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公开(公告)号：CN100426496C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200510075943.1
申请日：2005-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/50 , H01L24/82 , H01L24/86 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/16225 , H01L2224/2402 , H01L2224/24051 , H01L2224/24145 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06551 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01064 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的半导体器件的实施例包含：第一半导体元件，其包含第一元件本体部和设在所述第一元件本体部的第一面上的第一元件电极；配线板，其包含绝缘基板和形成在所述绝缘基板的主面上的第一配线层，并且被安置成使所述主面与所述第一元件本体部的第二面相对；第一薄膜，其覆盖着包括所述第一元件电极的表面在内的所述第一半导体元件的面的至少一部分和所述配线板的位于所述第一半导体元件侧的面的至少一部分；以及第二配线层，其形成在所述第一薄膜的位于所述配线板侧的面上，并且包含具有第一端和第二端的第一配线。所述第一配线的第一端接合在所述第一元件电极上，所述第一配线的第二端接合在所述第一配线层的一部分上。
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公开(公告)号：CN100345279C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510099553.8
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768 , H05K3/00
CPC classification number: H05K1/187 , H01L23/5389 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H05K3/20 , H05K3/4069 , H05K3/4602 , H05K3/4614 , H05K3/4652 , H05K2201/10378 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401
Abstract: 具有电绝缘层101、经电绝缘层叠层的多层第1布线图形102a，102b、电连接处于不同层的第1布线图形间的至少一条第1内通路104以及埋没在电绝缘层101内并安装在多层的第1布线图形中任一图形上的至少一只电子零件103，第1内通路104的至少一条通路在第1布线图形102a、102b的叠层方向上，占据与电子零件103占据的范围重复的范围，而且在该方向上其高度比电子零件103的高度低。因为第1内通路104的高度低，所以可以减小通路直径。从而可以提供高可靠性的能高密度安装的零件内藏模块。
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公开(公告)号：CN1499617A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310104773.6
申请日：2003-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/328 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/2402 , H01L2224/24226 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01037 , H01L2924/01039 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H05K1/0271 , H05K1/0373 , H05K3/20 , H05K3/326 , H05K3/4614 , H05K3/4626 , H05K2201/091 , H05K2201/10674 , H01L2224/97 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/05144 , H01L2924/00014 , H01L2224/05147
Abstract: 本发明的半导体装置(1)包含：配备电极部(104)的半导体元件(103)，和布线基板(108)，该布线基板配备绝缘层(101)、设置在绝缘层(101)中的电极部连接用电极(102)、和与设置在绝缘层(101)中的电极部连接用电极(108)电连接的外部电极(107)，电极部(104)与电极部连接用电极(102)电连接，其中：绝缘层(101)的弹性模量大于0.1GPa小于5GPa，金属接合电极部(104)与电极部连接用电极(102)。
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公开(公告)号：CN1420715A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02147288.2
申请日：2002-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/4617 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H05K1/185 , H05K3/4069 , H05K3/4626 , H05K3/4652 , H05K3/4655 , H05K2201/0209 , H05K2201/10378 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T428/249996
Abstract: 层叠在通路孔内具有导电胶的绝缘片并进行热压来制造布线基板的情况下，由于通过熔融绝缘片，通路孔形状容易变形，或其位置容易偏离，从而不容易形成可靠性高的电连接部。在制造布线基板时使用的绝缘片具有贯通其形成的通路孔内填充的导电胶作为通路孔导体，其特征在于该导电胶的硬化开始温度低于绝缘片的熔融开始温度。
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公开(公告)号：CN101874295A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200980101094.9
申请日：2009-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L24/19 , H01L24/82 , H01L27/1218 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L51/0024 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L2221/68377 , H01L2224/04105 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82039 , H01L2224/82102 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种柔性半导体装置的制造方法及用于它的叠层膜。该柔性半导体装置的制造方法包括：准备第一金属层(10)、无机绝缘层(20)、半导体层(30)及第二金属层(40)层叠而构成的叠层膜(80)的工序，对第一金属层(10)进行蚀刻，来形成栅极电极(12g)的工序，将树脂层(50)压接在叠层膜(80)中形成有栅极电极(12g)的面上，将栅极电极(12g)埋入并设置在树脂层(50)内的工序，以及对第二金属层(40)进行蚀刻，来形成源极电极(42s)和漏极电极(42d)的工序；无机绝缘层(20)中位于栅极电极(12g)上的部分具有栅极绝缘膜(22)的功能，无机绝缘层(20)上的半导体层(30)中位于源极电极(42s)与漏极电极(42d)之间的部分具有沟道(32)的功能。
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公开(公告)号：CN100573840C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200680013329.5
申请日：2006-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/6835 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16058 , H01L2224/16059 , H01L2224/16105 , H01L2224/16106 , H01L2224/16238 , H01L2224/17051 , H01L2224/171 , H01L2224/24011 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/82001 , H01L2224/83385 , H01L2224/83886 , H01L2224/83888 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00015 , H01L2224/81805 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明的安装体(100)包括半导体元件(10)和安装基板(30)，该半导体元件(10)具备形成有元件电极(12)的表面(10a)和与表面(10a)相对的背面(10b)，该安装基板(30)形成有具备电极端子(32)的布线图案(35)；半导体元件(10)的背面(10b)与安装基板(30)相接；半导体元件(10)的元件电极(12)和形成在安装基板(30)上的布线图案(35)的电极端子(32)通过钎料粒子聚合而成形为桥形状的钎料接合体(20)电连接。由此，半导体元件的元件电极和安装基板的电极端子能够以微细节距连接。
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公开(公告)号：CN100566510C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200410085770.7
申请日：2001-02-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/20 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2924/0002 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H05K1/0306 , H05K1/16 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K1/167 , H05K3/205 , H05K3/4061 , H05K3/4069 , H05K2203/1461 , Y10T29/49149 , Y10T29/49179 , Y10T29/49208 , Y10T29/49213 , Y10T428/12486 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种能够可靠且容易地将微细布线图复制到基片上的复制材料。该复制材料具有至少3层，即：作为载体的第1金属层101、作为向基片复制布线图的第2金属层103、可以剥离地贴合第1和第2金属层的剥离层102。在第1金属层101的表层部，形成对应于布线图的凹凸，在凸部领域上，形成剥离层102和第2金属层103。
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公开(公告)号：CN101569001A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001319.9
申请日：2008-10-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L51/0023 , H01L51/0097 , H01L51/0525 , H01L51/055 , H01L51/102 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明涉及一种挠性半导体装置的制造方法及挠性半导体装置。准备由三层覆箔形成的叠层膜，该三层覆箔是第一金属层(23)、第二金属层(25)及夹在该第一金属层和第二金属层之间的无机绝缘膜(35)叠层而成的，蚀刻所述第二金属层的一部分形成栅电极(20g)后，再蚀刻所述第一金属层的一部分，在与该栅电极对应的部位形成源、漏电极(20s、20d)。然后，隔着无机绝缘膜(35)在所述栅电极上形成与源、漏电极(20s、20d)接触的半导体层(40)。在此，栅电极(20g)上的无机绝缘膜(35)作为栅极绝缘膜(30)发挥作用，所述无机绝缘膜上的位于源、漏电极(20s、20d)间的半导体层(40)作为沟道发挥作用。
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公开(公告)号：CN1943029A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200680000125.8
申请日：2006-03-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/28
CPC classification number: H01L23/498 , H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/32057 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2225/06503 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 一种半导体器件，在具有多个金属布线(505)的电绝缘基板(504)的表面安装半导体芯片(501)，至少上述多个金属布线(505)的一部分被树脂(509)覆盖；在电绝缘基板(504)上形成的多个条金属布线(505)中的、至少与上述半导体芯片(501)电连接的金属布线的表面，形成金层(508)；在电绝缘基板(504)上形成的多个金属布线中的、与上述树脂(509)接触的金属布线的表面，不形成金层而形成粗糙部(507)。由此，提供一种可提高安装了半导体芯片的半导体器件的电连接可靠性的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1702857A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510075943.1
申请日：2005-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/50 , H01L24/82 , H01L24/86 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/16225 , H01L2224/2402 , H01L2224/24051 , H01L2224/24145 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06551 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01064 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的半导体器件的实施例包含：第一半导体元件，其包含第一元件本体部和设在所述第一元件本体部的第一面上的第一元件电极；配线板，其包含绝缘基板和形成在所述绝缘基板的主面上的第一配线层，并且被安置成使所述主面与所述第一元件本体部的第二面相对；第一薄膜，其覆盖着包括所述第一元件电极的表面在内的所述第一半导体元件的面的至少一部分和所述配线板的位于所述第一半导体元件侧的面的至少一部分；以及第二配线层，其形成在所述第一薄膜的位于所述配线板侧的面上，并且包含具有第一端和第二端的第一配线。所述第一配线的第一端接合在所述第一元件电极上，所述第一配线的第二端接合在所述第一配线层的一部分上。
