。将激光照射到半导体膜2上，在半导体膜3中激发产生自旋极化的电子，利用了在磁性膜5的界面处电子散射依赖于磁性膜5的磁化方向和被激发电子的自旋极化状态。
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公开(公告)号：CN100345306C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN00811192.8
申请日：2000-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/0455 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/365 , H01L29/66068 , H01L29/7725 , H01L29/78 , H01L29/7828 , H01L29/7838
Abstract: 一种MISFET半导体装置，它在P型SiC衬底上设有P型有源区(12)、n型源区(13a)及漏区(13b)、由热氧化膜组成的栅绝缘膜(14)、栅电极(15)、源电极(16a)及漏电极(16b)。有源区(12)由薄到能产生量子效应的高浓度P型掺杂层(12a)和厚的未掺杂层(12b)交互叠层形成。载流子渡越时，由于有源区杂质离子散射降低，沟道迁移率提高，在断开状态下由于有源区全体的耗尽层化耐压性提高。还有，由于被俘获在栅绝缘膜中及栅绝缘膜—有源区间的界面附近的电荷减少、沟道迁移率进一步提高。
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公开(公告)号：CN1181561C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN00807221.3
申请日：2000-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/338 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/155 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/365 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 在SiC、GaN、GaAs等的衬底3上，交互、叠层生长厚度50nm左右的未掺杂层22和厚度薄到能发挥量子效应程度(例如10nm左右)的n型掺杂层23、形成有源区30。因n型掺杂层23的量子效应产生的次能级使载流子能分布到未掺杂层22上，由于在杂质少的未掺杂层22中杂质散射减少，能够得到高的载流子迁移率，与此同时，当有源区全体耗尽化时，利用载流子从有源区30消失的现象，因未掺杂层22能够得到大的耐压值。
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公开(公告)号：CN1146091C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN96192893.X
申请日：1996-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/127 , G11B7/131 , G11B7/1353 , G11B7/22 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/0658 , H01S5/2004 , H01S5/2013 , H01S5/2022 , H01S5/209 , H01S5/2231 , H01S5/3054 , H01S5/3216 , H01S5/3218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明的半导体激光装置包含有由n-型GaAS制成的基底(201)，活性层(204)，和一对夹住活性层(204)的包覆层。此装置还包含邻接活性层(204)的隔离层(205)和高度掺杂的可饱和吸收层(206)。通过对可饱和吸收层(206)作高度掺杂来缩短载流子寿命，借此即能获得稳定的自持脉动。结果，能得到在很宽的温度范围内具有很低相对噪声强度的半导体激光装置。
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公开(公告)号：CN1130693C
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN96111903.9
申请日：1996-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B2005/3996 , G11C11/14
Abstract: 用小磁场显示大磁电阻变化的磁电阻效应元件及应用该元件的存储元件。在基板(1)上设置半导体膜(2)，在半导体膜(2)上设置半导体膜(3)，在半导体膜(3)上设置非磁性金属膜(4)。非磁性金属膜(4)上设有良好方型磁化曲线的磁性膜(5)。在基板(1)下设置电极(6)，在磁性膜(7)上设置电极。将激光照射到半导体膜(2)上，在半导体膜(3)中激发产生自旋极化的电子，利用了在磁性膜(5)的界面处电子散射依赖于磁性膜(5)的磁化方向和被激发电子的自旋极化状态。
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公开(公告)号：CN1367937A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN00811192.8
申请日：2000-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/0455 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/365 , H01L29/66068 , H01L29/7725 , H01L29/78 , H01L29/7828 , H01L29/7838
Abstract: 一种MISFET半导体装置,它在P型SiC衬底上设有P型有源区(12)、n型源区(13a)及漏区(13b)、由热氧化膜组成的栅绝缘膜(14)、栅电极(15)、源电极(16a)及漏电极(16b)。有源区(12)由薄到能产生量子效应的高浓度P型掺杂层(12a)和厚的未掺杂层(12b)交互叠层形成。载流子渡越时,由于有源区杂质离子散射降低,沟道迁移率提高,在断开状态下由于有源区全体的耗尽层化耐压性提高。还有,由于被俘获在栅绝缘膜中及栅绝缘膜—有源区间的界面附近的电荷减少、沟道迁移率进一步提高。
