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公开(公告)号：CN100459150C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200480001374.X
申请日：2004-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/2003 , H01L29/7376
Abstract: 本发明的弹道半导体元件具有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。
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公开(公告)号：CN100350577C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200380100681.9
申请日：2003-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/203 , H01L21/205
Abstract: 本发明的异质场效应晶体管具有：InP基板(21)、经过缓冲层(22)在所述InP基板上形成的沟道层(23)、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成并与该沟道层异质接合地形成的间隔层(25a)、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层(26)，所述沟道层具有由化学式GaxIn1-xNyA1-y表示，所述A是As或Sb，所述组成x在0≤x≤0.2的范围内，并且所述组成y在0.03≤y≤0.10的范围内的化合物半导体构成的规定半导体层。
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公开(公告)号：CN1259727C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN01819415.X
申请日：2001-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H04M1/00
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/2003 , H01L29/7785 , H03F3/601 , H03F2200/294
Abstract: 本发明缓和高耐压和低电阻的折衷，提供低耗电、高耐压半导体装置，及用这种装置的通信系统用机器。其解决方法为，HEMT，包括InP基板(201)上的，由InAlAs层(202)、InGaAs层(203)、n型掺杂层(204a)、及无掺杂层(204b)相互交错沉积而成的多重δ掺杂InAlAs层(204)、InP层(205)、肖特基栅电极(210)、源电极(209a)及漏电极(209b)。电流流过InGaAs层(203)内的多重δ掺杂InAlAs层(204)的界面附近区域(沟道区域)时，对于通过载流子供应层的多重δ掺杂InAlAs层(204)的载波移动电阻会降低，且可以提高非接通时的耐压。
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公开(公告)号：CN1692483A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100681.9
申请日：2003-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/203 , H01L21/205
Abstract: 本发明的异质场效应晶体管具有：InP基板(21)、经过缓冲层(22)在所述InP基板上形成的沟道层(23)、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成并与该沟道层异质接合地形成的间隔层(25a)、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层(26)，所述沟道层具有由化学式GaxIn1－xNyA1－y表示，所述A是As或Sb，所述组成x在0≤x≤0.2的范围内，并且所述组成y在0.03≤y≤0.10的范围内的化合物半导体构成的规定半导体层。
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公开(公告)号：CN1476638A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN01819415.X
申请日：2001-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H04M1/00
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/2003 , H01L29/7785 , H03F3/601 , H03F2200/294
Abstract: 本发明缓和高耐压和低电阻的折衷，提供低耗电、高耐压半导体装置，及用这种装置的通信系统用机器。其解决方法为，HEMT，包括InP基板(201)上的，由InAlAs层(202)、InGaAs层(203)、n型掺杂层(204a)、及无掺杂层(204b)相互交错沉积而成的多重δ掺杂InAlAs层(204)、InP层(205)、肖特基栅电极(210)、源电极(209a)及漏电极(209b)。电流流过InGaAs层(203)内的多重δ掺杂InAlAs层(204)的界面附近区域(沟道区域)时，对于通过载流子供应层的多重δ掺杂InAlAs层(204)的载波移动电阻会降低，且可以提高非接通时的耐压。
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公开(公告)号：CN100456491C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200480000426.1
申请日：2004-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L29/0817 , H01L29/127 , H01L29/7371
Abstract: 本发明涉及半导体器件，该器件包括：一基板(101)；在该基板(101)上形成的多层半导体结构；该半导体多层结构包括发射极层(102)、基极层(105)和集电极层(107)，均由III-V族n型复合半导体构成并按此顺序成层；位于发射极层(102)和基极层(105)之间的量子点势垒层(103)；分别同集电极层(107)、基极层(105)和发射极层(102)相连的集电极电极(110)、基极电极(111)和发射极电极(112)；包括多个量子点(103c)的量子点势垒层(103)；被第一、第二势垒层(103a，103d)分别从发射极层一边和基极层一边夹着的量子点(103)；具有凸向基极层(105)的凸出部分的每个量子点(103c)；第二势垒层(103d)中的基极层(105)一侧界面(d1)，和在基极层(105)中集电极层一侧和发射极层一侧的界面(d2、d3)；界面具有对应量子点(103c)的凸出部分向集电极层(107)突出的弯曲部分(d12、d22、d23)。
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公开(公告)号：CN1706047A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001374.X
申请日：2004-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/2003 , H01L29/7376
Abstract: 本发明的弹道半导体元件备有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。
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公开(公告)号：CN1650436A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809646.3
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/7785
Abstract: 本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板（101）；在该基板上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层（103），在第一阻挡层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层（104）；在沟道层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第二阻挡层（105）；和在第二阻挡层上设置的源极电极（107）、栅极电极（109）以及漏极电极（108），第一阻挡层具有n型扩散层（103a），第二阻挡层具有p型扩散层（105a），沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层（106）在第二阻挡层上形成。
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公开(公告)号：CN103081062A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180040477.7
申请日：2011-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/18 , C30B29/38
CPC classification number: H01L21/265 , C30B29/06 , C30B29/403 , C30B31/22 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/2652
Abstract: 本发明提供一种化合物半导体的制造方法，在包含硅的基板的上部，形成硅氧化膜。其后，通过对基板(101)中的硅氧化膜的下侧的区域进行离子注入，接着进行热处理，而形成包含注入了离子的单晶硅的基底层(102)。接下来，通过除去硅氧化膜，而露出基底层(102)。其后，在基底层(102)上形成GaN层(105)。
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公开(公告)号：CN1332453C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN03809646.3
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/7785
Abstract: 本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板(101)；在该基板上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层(103)；在第一阻挡层上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层(104)；在沟道层上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体半导体构成的第二阻挡层(105)；和在第二阻挡层上设置的源极电极(107)、栅极电极(109)以及漏极电极(108)，第一阻挡层具有n型扩散层(103a)，第二阻挡层具有p型扩散层(105a)，沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层(106)在第二阻挡层上形成。
