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公开(公告)号：CN100414438C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN03156002.4
申请日：2003-08-28
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70591 , G03F7/70133 , G03F7/70141 , G03F7/70191 , G03F7/706 , G03F7/70641
摘要： 本发明的目的在于不增加成本进行曝光装置的照明轴偏移的检查。借助于光掩模1，使感光基板18的表面和二次光源14的面变成为光学共轭状态，在该状态下，对不包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域，和与该区域不重叠的、包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域进行照明以使感光基板18曝光，然后，根据使感光基板18显影得到的图案对照明轴偏移进行检查。
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公开(公告)号：CN100382242C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510002715.1
申请日：2003-03-04
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/00 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03F7/70675 , H01J2237/30438
摘要： 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。
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公开(公告)号：CN1645377A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410099747.3
申请日：2004-12-16
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G06F17/5081 , H01L21/0271
摘要： 本发明提供一种通过使设计规则、工艺邻近效应修正(process proximity correction)参数和工艺参数的至少1个最优化制作设计布局的方法，包括：根据设计布局和工艺参数计算加工图形形状(processed pattern shape)的工序；抽取相对于所述加工图形形状的评价值不满足指定的公差(tolerance)的危险部位(dangerous spot)的工序；根据包含在所述危险部位的图形生成所述设计布局的修正指导的工序；根据所述修正指导进行与所述设计布局的所述危险部位对应的部分的修正的工序。
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公开(公告)号：CN1488999A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03156002.4
申请日：2003-08-28
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70591 , G03F7/70133 , G03F7/70141 , G03F7/70191 , G03F7/706 , G03F7/70641
摘要： 本发明的目的在于不增加成本进行曝光装置的照明轴偏移的检查。借助于光掩模1，使感光基板18的表面和二次光源14的面变成为光学共轭状态，在该状态下，对不包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域，和与该区域不重叠的、包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域进行照明以使感光基板18曝光，然后，根据使感光基板18显影得到的图案对照明轴偏移进行检查。
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公开(公告)号：CN100526997C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200710096417.2
申请日：2003-08-28
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70591 , G03F7/70133 , G03F7/70141 , G03F7/70191 , G03F7/706 , G03F7/70641
摘要： 本发明的目的在于不增加成本进行曝光装置的照明轴偏移的检查。借助于光掩模1，使感光基板18的表面和二次光源14的面变成为光学共轭状态，在该状态下，对不包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域，和与该区域不重叠的、包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域进行照明以使感光基板18曝光，然后，根据使感光基板18显影得到的图案对照明轴偏移进行检查。
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公开(公告)号：CN101063827A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710096417.2
申请日：2003-08-28
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70591 , G03F7/70133 , G03F7/70141 , G03F7/70191 , G03F7/706 , G03F7/70641
摘要： 本发明的目的在于不增加成本进行曝光装置的照明轴偏移的检查。借助于光掩模1，使感光基板18的表面和二次光源14的面变成为光学共轭状态，在该状态下，对不包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域，和与该区域不重叠的、包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域进行照明以使感光基板18曝光，然后，根据使感光基板18显影得到的图案对照明轴偏移进行检查。
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公开(公告)号：CN1237396C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN03121360.X
申请日：2003-03-26
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G03F1/16 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F1/44
摘要： 本发明的目的在于以高灵敏度，高精度，监视曝光光源相对焦点位置的偏离，或曝光量变化。在光掩模上，具有器件图案，该器件图案具有开口部与掩模部；聚焦监视图案，或曝光量监视图案，该聚焦监视图案或曝光量监视图案具有开口部和掩模部，具有与器件图案中的至少一部分区域相同的平面图案形状。聚焦监视图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差，与上述器件图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差不同。另外，曝光量监视图案的开口部与器件图案的开口部的曝光光透射率不同。
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公开(公告)号：CN1235088C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN03148293.7
申请日：2003-07-02
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70558
摘要： 谋求放宽曝光量监测图形设计条件，容易获得所需要的曝光量灵敏度。一种的曝光量监测方法是，将照明光照明形成曝光量监测图形的掩模上，只让所述曝光量监测图形衍射光之中0次衍射光通过所述投影曝光装置的光瞳面内，在衬底上边复制曝光量监测图形，测定曝光量，并以照射所述照明光时，使通过所述投影曝光装置的光瞳面(200)上的所述曝光量监测图形的0次衍射光像(211)重心偏离光轴OA为特征的曝光量监测方法。
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公开(公告)号：CN1632916A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200510002715.1
申请日：2003-03-04
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/00 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03F7/70675 , H01J2237/30438
摘要： 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。
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